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    光纖光柵傳感器中磁場(chǎng)測(cè)量穩(wěn)定性研究*

    2014-09-25 08:03:56王東升葛海波
    傳感器與微系統(tǒng) 2014年3期
    關(guān)鍵詞:雙折射法拉第磁感應(yīng)

    王東升, 葛海波, 杜 琴

    (1.西安郵電大學(xué) 通信與信息工程學(xué)院,陜西 西安 710061;2.西安郵電大學(xué) 電子工程學(xué)院,陜西 西安 710061)

    0 引 言

    現(xiàn)代電磁環(huán)境是各種電磁能量共同作用的復(fù)合環(huán)境,既有自然電磁干擾源,如,雷電、靜電等,又有強(qiáng)烈的人為干擾源,如,雷達(dá)、無線電通信、導(dǎo)航、計(jì)算機(jī)以及與之對(duì)抗的電子戰(zhàn)設(shè)備、新概念電磁武器等[1]。在磁場(chǎng)測(cè)量中,最常見的方法是在光柵外層涂上磁致伸縮材料,通過測(cè)量反射波長(zhǎng)的變化直接對(duì)磁場(chǎng)進(jìn)行測(cè)量[2]。王黎蒙等人[3]分析了鎳和鋱2種強(qiáng)磁體條件下的磁致伸縮量,外磁場(chǎng)、Bragg波長(zhǎng)位移量和中心波長(zhǎng)4個(gè)參量之間的相互關(guān)系,但磁致伸縮作為機(jī)械效應(yīng),其高頻響應(yīng)必然較差。1994年,Kersey A D等人[4]提出了一種直接測(cè)量磁場(chǎng)的方法,其基本原理是在外加磁場(chǎng)作用下,光纖光柵中的左旋和右旋圓偏振光的Bragg反射波長(zhǎng)發(fā)生漂移,只需測(cè)出此漂移量即可直接確定磁場(chǎng)的大小。但是由于石英材料的費(fèi)爾德(Verdet)常量很小,磁場(chǎng)導(dǎo)致的反射譜分裂很小,目前最普遍的光譜分析儀的精度約50 pm,檢測(cè)起來較困難。理想情況下,法拉第旋轉(zhuǎn)角與磁場(chǎng)強(qiáng)度存在線性關(guān)系,通過測(cè)量法拉第旋轉(zhuǎn)角即可測(cè)得磁場(chǎng)大小。測(cè)量法拉第旋轉(zhuǎn)角的方法對(duì)溫度、壓力等因素不敏感,抗干擾性較強(qiáng),但這種方法依然存在缺點(diǎn)[5]。在現(xiàn)實(shí)測(cè)量過程中,為了提高光纖光柵傳感器的精度,有時(shí)需要將光纖光柵纏繞在被測(cè)物體上,但由于光纖光柵的彎曲會(huì)引入大量的線性雙折射,并且,光纖光柵在制作過程中也會(huì)不可避免的引入線性雙折射[6],這對(duì)最終結(jié)果的測(cè)量帶來較為嚴(yán)重的影響。

    本文對(duì)光纖光柵測(cè)量磁場(chǎng)進(jìn)行研究,設(shè)計(jì)光纖光柵磁場(chǎng)傳感器測(cè)量磁場(chǎng)的系統(tǒng)原理圖,提出了減小線性雙折射的方法,研究起偏角大小對(duì)系統(tǒng)輸出的影響,確定了最佳起偏角,得出系統(tǒng)輸出與磁場(chǎng)的關(guān)系式,提高了光纖光柵磁場(chǎng)傳感器的穩(wěn)定性,為光纖光柵傳感器測(cè)量磁場(chǎng)提供了參考。

    1 磁場(chǎng)測(cè)量簡(jiǎn)述

    法拉第效應(yīng)[7]是指加在光學(xué)介質(zhì)上的外部磁場(chǎng)會(huì)使通過光學(xué)介質(zhì)的偏振光發(fā)生偏振面的旋轉(zhuǎn),其旋轉(zhuǎn)角θ和外加磁場(chǎng)的關(guān)系為

    (1)

    式中V為光學(xué)介質(zhì)的Verdet常數(shù),光纖在1 300 nm波長(zhǎng)附近的Verdet常量[8]大約為8×10-5rad/(Gs·m)。L為光波在介質(zhì)中傳播的距離,即磁場(chǎng)與光線之間相互作用的長(zhǎng)度。測(cè)出偏振面轉(zhuǎn)角θ和磁場(chǎng)中的光路長(zhǎng)度L,即可由上式測(cè)出外界磁感應(yīng)強(qiáng)度B。

    目前尚無高精度直接測(cè)量偏振面旋轉(zhuǎn)角度的檢測(cè)器,一般是把角度信息轉(zhuǎn)換成幅度信息,再進(jìn)行測(cè)量?;痉椒ㄓ?種:?jiǎn)喂饴窓z測(cè)法和雙光路檢測(cè)法。

