光伏組件隱裂特性的研究進(jìn)展(下)

■ 王歡 徐征 徐田帥 李文欣 趙謖玲

(1. 北京交通大學(xué)理學(xué)院太陽能研究所；2. 鑒衡認(rèn)證中心；3. 北京交通大學(xué)發(fā)光與光信息技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室)

3)隱裂組件對組串的功率影響。通常1個(gè)組串中串聯(lián)約60個(gè)電池片，其中每20～22個(gè)電池片與旁路二極管并聯(lián)。若1個(gè)組件產(chǎn)生功率損失，最大功率大幅減小，該組件因隱裂產(chǎn)生的功率損失比率，與整個(gè)組串的功率損失不等。當(dāng)失效面積小于8%時(shí)，單個(gè)組件與組串的功率損失都很小，可忽略不計(jì)。但當(dāng)失效面積超過8%時(shí)，組串和單個(gè)組件的功率損失都隨著失效面積增大而升高，而且20個(gè)組件的組串功率失效比單個(gè)組件失效高[4]。

圖10 組串上多個(gè)組件產(chǎn)生隱裂對組串發(fā)電量損失的仿真

隱裂會(huì)造成組件功率配比損失，損失的大小與隱裂的數(shù)量呈線性關(guān)系[4]。組件中沒有隱裂的電池片比有隱裂的抗老化能力更強(qiáng)[21]。

實(shí)際測試隱裂對組件的衰減時(shí)，通常先進(jìn)行IEC 61215-2005《地面用晶體硅光伏組件設(shè)計(jì)鑒定和定性》10.16中的機(jī)械載荷測試，該測試可引入不同類型的裂紋；然后對組件進(jìn)行IEC 61215中10.12加速老化濕凍測試，需經(jīng)過6 h、200次循環(huán)；在測試后，采用EL測試對組件進(jìn)行隱裂觀察。

經(jīng)過機(jī)械負(fù)載測試的組件功率衰減不明顯，而在經(jīng)過濕凍測試后，組件功率衰減明顯加劇。一些區(qū)域在濕凍測試前，由于電阻升高，經(jīng)低電流EL測試顯示比周圍顏色較暗；經(jīng)過濕凍測試后，該區(qū)域EL測試圖明顯加深(變?yōu)楹谏?，有的形成功率衰減區(qū)域，有的出現(xiàn)與電池片分離的裂片。老化測試對隱裂影響很大，需要對潛在因素和裂紋的發(fā)展趨勢作更詳細(xì)的分析，為可能的風(fēng)險(xiǎn)作出預(yù)判[22]。

圖11 經(jīng)過機(jī)械載荷測試與人工老化處理后的隱裂組件功率損失

參考IEC 61215-2005《地面用晶體硅光伏組件設(shè)計(jì)鑒定和定性》及IEC 61730-2:2007《光伏組件安全鑒定的試驗(yàn)方法》，對有不同類型隱裂電池片的組件進(jìn)行環(huán)境測試和安全測試。觀察組件在測試前后的功率變化，結(jié)果見表1。

表1 各標(biāo)準(zhǔn)測試后測試結(jié)果表

從電學(xué)性能上看，比較明顯的功率衰減有TC200、抗破損實(shí)驗(yàn)、熱斑實(shí)驗(yàn)及TC50+。針對實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目而言，機(jī)械載荷和抗破損實(shí)驗(yàn)后，隱裂更加嚴(yán)重，主要是因?yàn)榻M件直接受外力壓迫或撞擊，電池片產(chǎn)生新的隱裂，舊的隱裂也會(huì)擴(kuò)大。其次，所處環(huán)境溫變明顯，電池片會(huì)不斷收縮擴(kuò)張，內(nèi)部應(yīng)力導(dǎo)致隱裂逐步擴(kuò)大、變嚴(yán)重。熱斑測試對隱裂的影響很小[23]。

