集成微熱板氣體傳感器陣列的加熱驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)*

程義軍,唐禎安,余 雋

(大連理工大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,遼寧 大連 116023)

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集成微熱板氣體傳感器陣列的加熱驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)*

程義軍,唐禎安,余 雋*

(大連理工大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,遼寧 大連 116023)

基于集成微熱板氣體傳感器陣列的應(yīng)用需求,采用CSMC的0.5 μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝設(shè)計(jì)了片上加熱驅(qū)動(dòng)電路,可根據(jù)外部控制信號(hào)實(shí)現(xiàn)陣列中各微熱板加熱溫度的獨(dú)立調(diào)節(jié)。利用Hspice完成了電路仿真,并進(jìn)行了代工流片。實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果表明該加熱驅(qū)動(dòng)電路滿足設(shè)計(jì)要求,各路加熱通道產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電流相對(duì)誤差小于2%,并且切換電流時(shí)無明顯過沖現(xiàn)象。

集成氣體傳感器陣列;微熱板;加熱驅(qū)動(dòng)電路;模擬集成電路設(shè)計(jì)

氣體傳感器陣列技術(shù)通過使用不同的氣敏材料可以有效的對(duì)混合氣體實(shí)現(xiàn)檢測(cè)和辨別,是提高傳感器選擇性的重要方法[1]。氣體傳感器對(duì)氣體的響應(yīng)靈敏度不但與氣敏材料有關(guān),而且與材料的工作溫度有關(guān)[2]。因此,在采用陣列技術(shù)的同時(shí)對(duì)陣列中每個(gè)傳感器進(jìn)行獨(dú)立的溫度調(diào)節(jié)也至關(guān)重要[3]。微熱板[4]是一種制作在硅片上的微型加熱器件,非常適合實(shí)現(xiàn)陣列式集成氣體傳感器系統(tǒng)[5-7]。

集成微熱板氣體傳感器及其陣列系統(tǒng)的溫度控制取決于微熱板加熱電阻的驅(qū)動(dòng)方式。Cardinali等[8]利用開關(guān)技術(shù)設(shè)計(jì)了一個(gè)簡(jiǎn)單的方案,依據(jù)邏輯控制信號(hào),通過在兩個(gè)參考電阻(對(duì)應(yīng)兩個(gè)溫度點(diǎn):150 ℃和400 ℃)之間切換來選擇溫度循環(huán);Malfatti等[9]提出了惠斯通電橋結(jié)構(gòu),雖結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,但易發(fā)生持續(xù)振蕩;Barrettino等[10]提出了簡(jiǎn)單的比例溫度控制電路,其微熱板結(jié)構(gòu)采用加熱器和溫度傳感器分離的背面腐蝕懸空型微熱板;該團(tuán)隊(duì)還設(shè)計(jì)了一款片上數(shù)字PID溫度控制電路[11],雖然控溫效果好,但電路復(fù)雜,若需實(shí)現(xiàn)陣列中每個(gè)傳感器溫度的獨(dú)立控溫,則加熱驅(qū)動(dòng)電路占用資源太多。

綜合考慮陣列傳感器溫度分立調(diào)節(jié)、控溫效果以及芯片面積等因素,針對(duì)本課題組研發(fā)的加熱測(cè)溫一體化微熱板氣體傳感器陣列設(shè)計(jì)了一款加熱驅(qū)動(dòng)電路,包括MOS開關(guān)控制單元和微熱板加熱單元。利用芯片外部的單片機(jī)向芯片輸入控制信號(hào),控制MOS開關(guān)的導(dǎo)通與關(guān)斷,調(diào)節(jié)微熱板驅(qū)動(dòng)電流大小,實(shí)現(xiàn)陣列中各微熱板溫度的分立調(diào)節(jié)。

