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    簡述光刻機(jī)投影物鏡的幾種減振方案

    2014-11-29 03:16:30黃靜莉
    精密制造與自動化 2014年3期
    關(guān)鍵詞:光刻機(jī)光刻物鏡

    黃靜莉

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    簡述光刻機(jī)投影物鏡的幾種減振方案

    黃靜莉

    (上海機(jī)床廠有限公司 上海 200093)

    振動是影響光刻機(jī)投影物鏡動態(tài)穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素,決定了投影光刻機(jī)的主要性能。簡述了消除或抑制投影物鏡振動的兩種方案,即一體式主動減振方案和采用壓電陶瓷驅(qū)動的柔性支撐兩級主動減振方案。通過在實(shí)際中應(yīng)用表明,后一種減振方案可以實(shí)現(xiàn)亞微米甚至納米級的定位精度及穩(wěn)定性。

    光刻機(jī)投影物鏡壓電陶瓷主動減振

    在現(xiàn)代工業(yè)技術(shù)的發(fā)展中,高精度的設(shè)備越來越多地決定著各行各業(yè)的發(fā)展前景,特別是在半導(dǎo)體行業(yè)。隨著大規(guī)模集成電路迅速發(fā)展的需求,提高集成電路的集成度成為發(fā)展的關(guān)鍵。提高集成電路集成度的途徑之一是減小集成電路的體積,把每個晶體管元件做小。而微納米光刻加工設(shè)備則是晶體管元件做小的關(guān)鍵,光刻的目的是把要制作的電路結(jié)構(gòu),包括半導(dǎo)體器件、隔離槽、接觸孔、金屬互連線等圖形以物鏡的比例復(fù)制到硅片表面的光敏光刻膠上,形成三維圖像。

    光刻投影曝光微納米加工設(shè)備(即光刻機(jī))是硅片制造的關(guān)鍵設(shè)備。其功能是將一整套集成電路永久的刻蝕在涂膠的硅片上,利用光學(xué)投影成像原理,通過投影物鏡將掩膜版上的集成電路圖形正確地光刻復(fù)制在硅片上,以做成半導(dǎo)體芯片。為此,光刻機(jī)被認(rèn)為是大規(guī)模集成電路制造的核心設(shè)備,光刻技術(shù)則是集成電路制造工藝發(fā)展的動力。

    目前,典型的光刻技術(shù)包括接觸式光刻、接近式光刻、光學(xué)投影光刻和激光干涉光刻。其中,光學(xué)投影光刻技術(shù)是目前IC行業(yè)生產(chǎn)中主要采用的光刻工藝。

    光刻機(jī)是大規(guī)模制造集成電路的光學(xué)投影光刻工藝中的關(guān)鍵設(shè)備,它的性能直接影響著集成電路的特征尺寸。同時,在一套集成電路工藝中,常需要多次光刻,而且每次光刻得到的圖形不是相互獨(dú)立的,而是有著密切的空間關(guān)系,這種關(guān)系需要用光刻機(jī)來保證。投影光刻物鏡是投影光刻機(jī)的核心部件,決定了投影光刻機(jī)的主要性能。投影光刻加工制造必須通過物鏡應(yīng)用光學(xué)投影曝光技術(shù),才能實(shí)現(xiàn)在硅片上加工電路圖像的目的,精度達(dá)到微米或納米量級,最終滿足大規(guī)模集成電路芯片的高性能需求。為此,物鏡的定位精度、動態(tài)穩(wěn)定性能就成為影響光學(xué)微納米加工精度的關(guān)鍵因素,而影響物鏡動態(tài)穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素是振動。因此,如何消除或抑制物鏡振動是至關(guān)重要的。