3 隱裂的檢測方法

根據(jù)目前標(biāo)準(zhǔn)測試的情況來看，光伏組件在施加負(fù)載時(shí)顯示出相對較好的力學(xué)行為，其中負(fù)載標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)格參照IEC 61215/61646的IEC批準(zhǔn)型測試和IEC 61730-2的安全測試。2011年，TüV萊茵對這些測試進(jìn)行了內(nèi)部擴(kuò)展實(shí)驗(yàn)，結(jié)果顯示：一批數(shù)量為12000塊的在認(rèn)證程序中失敗的c-Si組件(2005～2010年)，在機(jī)械載荷(ML)測試的失敗率為12.6%。

在進(jìn)行IEC批準(zhǔn)型測試時(shí)，從10塊組件中選取1塊，在實(shí)際安裝條件下對其進(jìn)行ML測試(IEC 61215中10.16)?！霸摐y試的目的是評(píng)估組件對風(fēng)、雪、靜負(fù)載或冰雪負(fù)載的抵抗能力”——這意味著總強(qiáng)度為2400 Pa(或5400 Pa)的外部環(huán)境機(jī)械應(yīng)力垂直施加到組件表面上。目前，機(jī)械載荷測試是唯一能檢測組件抵抗風(fēng)、雪能力的測試程序，測試時(shí)，利用機(jī)械力產(chǎn)生張力或壓力來進(jìn)行模擬。

3.1 靜態(tài)載荷測試

標(biāo)準(zhǔn)IEC 61215/61646規(guī)定，在進(jìn)行機(jī)械載荷測試前，需在同一組件上進(jìn)行溫度85 ℃和相對濕度(RH)85%的濕熱測試。評(píng)估組件質(zhì)量的方法包括：比較測試前后的電能、隔離性能，以及檢查任何可能由負(fù)載導(dǎo)致的主要可見缺陷。根據(jù)該定義，靜態(tài)載荷測試(SML)用于模擬風(fēng)、雪載荷。2400 Pa靜態(tài)載荷作用于前表面，然后作用于后表面，最后在電池板前表面施加5400 Pa壓力，用于模擬高強(qiáng)度載荷測試。因標(biāo)準(zhǔn)測試規(guī)定每一種負(fù)載都需持續(xù)施加3 h，總負(fù)載施加時(shí)間為6 h，而組件受力方向則每小時(shí)改變一次。

圖12展示了受到繞y軸彎曲時(shí)，組件的張力和應(yīng)力分布，頂部受到壓應(yīng)力，在底部受到拉應(yīng)力，在底部封裝材料受到的應(yīng)力會(huì)傳遞到電池片中，與電池片本身的彎曲應(yīng)力疊加，于是最大的拉應(yīng)力出現(xiàn)在電池片底部，導(dǎo)致出現(xiàn)隱裂。圖13展示了用鋁邊框封裝、長邊4個(gè)夾子的電池片，在5400 Pa壓強(qiáng)條件下，底部受第一主應(yīng)力的影響。

圖12 光伏組件在壓應(yīng)力和拉應(yīng)力圍繞y軸時(shí)的剖面圖

圖13 標(biāo)準(zhǔn)鋁邊框封裝電池板，在5400 Pa壓強(qiáng)條件下，底部第一主應(yīng)力分布圖

為研究封裝太陽電池的機(jī)械特性，首先模擬在x軸和y軸方向的機(jī)械載荷。圖14展示了探究機(jī)械載荷的探究過程。將組件放在負(fù)載架上，壓載裝置按照階梯狀過程，逐漸對電池板增加壓力，使電池片出現(xiàn)隱裂。分別將電池片柵線垂直、平行于負(fù)載架放置，用EL測試觀察電池片情況[24]。

通過對單晶、多晶硅做多組測試，推算電池板產(chǎn)生隱裂發(fā)生的概率與施加應(yīng)力大小的關(guān)系。結(jié)果如圖15所示。

圖14 定向機(jī)械載荷實(shí)驗(yàn)

圖15 單晶硅和多晶硅形成裂紋的概率統(tǒng)計(jì)

