胡家光, 徐 文, 邱學云
(1.文山學院 數(shù)理系,云南 文山 663000; 2.云南大學 物理科學技術(shù)學院,昆明 650091)
周期性功能材料作為感興趣的研究對象, 由半導(dǎo)體材料器件到光子晶體均已取得巨大成就。近年來又提出聲子晶體概念。與光子晶體結(jié)構(gòu)類似,聲子晶體為由不同彈性材料周期性排列而成的復(fù)合功能材料,理論、實驗均證明,在適當條件下,彈性波在聲子晶體中傳播時會產(chǎn)生與光子晶體相似的禁帶[1-3]。聲子晶體中存在缺陷時帶隙內(nèi)產(chǎn)生局域模,帶隙內(nèi)彈性波只能被局限在缺陷處或沿缺陷傳播[4]。聲子晶體禁帶特性及局域模使其在減振降噪及聲學功能器件領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊[5]。與光子晶體不同,電磁波只有橫波,而彈性波在不同介質(zhì)中傳播時偏振狀態(tài)會不同,在流體中傳播時只有縱波,而在固體中傳播時有橫波亦有縱波,亦可能存在縱波與橫波耦合,故聲子晶體帶隙的獲取及計算更復(fù)雜,尤其超低頻帶隙的獲取更具挑戰(zhàn)性。
在聲子晶體研究中,一維聲子晶體因其制作簡單,體積小,帶隙易控制備受關(guān)注[6-7]。一般情況下聲子晶體帶隙越寬,應(yīng)用價值越高。為獲得更理想帶隙特性,在簡單晶格基礎(chǔ)上,將Fibonacci、Thue-Morse、功能梯度及無序等結(jié)構(gòu)引入一維聲子晶體中[8-12]。而該新型結(jié)構(gòu)拓寬聲子晶體帶隙效果并不顯明,且局域模調(diào)控性亦不理想。因此,探索拓寬一維聲子晶體帶隙方法及研究調(diào)控局域模手段尤其重要。本文進行過大量探索研究,發(fā)現(xiàn)可大幅拓寬一維聲子晶體帶隙的周期嵌套結(jié)構(gòu),并借助摻雜作用,可較好實現(xiàn)局域模的調(diào)控,并對其中機理進行詳細闡述。
設(shè)計多種類型一維周期嵌套結(jié)構(gòu),最佳組合形式見圖1,結(jié)構(gòu)共j層。將一個周期稱復(fù)周期,由A、B、C、D四部分組成,晶格常數(shù)為a。圖1中黑色部分A及C表示同一種材料,灰色部分B及D表示另一種材料,四部分厚度分別為d1、d2、d3、d4,整結(jié)構(gòu)由N個復(fù)周期排列而成,入射、出射端材料相同用E表示。若d1=d3及d2=d4,則變?yōu)榫Ц癯?shù)為a/2的簡單晶格結(jié)構(gòu)。研究重點為d1≠d3及d2≠d4情形,該聲子晶體也可視為由周期單元A+B及C+D的兩套聲子晶體嵌套而成,在此結(jié)構(gòu)中已發(fā)現(xiàn)非常有價值結(jié)果。為便于計算,令L1=d1+d2、L2=d3+d4、T1=d1/d2、T2=d3/d4、T3=L2/L1。
圖1 一維復(fù)周期聲子晶體結(jié)構(gòu)模型
為準確研究此類結(jié)構(gòu)聲子晶體帶隙特性,本文用傳遞矩陣法計算[13-14],研究縱波及橫波垂直入射時的透射率。在此條件下,不存在橫波與縱波的轉(zhuǎn)型問題。據(jù)縱波及橫波在晶體中傳播時邊界條件,可得縱橫波位移波矢在兩種介質(zhì)界面處共同的傳遞矩陣Mpq=M-1PM-1q。其中Mp及Mq為相鄰第p、第q層介質(zhì)系數(shù)矩陣,可統(tǒng)一下標p定義為:
(1)
式中:kL=ω/cL;kT=ω/cT;cL,cT分別為縱波波速及橫波波速;ω為圓頻率;λ,μ為拉密常數(shù)。彈性波經(jīng)厚度dp的介質(zhì)p時傳遞矩陣為:
(2)
彈性波通過整個聲子晶體時,總傳遞矩陣為:
W=M01N1M12N2…Mj0
(3)
由此可得縱波透射率TL及橫波透射率TT為:
(4)
選常用材料鋼與環(huán)氧樹脂構(gòu)成聲子晶體,入射及出射端材料選有機玻璃,材料參數(shù)見表1,復(fù)周期數(shù)為10,缺陷層材料鉛后續(xù)。
表1 材料物理參數(shù)
計算復(fù)周期結(jié)構(gòu)與簡單晶格結(jié)構(gòu)帶隙差異,選復(fù)周期結(jié)構(gòu)參數(shù)a=3 cm,T1=T2=1,T3=2。為使比較具合理性,簡單晶格結(jié)構(gòu)由相同材料鋼及環(huán)氧樹脂組成,厚度比取1,晶格常數(shù)a取3 cm。結(jié)果見圖2,縱坐標為波透射率,相鄰?fù)干渥V線間空白區(qū)域為帶隙;橫坐標為波頻率f。為能更全面反映帶隙情況,頻率f取值范圍較寬。
圖2 透射率譜圖(a=3 cm, T1= T2=1, T3=2)