    1 投影物鏡系統(tǒng)的現(xiàn)有減振方案

    光刻機(jī)投影物鏡安裝在內(nèi)部框架之上,根據(jù)物鏡曝光的特征線寬指標(biāo)采取不同的減振方案。比如,當(dāng)特征線寬在0.5~2 μm,運(yùn)動平臺的定位精度在0.1~0.2 μm,內(nèi)部框架的殘余振動PSD水平限制在10-6(m/s2)2Hz@2~100 H,穩(wěn)定時間為200~500ms,位置穩(wěn)定性為1~5 mm時[1],大多采用一體式被動減振方案對支撐物鏡的內(nèi)部框架進(jìn)行減振,從而達(dá)到對物鏡系統(tǒng)的振動隔離與抑制,如圖 1所示。其缺點(diǎn)是無法對低頻振動進(jìn)行有效地隔離與抑制。采用一體式主動減振方案,即在被動方案的基礎(chǔ)上利用速度和加速度傳感器進(jìn)行反饋,作動器主動驅(qū)動的減振方案對支撐物鏡的內(nèi)部框架進(jìn)行減振,穩(wěn)定時間提高到100~200 ms,位置穩(wěn)定性提高到20~100 μm。雖然對低頻減振有較好的效果,但對于特征線寬在亞微米、納米級精度,位置穩(wěn)定性是在幾個微米的需求上,僅對支撐物鏡的內(nèi)部框架進(jìn)行減振已無法滿足需求。在微電子技術(shù)向大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路方向發(fā)展中,隨著集成度的不斷提高,線條越來越細(xì)化,線寬已縮小到90~100 nm左右,對與之相應(yīng)的工藝設(shè)備提出了更高的要求。要求這些設(shè)備的定位精度為線寬的1/3~1/5,即亞微米甚至是納米級精度,通過減振器對內(nèi)部框架的單級減振已不能滿足其性能需求,特別是針對高端光刻機(jī)物鏡系統(tǒng)及微納米加工設(shè)備的性能要求越來越多的取決于系統(tǒng)定位精度及穩(wěn)定性。

    圖1 物鏡主動阻尼減振

    2 投影物鏡系統(tǒng)的主動減振方案

    針對上述問題提出了采用兩級隔振系統(tǒng)方案。第一級采用減振器減振,用于抑制內(nèi)、外部框架的低頻振動;第二級采用柔性支撐—壓電驅(qū)動阻尼裝置,用于隔離主基板上的殘余振動加速度,即在物鏡與內(nèi)部框架之間引入阻尼減振模塊,直接對物鏡系統(tǒng)的振動進(jìn)行隔離與抑制。

    阻尼減振采用柔性支撐—壓電驅(qū)動技術(shù)及主動控制驅(qū)動技術(shù)。其特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、無機(jī)械摩擦、無間隙、具有高的位移分辨率、控制簡單(只需外加電壓),而且容易實(shí)現(xiàn)納米級精度,同時不產(chǎn)生噪音及發(fā)熱,適用于各種工作環(huán)境。通過主動控制技術(shù)可消除或抑制水平和垂向振動并實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償振動的功能,最終實(shí)現(xiàn)對物鏡系統(tǒng)的主動減振。柔性支撐—壓電驅(qū)動的阻尼主動減振采用彈簧與柔性鉸鏈結(jié)合的整體式結(jié)構(gòu),利用疊層式壓電陶瓷作為驅(qū)動元件。壓電陶瓷材料是一種同時兼具正、逆機(jī)電耦合特性的智能材料,對壓電陶瓷兩端面施加外力而變形產(chǎn)生電位差(稱為正壓電效應(yīng))。相反,對兩端面施加電場時,產(chǎn)生機(jī)械變形(稱為逆壓電效應(yīng))。壓電陶瓷分為兩部分,一部分利用壓電正效應(yīng)的壓電塊作為壓電傳感器,用于測量物鏡因振動而作用在柔性塊上力的變化;一部分利用壓電逆效應(yīng)作為壓電作動器,用于主動施加控制力,補(bǔ)償因振動而產(chǎn)生的唯一。兩部分封裝在一起作為一個整體裝入兩個斜置正交的方孔中,如圖2所示。