3.2 動(dòng)態(tài)載荷測試

在標(biāo)準(zhǔn)IEC 61215/61646中，規(guī)定對組件施加的壓力應(yīng)約等于速度為130 km/h的實(shí)際強(qiáng)風(fēng)所產(chǎn)生的力。例如，歐洲標(biāo)準(zhǔn)EN 1991-1-4(用于計(jì)算風(fēng)力對結(jié)構(gòu)的作用)就指出，基本負(fù)載假設(shè)應(yīng)該包括空氣動(dòng)力負(fù)載因素在內(nèi)。組件受動(dòng)態(tài)風(fēng)力影響的例子包括：震動(dòng)零件引起的爆破震動(dòng)(由變化中的爆破導(dǎo)致)、渦流引起的橫向震動(dòng)(如馳震、顫動(dòng))，以及由降雨/風(fēng)力引起的振動(dòng)等。動(dòng)態(tài)因素累積起來后將形成一種“準(zhǔn)靜態(tài)”過程，以至于由突發(fā)強(qiáng)風(fēng)引起的共振擺動(dòng)都會(huì)被此過程所掩蓋。

目前最先進(jìn)的光伏組件測試標(biāo)準(zhǔn)IEC 61215和IEC 61646，都只規(guī)定了靜態(tài)機(jī)械負(fù)載測試，而對疲勞應(yīng)力施加在電池、電池連接器或玻璃、框架之類剛性構(gòu)件的研究則很少。至于振蕩或交變力，實(shí)地中的動(dòng)態(tài)(或熱)機(jī)械負(fù)載對組件所提出的要求要比靜態(tài)負(fù)載高許多。由于組件需進(jìn)行實(shí)地安裝，附加負(fù)載可能會(huì)引起內(nèi)部機(jī)械應(yīng)力，而應(yīng)力可能來自于電氣接頭或黏合劑，或與電池或連接器單一材料的持久性、疲勞開裂有關(guān)。此外，對于由表面刺激引起的頻率范圍在12～35 Hz之間的組件振動(dòng)，已通過施加交變風(fēng)力的方法對其進(jìn)行測試，不過會(huì)引起1.5～3.6 mm的較小偏移[25]。

IEEE 1262提出的動(dòng)態(tài)載荷測試(DML)，1440 Pa壓力作用下每3 s循環(huán)一次，共循環(huán)10000次。BP solar在STC環(huán)境測試箱中測試發(fā)現(xiàn)，組件功率因隱裂產(chǎn)生的損失高達(dá)20%[2]。PI Berlin結(jié)合SML、DML和濕熱測試(672 h 85 ℃/85%RH)做出觀察，發(fā)現(xiàn)晶硅組件的裂紋擴(kuò)展與組件的彎曲曲率關(guān)系最大，而不是循環(huán)次數(shù)。動(dòng)態(tài)測試的壓強(qiáng)大小只有靜態(tài)測試的一半，動(dòng)態(tài)測試循環(huán)10000次才與靜態(tài)測試循環(huán)3次造成的效果一樣。

動(dòng)態(tài)測試的高循環(huán)次數(shù)會(huì)引起焊接連接處分離或與銅線斷裂。這兩種材料的塑性變形在塑性范圍之外，且不像晶硅材料在收到張應(yīng)力時(shí)易碎[25]。

4 對電池片及組件的裂紋探測

電池片及組件的隱裂無法通過肉眼直接看到，需要專門的儀器進(jìn)行檢測。目前探測晶體硅組件、電池片缺陷的方法主要用電致發(fā)光(EL)測試，該方法不僅可探測組件隱裂，還可探測到黑斑、黑心、裂片及焊接缺陷等問題，是目前組件生產(chǎn)及電站測試常用的方法。除了對組件成品進(jìn)行隱裂探測，還要在硅片進(jìn)入生產(chǎn)線之前，對生產(chǎn)線上的電池片進(jìn)行嚴(yán)格檢測。為了保證產(chǎn)品質(zhì)量，隱裂探測需盡可能準(zhǔn)確地發(fā)現(xiàn)電池片缺陷，需對細(xì)小裂紋引起警惕，因?yàn)榱鸭y會(huì)在各生產(chǎn)環(huán)節(jié)引起不同程度的擴(kuò)展[26]。若誤把壞片(EI)漏過，在后續(xù)生產(chǎn)過程中，會(huì)引起裂紋擴(kuò)展甚至導(dǎo)致裂片。對電池片隱裂的檢測方法，有電致發(fā)光(EL)測試、電子散斑干涉法(ESPI)、光致發(fā)光(PI)測試、超聲波共振(RUV)。