1 集成微熱板氣體傳感器的電加熱特性

集成微熱板氣體傳感器的SEM照片如圖1所示。中間邊長(zhǎng)100 μm的正方形區(qū)域是微熱板的加熱區(qū),它是懸空的復(fù)合介質(zhì)薄膜,由四條懸臂梁支撐,整個(gè)懸空區(qū)域邊長(zhǎng)為300 μm。中心加熱區(qū)有蛇形鎢加熱電阻,該電阻同時(shí)也被用作溫度傳感器。微熱板的溫阻標(biāo)定方法為:封裝好的傳感器放入恒溫箱,調(diào)節(jié)溫度達(dá)到穩(wěn)定值后記錄與溫度對(duì)應(yīng)的電阻值,結(jié)果如圖2所示。經(jīng)過計(jì)算,鎢加熱電阻的溫度系數(shù)為1.96×10-3/℃。室溫常壓下,傳感器加熱電流與微熱板溫度之間的關(guān)系可以通過以下方法測(cè)得:利用恒流源(Keithley 2400)給鎢電阻提供恒定的加熱電流,同時(shí)測(cè)量鎢電阻兩端電壓,并計(jì)算出電阻值。根據(jù)已經(jīng)測(cè)得的鎢加熱電阻的溫度系數(shù)可計(jì)算得到微熱板溫度。測(cè)得微熱板在不同加熱電流大小下對(duì)應(yīng)的溫度,如圖3所示。

圖3 加熱電流與溫度關(guān)系曲線

圖1 腐蝕后的鎢微熱板SEM照片

圖2 鎢微熱板溫阻標(biāo)定

2 加熱驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)

在同一芯片上集成多個(gè)集成微熱板氣體傳感器可組成微熱板陣列芯片。該芯片的加熱驅(qū)動(dòng)電路框圖如圖4所示。該電路由MOS開關(guān)控制單元和微熱板加熱單元構(gòu)成。下面以四傳感器陣列的加熱驅(qū)動(dòng)電路為例進(jìn)行電路設(shè)計(jì)。

圖4 集成氣體傳感器陣列的加熱驅(qū)動(dòng)電路框圖

每個(gè)微熱板的加熱單元電路如圖5所示。每個(gè)微熱板連接三路鏡像電流支路,采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)獲得理想的恒流效果。由圖3測(cè)試結(jié)果可知,加熱電流應(yīng)控制在7 mA以內(nèi),因此設(shè)置偏置電流為1 mA,鏡像電流與偏置電流的比例為IMa3:IMa2:IMa1:IREF=4:2:1:1,從而通過開關(guān)控制可以實(shí)現(xiàn)0～7 mA之間的8種電流調(diào)節(jié)。同時(shí),Ha端輸出鎢電阻上的電壓信號(hào),該電壓除以設(shè)置的電流值則可得出鎢電阻值,從而計(jì)算此加熱電流下微熱板的實(shí)際溫度。

圖5 微熱板加熱單元

微熱板陣列由4個(gè)微熱板構(gòu)成,每個(gè)微熱板有單獨(dú)的加熱單元,共有12個(gè)MOS開關(guān)。MOS開關(guān)的控制端與移位寄存器的輸出端相連接,因此設(shè)計(jì)了12位移位寄存器,符號(hào)與端口如圖6所示。其中,DS為串行數(shù)據(jù)輸入端,CLK為移位時(shí)鐘信號(hào),RB為低電平有效的移位寄存器清零端,E為高電平有效的移位寄存器輸出使能端,Q0～Q11為12位并行輸出端,直接控制4個(gè)微熱板加熱單元的12個(gè)MOS開關(guān)。通過單片機(jī)輸入串行控制信號(hào)以及移位時(shí)鐘信號(hào),則移位寄存器并行輸出12位控制信號(hào),進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)各微熱板溫度的調(diào)控。

圖6 移位寄存器邏輯符號(hào)

對(duì)加熱驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行仿真,DS端可輸入的12位串行輸入控制序列為:000000000000～111111111111,每3位控制一個(gè)微熱板的加熱單元。偏置電流為1mA時(shí),已控制序列001011000111為例,加熱驅(qū)動(dòng)電路仿真結(jié)果如圖7所示。4個(gè)微熱板加熱單元分別產(chǎn)生7 mA(Ia)、0 mA(Ib)、3 mA(Ic)和1 mA(Id)的電流,也即b號(hào)微熱板不加熱,a、c、d號(hào)微熱板工作于不同溫度。加熱驅(qū)動(dòng)電路芯片采用無錫華潤(rùn)上華的0.5 μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝完成了代工流片,芯片顯微鏡照片如圖8所示。

圖8 微熱板加熱驅(qū)動(dòng)電路芯片顯微鏡照片

圖7 加熱驅(qū)動(dòng)電路仿真圖

3 測(cè)試

3.1 單片機(jī)程序設(shè)計(jì)