    圖2 主動阻尼器結(jié)構(gòu)示意圖

    同時為了減小壓電塊應(yīng)力,上、下兩面采用粘合劑將壓電陶瓷固定在方孔中,預(yù)緊彈簧處于垂向拉伸狀態(tài),因此,對壓電陶瓷施加了一定的預(yù)緊力,以防止其受到拉伸力的作用而造成損壞。壓電陶瓷的周圍設(shè)計了細(xì)長槽及半圓槽結(jié)構(gòu)作為柔性鉸鏈,以消除由旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生剪切應(yīng)力及彎曲應(yīng)力對壓電塊造成的影響。通過斜置正交放置壓電陶瓷的方式達(dá)到抑制垂向、水平向兩個自由度的振動,投影物鏡可通過3個阻尼器支撐,因此每個阻尼器上承受的重力為:

    通過主動控制作動器,采取重力預(yù)緊、彈簧增加預(yù)緊的方法達(dá)到衰減系統(tǒng)低頻振動和抵消擾動力的作用,從而實(shí)現(xiàn)物鏡系統(tǒng)的制振和隔振功能,使物鏡系統(tǒng)在高、低頻域范圍均能實(shí)現(xiàn)較好的減振效果和穩(wěn)定性。

    3 主動阻尼減振方案的控制及效果

    物鏡安裝于整機(jī)框架上,框架振動(包含地基振動、工件臺運(yùn)動反力引起的振動等)會傳遞給物鏡,導(dǎo)致物鏡系統(tǒng)振動,引起成像的誤差,破壞曝光進(jìn)度。為消除或抑制框架振動對物鏡的影響,通過在物鏡與框架之間加入柔性支撐—壓電驅(qū)動的阻尼器實(shí)現(xiàn)對物鏡系統(tǒng)的主動減振。對運(yùn)動系統(tǒng)主動施加阻尼力從而抑制投影物鏡的振動,并能控制補(bǔ)償垂向振動位移及水平向振動位移。壓電陶瓷塊中的壓電傳感器檢測到由振動產(chǎn)生的力后,將測量信號傳給控制器,控制器經(jīng)過一系列控制算法后將控制信號輸出給壓電作動器以驅(qū)動其進(jìn)行主動抑制振動。控制算法是通過測量振動時力的變化直接對主動阻尼器施加力補(bǔ)償,這種控制算法實(shí)際是一種反饋控制方法,如圖3所示。

    圖3 主動阻尼器控制圖

    當(dāng)外界擾動作用在結(jié)構(gòu)上時會產(chǎn)生一個作用力,這個力(sen)可以通過傳感器測量獲得,把這個力與參考力(ref)相減就會得到一個誤差(err),誤差(err)通過反饋控制器和擾動信號共同作用在結(jié)構(gòu)體上。如果力傳感器測量的值比擾動信號單獨(dú)作用時小,就表明反饋控制起到了抑制振動的作用。

    當(dāng)作用力為一定值時,由剛度模型可知:

    act()=perr() (2)

    式(2)中,p為剛度的倒數(shù),力err與位移act成正比。當(dāng)作用力隨時間變化時,其關(guān)系式為:

    act()=il∫err() (3)

    將式(2)、(3)相加得到:

    act()=perr()+il∫err() (4)

    對式(4)進(jìn)行求導(dǎo),得出

    將式(5)的兩邊進(jìn)行拉氏變換,得

    式(6)就是反饋控制器中經(jīng)過一系列控制算法要實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)。通過仿真計算,這種積分力反饋控制算法可以降低物鏡共振峰值約20 db,如圖4、圖5、圖6所示。

    圖4 積分力反饋控制算法效果圖(X向)

    圖5 積分力反饋控制算法效果圖(Y向)

    圖6 積分力反饋控制算法效果圖(向)

    3 結(jié)語

    隨著光刻機(jī)技術(shù)的逐漸成熟,投影物鏡的動態(tài)穩(wěn)定性也成為了熱門的話題。從試驗(yàn)數(shù)據(jù)中可以看出,主動阻尼減震方案在定位精度及穩(wěn)定性上都有較好的實(shí)現(xiàn)效果,也更適合實(shí)際的應(yīng)用開發(fā)。

    [1] 袁志揚(yáng). 主動減震系統(tǒng)技術(shù)在納米加工設(shè)備上的應(yīng)用及發(fā)展[J].精密制造與自動化,2012(3): 9-12.

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