4.1 EL測試

EL用來測試晶體硅太陽電池片及組件存在的裂紋。其原理是利用太陽電池外加正向偏壓，勢壘區(qū)內(nèi)建電場減弱，原載流子平衡被打破，發(fā)生載流子擴(kuò)散，注入大量非平衡載流子。太陽電池依靠從擴(kuò)散區(qū)注入的大量非平衡載流子不斷復(fù)合發(fā)光，放出光子；利用紅外檢測方法，通過CCD近紅外相機(jī)檢測電池片上的缺陷[27]。

EL測試的圖像亮度與電池片的少子壽命(或少子擴(kuò)散長度)和電流密度成正比。太陽電池中有缺陷的地方，少子擴(kuò)散長度較低，從而顯示出圖像亮度較暗。通過EL測試圖像的分析可清晰地發(fā)現(xiàn)太陽電池及組件存在的隱性缺陷，這些缺陷包括：硅材料缺陷、擴(kuò)散缺陷、印刷缺陷、燒結(jié)缺陷，以及組件封裝過程中的裂紋等。

4.2 電子散斑干涉

電子散斑干涉可用來快速探測電池片的隱裂紋[9]。其原理是利用加熱固定邊緣的電池片時(shí)發(fā)生的熱變形，測量在不同溫度下電池片應(yīng)力分布變形的變化。該方法可探測EL測試探測不到的細(xì)小裂紋。用電子散斑干涉法探測電池片時(shí)，檢測圖像為與樣品同心的明暗相間的條紋。在沒有缺陷的區(qū)域，產(chǎn)生形狀規(guī)則的干涉條紋；有缺陷的區(qū)域發(fā)生熱形變后，該區(qū)域的應(yīng)力會(huì)重新分布，因而觀察到的條紋圖形與無缺陷區(qū)域明顯不同，如切線方向條紋不連續(xù)或同心多邊形，用CCD拍下干涉圖像進(jìn)行分析。因此，ESPI可用于檢測溫度梯度大導(dǎo)致的裂紋擴(kuò)展[28]。

圖16 156 mm×156 mm×0.2 mm多晶硅太陽電池的EL圖和ESPI圖(裂紋長30 mm)

4.3 光致發(fā)光探測隱裂

太陽電池的缺陷往往限制其光電轉(zhuǎn)換、效率和使用壽命。光致發(fā)光可快速通過少子壽命變化進(jìn)行硅片檢測，其原理是利用光致發(fā)光原理獲取晶體硅的熒光照片，且具有高分辨率，用以探測硅片的粗糙面及破損情況。晶體硅吸收外界的光子，產(chǎn)生非平衡少數(shù)載流子，一部分載流子復(fù)合發(fā)光。用CCD相機(jī)可得到太陽電池的輻射復(fù)合分布圖像。這種光強(qiáng)分布反映出非平衡少數(shù)載流子的數(shù)目分布，裂痕和缺陷處表現(xiàn)為較低的光致發(fā)光強(qiáng)度[29]。相比于EL測試需要接觸樣品才能進(jìn)行測試，PL測試不接觸樣品，因此可對生產(chǎn)多晶硅電池片中各生產(chǎn)過程進(jìn)行監(jiān)測[10]。PL圖像測試的原理是利用少子壽命的變化進(jìn)行測試[30]。