單片機(jī)主要功能:給芯片內(nèi)部的移位寄存器輸入串行控制信號(hào),以及移位時(shí)鐘信號(hào),實(shí)現(xiàn)微熱板加熱溫度的調(diào)節(jié),以及控制移位寄存器的清零和使能。圖9為單片機(jī)輸入串行控制信號(hào)(100101110111)時(shí)示波器觀察到的功能時(shí)序。通道1為給芯片內(nèi)部移位寄存器輸入的串行控制信號(hào),通道2為移位寄存器時(shí)鐘信號(hào)。

圖9 單片機(jī)輸入串行控制信號(hào)

3.2 測(cè)試結(jié)果與討論

由圖2可知,溫度變化時(shí)鎢電阻阻值也發(fā)生變化,因此首先測(cè)試了電阻RH變化對(duì)驅(qū)動(dòng)電流的影響,如圖10所示。由圖可知,RH<400 Ω時(shí),驅(qū)動(dòng)電流恒定,基本不隨電阻的變化而改變。當(dāng)RH>400 Ω且電流大于6 mA時(shí),驅(qū)動(dòng)電流偏離目標(biāo)電流,原因是負(fù)載兩端電壓超過電流鏡最大輸出電壓范圍。

圖10 RH變化對(duì)驅(qū)動(dòng)電流的影響

開關(guān)在關(guān)斷與導(dǎo)通瞬間產(chǎn)生的過沖電流可能會(huì)對(duì)微熱板產(chǎn)生很大的損害,所以需要對(duì)開關(guān)過沖進(jìn)行觀測(cè)分析。圖11為微熱板加熱單元3個(gè)MOS開關(guān)在導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)示波器觀測(cè)到的電阻兩端電壓信號(hào),通道1為同時(shí)加載到3個(gè)MOS開關(guān)控制端的方波電壓信號(hào)(由信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生),通道2為電阻兩端電壓信號(hào),沒有發(fā)現(xiàn)明顯的過沖現(xiàn)象。

圖11 開關(guān)過沖分析圖

將微熱板與加熱驅(qū)動(dòng)電路連接進(jìn)行測(cè)試,測(cè)試結(jié)果如表1所示。表中0000～0007為串口調(diào)試助手輸入的八進(jìn)制控制信號(hào),每位八進(jìn)制對(duì)應(yīng)3 bit二進(jìn)制信號(hào),控制單個(gè)微熱板加熱單元的3個(gè)MOS開關(guān),產(chǎn)生0 mA、1 mA…7 mA大小的電流,為微熱板進(jìn)行加熱。測(cè)量微熱板加熱電阻兩端電壓信號(hào),根據(jù)驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算得到電阻值,根據(jù)溫阻標(biāo)定結(jié)果可以計(jì)算得到加熱溫度。由表可知,該加熱驅(qū)動(dòng)電路可以使微熱板工作于不同的溫度點(diǎn),實(shí)現(xiàn)微熱板溫度的獨(dú)立調(diào)節(jié)。

表1 微熱板與加熱驅(qū)動(dòng)電路聯(lián)合測(cè)試結(jié)果

4 加熱驅(qū)動(dòng)電路改進(jìn)方案

本文設(shè)計(jì)的微熱板加熱驅(qū)動(dòng)電路可以實(shí)現(xiàn)微熱板溫度的獨(dú)立調(diào)節(jié),使其工作于不同的溫度點(diǎn)。但是對(duì)于單個(gè)微熱板,在高溫段(150 ℃～300 ℃),溫度調(diào)節(jié)步長(zhǎng)太大。若需要進(jìn)一步減小溫度調(diào)節(jié)補(bǔ)償,可在原有加熱單元的基礎(chǔ)上增加幾路細(xì)調(diào)鏡像電流,同時(shí)擴(kuò)展移位寄存器。

如圖12所示,增加了四路細(xì)調(diào)鏡像電流后,根據(jù)I-T擬合曲線(圖4)計(jì)算知,溫度調(diào)節(jié)步長(zhǎng)可控制在15 ℃以內(nèi)。但實(shí)現(xiàn)細(xì)調(diào)功能的同時(shí)也使電路芯片面積增加。對(duì)于改進(jìn)之后的電路,為了保持電路的線性度,在版圖設(shè)計(jì)方面,需要注意采用共質(zhì)心版圖設(shè)計(jì),提高各路鏡像電流與參考電流的匹配度。為了防止靜電擊穿,需要注意ESD保護(hù)的設(shè)計(jì)[12]。