    2 磁場(chǎng)測(cè)量方法

    2.1 單光路檢測(cè)法

    法拉第效應(yīng)磁場(chǎng)測(cè)量基本裝置如圖1所示[7],透鏡L1把光源S發(fā)出的單色光變成平行光,由起偏器P1變成線偏光進(jìn)入介質(zhì)C,介質(zhì)受磁場(chǎng)H作用產(chǎn)生法拉第效應(yīng),光矢量旋轉(zhuǎn)后的光波經(jīng)檢偏器P2由透鏡L2會(huì)聚到光電探測(cè)器D。設(shè)H=0時(shí)出射光矢量沿y軸,檢偏器的方位角為φ,H≠0時(shí)出射光矢量方位角為θ,則由馬呂斯定律,D接收的光強(qiáng)I為

    I=I0cos2(φ-θ).

    (2)

    圖1 單光路檢測(cè)法

    其中,I0為光源強(qiáng)度。需要尋找檢偏器方位角φ的最佳值,使得在此φ值時(shí),探測(cè)靈敏度?I/?θ取極大值,即

    (3)

    當(dāng)測(cè)出光強(qiáng)Iout,由于δ的存在,很難準(zhǔn)確測(cè)量出磁感應(yīng)強(qiáng)度B,而當(dāng)線性雙折射很小,即不考慮線性雙折射時(shí),式(3)可以簡(jiǎn)化為

    (4)

    只要測(cè)出光強(qiáng)Iout,根據(jù)式(1)和式(4),就能得到磁感應(yīng)強(qiáng)度。圖2為光強(qiáng)Iout隨磁感應(yīng)強(qiáng)度B變化的仿真圖。仿真的參數(shù)為:費(fèi)爾德常數(shù)為V=0.8 rad/Tm,光纖長(zhǎng)度l=40 mm。

    圖2 輸出光強(qiáng)隨磁場(chǎng)的變化情況

    由仿真圖2可知,光強(qiáng)Iout隨磁感應(yīng)強(qiáng)度B的變化呈余弦變化,但是同一個(gè)光強(qiáng)的數(shù)值對(duì)應(yīng)不同的磁場(chǎng)數(shù)值,也就是無法利用光強(qiáng)Iout測(cè)出磁感應(yīng)強(qiáng)度B。因此,為了解決這個(gè)問題,引入雙光路檢測(cè)法。

    2.2 雙光路檢測(cè)法

    與單光路檢測(cè)法的差別只是其檢偏器為偏振分束器,例如:Wollaston(沃拉斯頓)棱鏡,如圖3所示。沃拉斯頓棱鏡[10]由2塊同質(zhì)材料(如方解石)直角棱鏡構(gòu)成,但光軸互相垂直。當(dāng)光垂直入射第一塊直角棱鏡后,分解為傳播方向相同、折射率不同的o光和e光;直角棱鏡斜角設(shè)計(jì)值較小,使得2束偏振光在斜面均不發(fā)生全反射。經(jīng)斜面進(jìn)入第二塊直角棱鏡時(shí),原來的o光變成e光,這個(gè)轉(zhuǎn)變相當(dāng)于從光密介質(zhì)到光疏介質(zhì)的傳播,所以,光束偏離界面法線程度更大,向下偏折;原來的e光變成o光,這個(gè)轉(zhuǎn)變相當(dāng)于從光疏介質(zhì)到光密介質(zhì)的傳播,所以,光束偏離界面法線程度較小,向上偏折。2束光到達(dá)晶體—空氣界面時(shí),都經(jīng)歷從光密介質(zhì)到光疏介質(zhì)的傳播,進(jìn)一步擴(kuò)大了角度差。從而把磁光介質(zhì)中輸出的偏振光分成振動(dòng)方向相互垂直的、傳播方向成一定夾角的2束光。

    圖3 沃拉斯頓棱鏡

    雙光路檢測(cè)法測(cè)量磁場(chǎng)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)如圖4所示。為了提高測(cè)量靈敏度,Arce J L等人[11]提出可采用摻雜稀土的材料制作光柵。邱昆等人[12]提出使用磁性釔鐵石榴石(YIG)材料得到高磁光性能光纖,制作成光柵,從而增強(qiáng)法拉第效應(yīng)。雙光路檢測(cè)法的原理為:光源LD發(fā)出的光經(jīng)起偏器后變?yōu)榫€偏振光,經(jīng)釔鐵石榴石(YIG)后線偏振光旋轉(zhuǎn)θ角度,經(jīng)過沃拉斯頓(Wallaston)棱鏡,將光纖出射的線偏振光分解為振動(dòng)方向互相垂直的2束線偏振光,分別送入2個(gè)檢偏器,含有磁場(chǎng)信息的光信號(hào)經(jīng)過光電探測(cè)器(PIN)后進(jìn)行差除和運(yùn)算,再進(jìn)行數(shù)據(jù)處理,最后在數(shù)字示波器上顯示。