目前類穩(wěn)態(tài)光致發(fā)光技術(shù)(QSS PL)是有效分析硅片及電池片的工具，對電池片氮化及磷化后、氮化未經(jīng)磷化、絲網(wǎng)印刷等生產(chǎn)過程進(jìn)行分析[31]。新南威爾士大學(xué)Trupk等在QSS-PL測試中利用光導(dǎo)橋整合2 cm × 2 cm的硅探測器，810 nm LED作為激發(fā)光源，用分光鏡和硅探測器測量相對輸出強(qiáng)度，PL圖像用CCD相機(jī)捕獲[31]。PL測試的好處在于成像像素高，不受少數(shù)載流子復(fù)合、DRM效應(yīng)和溫度變化影響[32]。

圖17 1倍太陽光強(qiáng)下，利用PL技術(shù)檢測出的硅片裂紋圖[33]

4.4 超聲波共振

RUV技術(shù)專門為在線非破壞性裂紋檢測而開發(fā)。其方法基于硅片超聲波縱向振動(dòng)，將外置壓電轉(zhuǎn)換器(20～90 kHz)與高靈敏超聲波探測器和計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)連接，裂紋硅片與同質(zhì)無裂紋硅片的共振頻率響應(yīng)曲線進(jìn)行對比，檢測是否有偏離[34]。

有裂紋的晶硅片RUV測試結(jié)果顯示，裂紋的RUV峰值陡升，峰值帶寬擴(kuò)大。峰值與帶寬越大，說明裂紋的長度越長。

RUV與其他檢測方法不同之處在于，其他檢測采用視覺觀察或光學(xué)成像方法，因此對細(xì)小裂紋檢測的靈敏度更高。

(3)相關(guān)手續(xù)、權(quán)責(zé)不清楚。在存貨模式中，物流等監(jiān)管其中角色重要。但是法律上的職責(zé)界定存在模糊。具體職責(zé)確定，風(fēng)險(xiǎn)、收益等的情況?，F(xiàn)實(shí)中存在監(jiān)管企業(yè)承擔(dān)了過大的風(fēng)險(xiǎn)，但是收益過低的情況。造成一種不匹配情景。

5 隱裂的形成原因

在制作過程中，黑斑、網(wǎng)紋、斑點(diǎn)多是在電池片制造過程中或更早形成的，在可靠性實(shí)驗(yàn)下基本穩(wěn)定，不會(huì)明顯擴(kuò)展、增加。而裂紋、裂片、斷柵在可靠性實(shí)驗(yàn)后會(huì)擴(kuò)大，甚至新增。交叉的裂紋在外力或溫度的影響下，較易形成裂片。對生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的隱裂進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，對各環(huán)節(jié)進(jìn)行系統(tǒng)對比研究，除電池片本身厚度較薄及面積越來越大的行業(yè)發(fā)展趨勢外，生產(chǎn)中電池片的焊接、層壓、搬運(yùn)、抖動(dòng)、反轉(zhuǎn)及包裝運(yùn)輸?shù)龋嬖谳^強(qiáng)的隱裂風(fēng)險(xiǎn)。

5.1 制作硅片

隨著光伏產(chǎn)業(yè)制造的硅片越來越薄、越來越大，硅片出現(xiàn)了高破損率的問題[35]。一般用于生產(chǎn)硅片的方法主要有切割法和生長帶硅法。硅片裂紋的出現(xiàn)主要在處理和傳送時(shí)發(fā)生。用晶片位移測量與有限元分析，可研究晶片在處理和傳送過程中的破裂分析。

受處理和傳送時(shí)夾子和橡膠圈對硅片產(chǎn)生的拉應(yīng)力，硅片易破裂。晶片在處理過程中收到的斷裂應(yīng)力與裂紋長度的開方成反比。裂紋擴(kuò)展主要受拉應(yīng)力大小、裂紋的形狀和大小，以及材料的斷裂韌性Kc[36]因素的影響。

5.2 絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)