圖12 改進(jìn)后的微熱板加熱單元

當(dāng)微熱板受環(huán)境影響劇烈時(shí),可以采用外部的單片機(jī)來實(shí)現(xiàn)微熱板溫度的控制,使微熱板溫度變化恒定在一個(gè)小的溫度范圍內(nèi)(±20 ℃),在這個(gè)溫度變化范圍內(nèi)氣敏材料靈敏度的變化較小。溫度控制程序流程圖如圖13所示。上電后,設(shè)置微熱板初始加熱溫度(即確定加熱電流大小),根據(jù)采集到的電壓信號(hào)計(jì)算微熱板在該加熱電流下的加熱電阻值RT,然后設(shè)置加熱電阻值閾值ΔRT。當(dāng)環(huán)境變化劇烈影響時(shí),微熱板的加熱溫度發(fā)生變化即加熱電阻值會(huì)發(fā)生變化。當(dāng)加熱電阻值變化大小在閾值以內(nèi),則加熱電流恒定不變;當(dāng)加熱電阻值變化大小超出閾值,則通過加減加熱電流使加熱電阻值變化恒定在閾值以內(nèi),使微熱板溫度變化在環(huán)境變化影響下限定在一定范圍內(nèi)。

圖13 溫度控制程序流程圖

5 結(jié)論

設(shè)計(jì)了一款用于集成微熱板氣體傳感器陣列的加熱驅(qū)動(dòng)電路,與參考文獻(xiàn)中所提到的驅(qū)動(dòng)電路相比,適用于加熱測(cè)溫一體化微熱板氣體傳感器的驅(qū)動(dòng),可以實(shí)現(xiàn)對(duì)陣列中各微熱板加熱電流的分立調(diào)節(jié),從而可以靈活的調(diào)節(jié)同一陣列中不同微熱板氣體傳感器的工作溫度,且具有面積較小(0.7 mm2)的優(yōu)點(diǎn),使商業(yè)化成為可能;利用共源共柵電流鏡產(chǎn)生加熱電流,輸出阻抗較高,產(chǎn)生的電流穩(wěn)定性好,相對(duì)誤差小于2%;MOS開關(guān)在導(dǎo)通與關(guān)斷瞬間無明顯的過沖現(xiàn)象。若需進(jìn)一步減小高溫段溫度變化步長(zhǎng),可增加鏡像電流支路;并且當(dāng)微熱板受環(huán)境影響劇烈時(shí),利用外部單片機(jī)可以將微熱板加熱溫度變化限定在一個(gè)較小的溫度范圍內(nèi)。

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程義軍(1987-),男,漢族,山西太原人;碩士研究生,主要研究方向?yàn)榧呻娐吩O(shè)計(jì)、集成氣體傳感器設(shè)計(jì),alexcheng@163.com;

唐禎安(1955-),教授,博士,主要研究方向?yàn)榧呻娐吩O(shè)計(jì)與制造、半導(dǎo)體傳感器及應(yīng)用,tangza@dlut.edu.cn;

余雋(1977-),副教授,博士,主要研究方向?yàn)榧蓚鞲衅餍酒O(shè)計(jì)junyu@dlut.edu.cn。

DesignofHeaterDriverCircuitforanIntegratedMHPGasSensorArray*

CHENGYijun,TANGZhenan,YUJun*

(School of Electronic Science and Technology,Dalian University of Technology,Dalian Liaoning 116023,China)

Based on the application requirements of the MHP(Micro-hotplate)gas sensor array,the heating driver circuit was designed by using the CSMC 0.5 microns standard CMOS process. On the basis of external control signal,independent temperature regulation of the MHP is realized. The simulation of driver circuit by using Hspice was accomplished,and the tapeout was carried out. The test results showed that the proposed heating driver circuit met the design requirement. The relative error of driver current was less than 2% in each heating channel,and no obvious overshoot phenomenon occurred when MOS switch was on and off.

integrated gas sensor array;MHP(micro-hotplate);heater driver circuit;analog IC design

項(xiàng)目來源:國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61131004,61274076)

2013-12-14修改日期:2014-01-08

TN453

:A

:1005-9490(2014)06-1136-05

10.3969/j.issn.1005-9490.2014.06.026