吳軍,李豐,朱剛,陳大鵬,周章華
(武漢船用電力推進(jìn)裝置研究所,武漢 430064)
過氧化銀因具有特殊的電磁性能、電化學(xué)性能,在蓄電池比功率要求較高的軍事、航空航天等高新技術(shù)領(lǐng)域有重要的應(yīng)用[1]。由于對(duì)于AgO的化學(xué)制備方法研究較少,制備的AgO粒度大,純度較低[2],有些方法污染嚴(yán)重[3],嚴(yán)重地阻礙過氧化銀的生產(chǎn)和應(yīng)用。
采用液相沉淀法,以過硫酸鉀為氧化劑,以轉(zhuǎn)化率為評(píng)價(jià)指標(biāo),分析了反應(yīng)溫度、時(shí)間、摩爾比等工藝參數(shù)對(duì)制備AgO含量的影響,確定了AgO的最佳制備工藝;利用XRD、SEM等分析了制備的AgO粉末的物相組成、形貌及粒度分布,以期為AgO的應(yīng)用提供理論依據(jù)。
過硫酸鉀(分析純),氫氧化鈉(分析純),硝酸銀(分析純),碘化鉀溶液(4﹪),鹽酸(3 M),硫代硫酸鈉(0.1 M),淀粉指示劑(0.5﹪)。
掃描電子顯微鏡為荷蘭FEI公司的Quanta 200型掃描電子顯微鏡。粉末衍射儀為日本理學(xué)公司生產(chǎn)的Dmax- 2550型粉末衍射儀。
采用化學(xué)法制備過氧化銀。主要原理如下:
根據(jù)上述原理,將加入AgNO3溶液的燒瓶恒溫水浴鍋內(nèi)保溫,再加入NaOH溶液,反應(yīng)5 min后加入K2S2O8溶液,反應(yīng)數(shù)小時(shí)。反應(yīng)完成后將產(chǎn)物用去離子水洗滌至溶液呈中性并不含離子為止,過濾得到AgO濕粉,置于60℃真空烘箱內(nèi)6 h,得到AgO粉。
在m(K2S2O8)/m(AgNO3)=1.2,m(NaOH)/m(AgNO3) = 2.5,t=8h的條件下選取不同的反應(yīng)溫度進(jìn)行試驗(yàn),得到表1所示結(jié)果。由表1可以看出,當(dāng)溫度為30~60℃時(shí),AgO含量呈現(xiàn)增加趨勢(shì);當(dāng)溫度大于60℃時(shí),AgO含量減小。而溫度過高時(shí),AgO熱穩(wěn)定性較差,會(huì)自行分解放出氧氣,發(fā)生以下反應(yīng):
從而導(dǎo)致AgO含量降低。而且,過量的K2S2O8會(huì)發(fā)生分解,產(chǎn)生以下反應(yīng):
K2S2O8分解生成K2S2O7(焦硫酸鉀),而焦硫酸鉀水溶液呈強(qiáng)酸性,會(huì)與AgO發(fā)生反應(yīng),導(dǎo)致AgO產(chǎn)量大幅降低。因此,制備AgO需要一個(gè)合理的溫度,通過上述試驗(yàn)結(jié)果可知,最佳反應(yīng)溫度為60℃。
表1 反應(yīng)溫度對(duì)AgO含量的影響
2.1.2 K2S2O8用量
在m(NaOH)/m(AgNO3)=2.5,T=60℃,t=8h并選取不同的氧化劑用量的條件下進(jìn)行試驗(yàn),得到表2所示結(jié)果。從表2可以看出m(K2S2O8)/m(AgNO3)對(duì)AgO含量的影響分為兩個(gè)階段,當(dāng)比值在0.6~1.2之間,AgO含量呈上升趨勢(shì)。當(dāng)繼續(xù)增加比值到1.2~3后,轉(zhuǎn)化率增加趨勢(shì)緩慢。
K2S2O8與AgNO3用量的理論比應(yīng)為0.5,然而此反應(yīng)需要在強(qiáng)氧化氛圍下發(fā)生且K2S2O8受熱會(huì)分解,所以K2S2O8要適當(dāng)過量。
由化學(xué)反應(yīng)速率方程:
可知K2S2O8的增加可加快反應(yīng)速度,然而當(dāng)m(K2S2O8)/m(AgNO3)到1.2后,轉(zhuǎn)化率已經(jīng)很高,反應(yīng)速度不是制約因素。
另根據(jù)吉布斯自由能公式:
當(dāng)K2S2O8用量增加時(shí)促進(jìn)反應(yīng)向正方向進(jìn)行,但當(dāng)K2S2O8用量過多時(shí),K2S2O8分解的SO42-就會(huì)促進(jìn)反應(yīng)向逆方向進(jìn)行。所以選取m(K2S2O8)/m(AgNO3)為1.2時(shí)是比較適宜的。
表2 K2S2O8用量對(duì)AgO含量的影響
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2.1.3 NaOH用量