絲網(wǎng)印刷過程中印刷過厚，刮刀由于安裝不當(dāng)或壓力過大，增大電池片機(jī)械負(fù)載，導(dǎo)致產(chǎn)生隱裂甚至是裂片。

另外，在絲網(wǎng)印刷過程中，燒結(jié)時(shí)的溫度極高，導(dǎo)致在冷卻時(shí)彈性應(yīng)力增大而產(chǎn)生彎曲。由于硅和Al背板的熱膨脹系數(shù)不同，電池片彎曲是生產(chǎn)過程中存在的普遍問題。電池片持續(xù)彎曲會(huì)造成隱裂擴(kuò)展，不管是多晶硅還是單晶硅電池片，裂紋在深度方向上擴(kuò)展到硅層和鋁背板的接觸面終止，因?yàn)锳l-Si共熔層有較高的斷裂韌性[14]。

5.3 焊接

隨著硅片厚度不斷減薄和電池面積不斷增大的趨勢，焊接過程造成的電池碎片或隱裂是影響組件可靠性的主要因素。焊接過程中，除了電池片本身的質(zhì)量因素外，影響焊接效果的主要因素有：焊接溫度、助焊劑的選擇、焊帶焊料的選擇、操作者的操作規(guī)范等，一定的助焊劑和焊料都對應(yīng)著相適應(yīng)的最優(yōu)焊接溫度。

另外，在IEC 61215中10.11的熱循環(huán)測試中，焊帶會(huì)因?yàn)楸旧淼臒釋W(xué)膨脹系數(shù)出現(xiàn)變形，從而導(dǎo)致疲勞裂紋。

5.3.1 焊接溫度

在單焊和串焊中，焊接的溫度直接影響光伏組件的焊接質(zhì)量。電池片放置在焊接面板上操作，焊接面板一般維持在約50 ℃，起傳熱和使電池片受熱均勻的作用，避免局部受熱。焊接過程中，由于烙鐵溫度較高，對電池片形成一定溫差，有熱的沖擊。如果焊接溫度偏低，一方面焊面上氧化層不易除去，形成虛焊；焊接溫度偏高，又會(huì)使電池片由于熱應(yīng)力而產(chǎn)生變形，導(dǎo)致隱裂和碎片的產(chǎn)生。

5.3.2 助焊劑

在晶體硅太陽電池焊接過程中，助焊劑的使用影響到焊接的質(zhì)量，而且直接影響到后續(xù)層壓工藝的效果。在整個(gè)焊接過程中，助焊劑主要起到以下幾個(gè)作用：助焊劑通過自身的活性物質(zhì)在高溫下作用，去除焊接材質(zhì)表面的氧化層，同時(shí)使錫液及被焊材質(zhì)之間的表面張力減小，增強(qiáng)錫液流動(dòng)和浸潤的性能；同時(shí)通過助焊劑本身在基體中移動(dòng)，將熱傳遞到基體，并且有時(shí)還能保護(hù)被焊材質(zhì)在焊接完成前不再氧化。其中最主要的是去除氧化物和降低被焊接材質(zhì)表面張力。若助焊劑不能有效降低材質(zhì)表面張力，易導(dǎo)致隱裂出現(xiàn)[37]。

而對于焊接完好的組件，在熱循環(huán)測試中同樣會(huì)遇到隱裂產(chǎn)生的問題。也就是說，EL測試并不能看出一些潛在的隱裂紋。在熱循環(huán)測試中，在銅和銀之間的焊接處物(62Sn36Pb2Ag)由于熱膨脹系數(shù)與硅片不匹配，在溫度變化差異較大的情況下，在銀電極與焊接處出現(xiàn)疲勞裂紋，增加組件的串聯(lián)電阻，導(dǎo)致整個(gè)組件的功率衰減。觀察SEM圖像焊接處的橫截面，可看到溫度變化差異越大，產(chǎn)生的裂紋越嚴(yán)重[38]。

圖18 不同溫度熱循環(huán)后橫截面的隱裂SEM圖

5.4 層壓

層壓工藝主要是針對用來封裝光伏組件的透明膠體的特性設(shè)計(jì)的，其主要目的是使EVA實(shí)現(xiàn)最優(yōu)程度的固化，并防止移位和氣泡的產(chǎn)生，使各層物質(zhì)嚴(yán)密的壓合在一起。在傳統(tǒng)的真空層壓過程中，電池要承受1個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓的壓力(即101 kPa)。太陽電池層壓板各區(qū)域變形情況存在極大差異性，一般層壓造成的裂紋電池組件占總實(shí)驗(yàn)比例的0.9%[39]。