    圖4 傳感系統(tǒng)原理圖

    假設(shè)光纖光柵中存在的線性雙折射均勻分布,當(dāng)在光的傳播方向有平行的磁感應(yīng)強(qiáng)度B時(shí),將產(chǎn)生線性雙折射和法拉第效應(yīng)的疊加。文獻(xiàn)[13]給出了既有線雙折射又有法拉第效應(yīng)的磁場(chǎng)測(cè)量系統(tǒng)的輸出電壓

    (5)

    由上式可知,雙折射和入射起偏角都對(duì)系統(tǒng)的輸出特性產(chǎn)生影響,使系統(tǒng)產(chǎn)生一直流分量。根據(jù)以上分析,在不考慮線性雙折射δ的情況下,輸出U=sin 2θ≈2θ=2VBL;在考慮線性雙折射δ的情況下,光纖光柵磁場(chǎng)傳感器的輸出電壓U不僅與線性雙折射δ有關(guān),并且與法拉第旋轉(zhuǎn)角θ、入射起偏角φ有關(guān)。

    3 提高磁場(chǎng)測(cè)量穩(wěn)定性的方法

    3.1 減小線性雙折射的方法

    在光纖磁場(chǎng)傳感器中,由于線性雙折射的影響,導(dǎo)致系統(tǒng)輸出電壓與磁場(chǎng)呈非線性關(guān)系,使得磁場(chǎng)信息失真明顯。為了減小線性雙折射δ對(duì)輸出特性的影響,對(duì)文獻(xiàn)提出的方法進(jìn)行優(yōu)化和改進(jìn)。

    當(dāng)線性雙折射遠(yuǎn)小于法拉第旋轉(zhuǎn)角,即δ?θ時(shí),式(3)可以化簡(jiǎn)為

    (6)

    對(duì)式(6)求導(dǎo),得

    (7)

    (8)

    解得

    (9)

    代入式(5),得

    (10)

    (11)

    3.2 最佳起偏角的確定

    從以上結(jié)論可以看出:系統(tǒng)輸出電壓不僅與磁場(chǎng)大小有關(guān),而且與入射起偏角存在著非線性關(guān)系。要使系統(tǒng)輸出電壓與磁感應(yīng)強(qiáng)度B呈線性關(guān)系,排除入射起偏角的干擾,就必須研究入射起偏角對(duì)系統(tǒng)輸出的影響,從而確定最佳入射起偏角。

    需要尋找起偏器入射起偏角φ的最佳值,使得在此φ值時(shí),探測(cè)靈敏度?U/?φ取極大值。由式(11)可得

    (12)

    當(dāng)且僅當(dāng)cos 4φ=-1時(shí),?U/?φ取得極大值。

    解得

    4 實(shí)驗(yàn)測(cè)試

    當(dāng)入射起偏角分別取10°,30°,40°,45°,50°,60°,70°時(shí),入射起偏角對(duì)系統(tǒng)輸出電壓的影響,如圖5所示。由仿真圖5可知,起偏角由10°逐漸增加到的45°和起偏角由45°逐漸增加到的70°過程中,曲線的斜率逐漸增大,輸出電壓U與磁感應(yīng)強(qiáng)度B呈非線性關(guān)系;僅當(dāng)入射起偏角為45°時(shí),輸出電壓U與磁感應(yīng)強(qiáng)度B呈線性關(guān)系。

    圖5 起偏角對(duì)系統(tǒng)輸出的影響

    因此,當(dāng)起偏角φ為45°時(shí),可以消除由雙折射引起的直流項(xiàng)。系統(tǒng)輸出電壓為

    (13)

    由上式可見,系統(tǒng)輸出電壓U與磁感應(yīng)強(qiáng)度B呈正比。當(dāng)線性雙折射遠(yuǎn)小于法拉第旋轉(zhuǎn)角時(shí),利用該公式可以測(cè)量磁場(chǎng)的大小。外加磁場(chǎng)與輸出電壓的關(guān)系,如圖6所示。

    圖6 系統(tǒng)輸出與外加磁場(chǎng)的關(guān)系

    由仿真圖6可知,通過降低線性雙折射和確定入射起偏角可以有效改善系統(tǒng)的輸出特性。該方法可以有效抑制測(cè)量過程中線性雙折射造成的非線性關(guān)系,使輸出電壓與外加磁感應(yīng)強(qiáng)度呈線性關(guān)系,從而提高磁場(chǎng)測(cè)量的準(zhǔn)確性。

    5 結(jié) 論

    本文從理論上研究了線性雙折射與入射起偏角對(duì)光纖光柵磁場(chǎng)傳感器輸出的影響,推導(dǎo)了輸出電壓與線性雙折射以及起偏角之間的關(guān)系,提出了減小線性雙折射的方法,

    并研究了起偏角大小對(duì)系統(tǒng)輸出的影響,確定了最佳起偏角。通過這種方法,減小了線性雙折射對(duì)磁場(chǎng)測(cè)量的不利影響,提高了光纖脈沖磁場(chǎng)傳感器的穩(wěn)定性。

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