在m(K2S2O8)/m(AgNO3)=1.2,T=60℃,t=8h并選取不同的NaOH用量的條件下進(jìn)行試驗(yàn)得到表3所示結(jié)果。m(NaOH)/m(AgNO3)的理論值應(yīng)為2,然而需要一部分NaOH來中和K2S2O8受熱分解所產(chǎn)生的硫酸以防止生成的AgO溶解,所以NaOH應(yīng)適當(dāng)過量。由表3可以看出當(dāng)比值等于2時(shí),AgO含量已經(jīng)較高,當(dāng)達(dá)到2.5后,AgO含量增加并不明顯。由此選擇m(NaOH)/m(AgNO3)比值為2.5是比較合適的。
表3 NaOH用量對(duì)AgO含量的影響
2.1.4 反應(yīng)時(shí)間
在m(K2S2O8)/m(AgNO3)=1.2,m(NaOH)/m(AgNO3) = 2.5,T=60℃的條件下選取不同的反應(yīng)時(shí)間進(jìn)行試驗(yàn)得到表4所示結(jié)果。由表4可以看出,在反應(yīng)時(shí)間小于8 h時(shí),AgO含量是隨反應(yīng)時(shí)間的延長(zhǎng)而增加的。而當(dāng)反應(yīng)時(shí)間超過8h后,AgO含量的含量反而有所下降,這是由于AgO的熱穩(wěn)定性差,AgO分解造成的。故反應(yīng)時(shí)間8h是比較適宜的。
表4 反應(yīng)時(shí)間對(duì)AgO含量的影響
綜上所述,以AgNO3為原料,NaOH為沉淀劑,K2S2O8為氧化劑,制備AgO粉末的最佳制備工藝參數(shù)為:反應(yīng)溫度為60℃,m(K2S2O8)/m(AgNO3)=1.2,反應(yīng)時(shí)間為8 h,m(NaOH)/m(AgNO3)=2.5。制備的粉末中AgO含量為
99.07%。
2.2.1 XRD分析
對(duì)用最佳工藝制備的AgO粉末進(jìn)行XRD測(cè)試,其結(jié)果如圖1所示。由圖1可見,在2θ為32.040°、32.279°、34.160°、37.180°、39.418°、53.836°、以及56.719°處均出現(xiàn)很強(qiáng)的衍射峰,分別對(duì)應(yīng)AgO的(200)、(11)、(002)、(111)、(02)、(11) 、(113)晶面。圖中②為AgO標(biāo)準(zhǔn)PDF卡,編號(hào)為PDF No.43-1038,與測(cè)試結(jié)果十分吻合。
根據(jù)XRD測(cè)試結(jié)果,由Scherrer公式估算AgO的晶粒尺寸約為52nm,檢索鑒定晶相歸屬得到AgO的晶體結(jié)構(gòu)屬于單斜晶系。
圖1 AgO粉末的XRD圖譜
2.2.2 SEM分析
圖2 AgO粉末的SEM照片
圖2為按最佳工藝制備所得AgO粉末SEM圖。從圖中可以看到制備的粉末粒度為約1~3 μm,大部分為短棒狀,少部分為片狀。這與XRD分析得到的AgO晶系歸屬符合,為單斜晶系晶體。
實(shí)驗(yàn)采用液相沉淀法制備AgO粉體,并研究了各種工藝參數(shù)的影響,得出如下結(jié)論:
1)以AgNO3為原料,NaOH為沉淀劑,K2S2O8為氧化劑,用液相沉淀法制備了AgO粉體。制備AgO粉末的最佳工藝參數(shù)為:反應(yīng)溫度60℃,m(NaOH)/m(AgNO3)=2.5,m(K2S2O8)/m(AgNO3)=1.2,反應(yīng)時(shí)間為8 h,制得的AgO含量為99.07%,粒度約1~3 μm,為短棒狀形貌。
2)此工藝相比沈文寧[4]、尹海順[5]等的納米銀粉制備工藝時(shí)間長(zhǎng),原因是其K2S2O8用量為AgNO3的五倍,從而大大縮短了反應(yīng)時(shí)間。而此工藝優(yōu)點(diǎn)在于K2S2O8用量較少,且制得AgO粉為微米級(jí),振實(shí)密度較納米銀粉大,作為電池正極時(shí)便于壓制。
[1]David F Smit h, George R, Graybill, Robert K Grubbs and J ames A Gucinski. New development s in very high rate silver oxide elect rodes [J ]. Power Sources,1997, 65 : 47252.
[2]Xiao Xuesong, Zhou Guoguang, Chen Kanget al.Journal of East China University of Science and Technology[J], 2005, 31(5): 620
[3]Zhang Yu, Pan Junqing, Wan Pingyuet al. China Patent, 1994891A[P], 2007.
[4]沈文寧, 馮拉俊, 雷阿利, 孔珍珍. 超細(xì)過氧化銀粉末的制備及其表征, 稀有金屬材料與工程, 2011,Vol.40.
[5]尹海順, 毛健, 白昱, 高躍生, 文貴華, 涂銘旌. 液相沉淀法制備納米AgO 粉體影響因素的正交分析,化工新型材料, 2009.