層壓的厚度與應(yīng)力有一定關(guān)系，層壓的EVA越厚，可減少層壓的卷曲。層壓的溫度也會(huì)影響受到的應(yīng)力，高溫下玻璃和硅片之間的薄層受到的應(yīng)力減小。層壓后，由于硅、金屬粘合劑和銅的CTE不同，連接處會(huì)收到較大應(yīng)力，此處易產(chǎn)生裂紋[15]。

5.5 搬運(yùn)中造成的隱裂

通過隱裂統(tǒng)計(jì)，發(fā)現(xiàn)在生產(chǎn)過程中應(yīng)避免搬運(yùn)和抖動(dòng)，以減少玻璃自重引起的形變，對減少組件隱裂有至關(guān)重要的影響。

當(dāng)人工搬運(yùn)層壓后的組件到冷卻臺(tái)時(shí)，組件產(chǎn)生彎曲，中間部位受重力作用向下彎曲。在水平方向搬運(yùn)過程中，組件上、下抖動(dòng)的幅度較大，且規(guī)格越大的組件，彎曲程度越厲害。這種情況下，位于組件中間部位的電池片彎曲的幅度較嚴(yán)重，易引起隱裂。

5.6 后清洗和測試過程產(chǎn)生的隱裂

在清洗和測試環(huán)節(jié)，組件存在被反轉(zhuǎn)的步驟。在反轉(zhuǎn)過程中，組件有振動(dòng)現(xiàn)象，可能引起電池片與組件共振，從而導(dǎo)致電池片隱裂[40]。

6 隱裂的解決方案

6.1 生產(chǎn)階段中的控制手段

6.1.1 層壓

可伸縮的硅膠板將層壓機(jī)殼體隔開而形成上室和下室，層壓盤內(nèi)部有加熱裝置，熱量通過層壓盤傳遞給組件。層壓機(jī)的作用就是在真空條件下對EVA進(jìn)行加熱加壓，實(shí)現(xiàn)對EVA的固化，達(dá)到對太陽電池密封的目的。為防止隱裂產(chǎn)生，將層壓工藝改為分段式層壓，降低組件的受力強(qiáng)度，可提高組件的合格率。需優(yōu)化層壓溫度、抽真空時(shí)間、加壓大小，以及層壓時(shí)間。

加壓的強(qiáng)度不能太大，否則會(huì)導(dǎo)致電池片被壓碎；而加壓太小會(huì)使EVA固化后的緊密度影響很小，無法去除殘存氣泡，EVA與背板、EVA與玻璃之間的粘合力較小。調(diào)整加壓時(shí)機(jī)可避免壓力突變對電池的沖擊影響，分布進(jìn)行壓力釋放，太陽電池裂紋的比例由0.9%降到0.3%[39]。

6.1.2 層壓后的組件搬運(yùn)方法

將層壓件從層壓機(jī)抬出的過程中，受力點(diǎn)應(yīng)在兩個(gè)長邊上，減少組件彎曲的幅度；同時(shí)對于未打框組件短距離的搬運(yùn)，不能以水平方向進(jìn)行搬運(yùn)，必須把組件豎起；在翻轉(zhuǎn)過程中，組件平穩(wěn)置于操作臺(tái)上。

由于組件規(guī)格越來越大，可考慮在組件背面的中間位置加橫檔來增加載荷強(qiáng)度，以減少大面積組件中間區(qū)域的形變[40]。

6.2 運(yùn)輸中的控制手段

為了減少電池片隱裂現(xiàn)象的發(fā)生，在電池片運(yùn)輸、傳遞過程中應(yīng)注意避免不當(dāng)?shù)耐饬槿?，也?yīng)注意儲(chǔ)存環(huán)境溫度變化較大的地區(qū)的使用。

[21] 李長嶺, 戴麗麗, 張海磊, 等. 隱裂對光伏組件性能影響的研究[J]. 上海有色金屬, 2013, 33(4): 180－183.

[22] Kajari-Schr?der S, Kunze I, K?ntges M. Criticality of cracks in PV modules[J]. Energy Procedia, 2012, 27: 658－663.

[23] 李娜, 張志根, 武耀忠, 等. 隱裂電池片在標(biāo)準(zhǔn)測試后的變化及分析[J]. 中國建設(shè)動(dòng)態(tài): 陽光能源, 2011, (3): 69－71.

[24] Sander M, Dietrich S, Pander M, et al. Systematic investigation of cracks in encapsulated solar cells after mechanical loading[J]. Solar Energy Materials and Solar Cells, 2013, 111: 82－89.

[25] Koch S, Kupke J, Tornow D, et al. Dynamic Mechanical Load Tests on Crystalline Silicon Modules[A]. 25th European Photovoltaic Solar Energy Conference[C], Valencia, 2010.

[26] A?mus M, Nold S, Rein S, et al. Performance requirements of crack detection systems in silicon solar cell production[J]. Energy Procedia, 2012, 27: 147－153.

[27] Potthoff T, Bothe K, Eitner U, et al. Detection of the voltage distribution in photovoltaic modules by electroluminescence imaging[J]. Progress in Photovoltaics: Research and Applications,2010, 18(2): 100－106.

[28] Wen T K, Yin C C. Crack detection in photovoltaic cells using electronic speckle pattern interferometry[A]. Fourth International Conference on Experimental Mechanics. International Society for Optics and Photonics[C], Singapore, 2009: 75224Q-1－75224Q-5.

[29] 嚴(yán)婷婷, 張光春, 李果華, 等. 光致發(fā)光技術(shù)在 Si 基太陽電池缺陷檢測中的應(yīng)用[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 2010, 35(5): 454－457.

[30] Trupke T, Nyhus J, Sinton R, et al. Photoluminescence imaging on silicon bricks[J]. Sun Energy, 2010, 6: 33.

[31] Trupke T, Bardos R, Nyhus J. Photoluminescence characterization of silicon wafers and silicon solar cells[A].8th workshop on Crystalline Silicon Solar cells & Modules[C],Colorado，2008.

[32] Trupke T, Bardos R, Schubert M, et al. Photoluminescence imaging of silicon wafers[J]. Applied Physics Letters, 2006, 89(4):044107.

[33] Abbott M, Cotter J, Chen F, et al. Application of photoluminescence characterization to the development and manufacturing of high-effi ciency silicon solar cells[J]. Journal of Applied Physics, 2006, 100(11): 114514.

[34] Belyaev A, Polupan O, Dallas W, et al. Crack detection and analyses using resonance ultrasonic vibrations in full-size crystalline silicon wafers[J]. Applied Physics Letters, 2006, 88(11):111907.

[35] Dominguez P, Fernandez J. Introduction of thinner monocrystalline silicon wafers in an industrial cell-manufacturing facility[A]. Proceedings of the 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference[C], Barcelona, Spain, 2005, 6－10.

[36] Brun X F, Melkote S N. Analysis of stresses and breakage of crystalline silicon wafers during handling and transport[J]. Solar Energy Materials and Solar Cells, 2009, 93(8): 1238－1247.

[37] 王海東, 帥爭鋒, 王鶴, 等. 晶體硅太陽能電池焊接技術(shù)及其發(fā)展趨勢[J]. 電子工藝技術(shù), 2012, 33(3): 136－138.

[38] Park N, Jeong J, Han C. Estimation of the degradation rate of multi-crystalline silicon photovoltaic module under thermal cycling stress[J]. Microelectronics Reliability, 2014, 54(8):1562－1566.

[39] 蔡愛玲, 王永清, 張向前, 等. 減少硅太陽電池組件在層壓時(shí)裂紋的研究[J]. 電子測量技術(shù), 2012, 35(5): 19－21.

[40] 李長嶺, 江揚(yáng)宇, 周華英, 等. 晶體硅光伏組件工藝研究[J].上海有色金屬, 2012, 33(3): 135－137.