對比圖2(a)、圖2(c)看出,簡單晶格透射譜線較密集,帶隙寬度較小,從左至右,前6個帶隙寬度近似相等,約25 kHz。而復(fù)周期結(jié)構(gòu)透射譜線較稀疏,故帶隙被極大拓寬,第二、三帶隙寬度達80 kHz,為簡單晶格結(jié)構(gòu)的3.2倍,稱為巨帶隙,在更高頻率區(qū)亦有類似現(xiàn)象。其機理可解釋為,相比簡單周期,波在一個復(fù)周期內(nèi)傳播時受到更復(fù)雜周期內(nèi)部調(diào)制,該調(diào)制在多層復(fù)周期結(jié)構(gòu)中均有作用,但否能產(chǎn)生寬帶隙,與材料彈性常數(shù)、層數(shù)及各層厚度密切相關(guān),見式(2)、式(3)。而用復(fù)周期結(jié)構(gòu),調(diào)整適當參數(shù),確可獲得較簡單周期寬數(shù)倍的巨帶隙,此為聲子晶體應(yīng)用提供了新設(shè)計思路。此外,該結(jié)構(gòu)可視為由兩套晶格常數(shù)不同的簡單晶格聲子晶體嵌套而成,晶格常數(shù)不同的聲子晶體帶隙結(jié)構(gòu)差異較大,在某些參數(shù)下,不同晶格引起的布拉格反射效應(yīng)發(fā)生作用會增大帶隙。該嵌套疊加結(jié)構(gòu)與將多組聲子晶體按順序復(fù)合效果[15]不同,按順序復(fù)合時波總的傳遞矩陣可視為各組聲子晶體傳遞矩陣順序疊加。而本文結(jié)構(gòu)中波總的傳遞矩陣可視為兩套聲子晶體各層傳遞矩陣元的嵌套疊加,數(shù)學上獲得兩種不同的傳遞矩陣值,導(dǎo)致不同帶隙結(jié)構(gòu)。對比圖2(b)、圖2(d),復(fù)周期結(jié)構(gòu)中橫波帶隙遠寬于簡單晶格結(jié)構(gòu)橫波帶隙,但橫波帶隙較結(jié)構(gòu)中縱波帶隙小很多,主要因為橫波波長較短,滿足布拉格帶隙彈性波頻率下降所致。 除帶隙變寬外,圖2(c)、圖2(d)中亦出現(xiàn)類似缺陷體的局域模,圖2(c)中僅在第一帶隙內(nèi)出現(xiàn)兩個局域模。將其放大發(fā)現(xiàn),局域模①較寬,頻率范圍10.5~14.3 kHz,呈類周期振蕩形態(tài),其透射率峰值為1,表明該頻率范圍內(nèi)波較容沿此局域模透過整個聲子晶體。而局域模②較陡峭,透射率峰值為0.98。圖2(d)中,除①、②兩局域模與圖2(c)類似外,在第二、五、七個帶隙內(nèi)均出現(xiàn)局域模,但③、⑤兩模的透射峰極小,意義不大。復(fù)周期結(jié)構(gòu)出現(xiàn)局域模原因可解釋為兩套周期間互為準缺陷,將此種作用稱準缺陷耦合。準缺陷耦合不但產(chǎn)生傳統(tǒng)缺陷的局域模,亦放大(在某些參數(shù)條件下也可能縮小)縱波及橫波中局域模①的范圍,且可獲得較高透射率。
晶格常數(shù)a及T1,T2,T3與帶隙關(guān)系見表2。巨帶隙易出現(xiàn)在T1>1時,T2及T3主要影響缺陷模的位置與數(shù)量,而a對帶隙寬度、位置及局域模均有影響。圖3為T1>1時,T2=0.5<1及T2=2>1兩種情況縱波透射率譜圖。與圖2(c)對比,圖3(a)、圖3(b)中縱波帶隙范圍進一步拓寬,但T2<1時,第一帶隙內(nèi)局域模數(shù)量增加;T2>1時,第一帶隙內(nèi)除局域模①外,其余局域模消失,轉(zhuǎn)而出現(xiàn)在第二帶隙內(nèi)。橫波變化亦相似。由此可見,復(fù)周期結(jié)構(gòu)可提供更多可調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)參數(shù),更易實現(xiàn)對帶隙及局域模調(diào)控。
表2 結(jié)構(gòu)參數(shù)對帶隙影響
局域模始終伴隨各結(jié)構(gòu)參數(shù)變化出現(xiàn),為聲子晶體在波導(dǎo)領(lǐng)域的應(yīng)用提供了可能。但局域模也會對聲子晶體濾波效應(yīng)產(chǎn)生干擾,尤其低頻區(qū)局域模①因其寬度較大,且始終存在,會嚴重影響聲子晶體低頻濾波效應(yīng),若能針對性控制局域模,會更有利于聲子晶體在器件中應(yīng)用。因此本文探討多種方法調(diào)控局域模,發(fā)現(xiàn)在復(fù)周期間插入另一缺陷層方法最有效,缺陷層位置及厚度對局域模會產(chǎn)生極大影響。選擇高密度鉛材料為缺陷層,物理參數(shù)見表1,缺陷層位于第一~第九個復(fù)周期后某位置。局域模①透射率極值與缺陷層位置及厚度關(guān)系見圖4,橫坐標為缺陷層厚度D與d1的比值,d1及其它結(jié)構(gòu)參數(shù)值同圖2。很明顯,縱波與橫波局域模①的透射率極值均隨缺陷層厚度的增加而減小,尤其缺陷層位于1、3、7、9復(fù)周期后時,透射率極值遠小于其它位置。D/d1=3時,在四位置上縱波與橫波局域模①的透射率極值約0.02,基本可忽略局域模①的影響,對擴大聲子晶體在低頻范圍內(nèi)的應(yīng)用具有重要意義。
在第一復(fù)周期后插入缺陷層時縱波及橫波第一帶隙譜見圖5,D/d1=3,與圖2(c)、圖2(d)相比,缺陷層引入最明顯為基本消除了縱波及橫波中局域模①、②,帶隙變寬及更連續(xù)。第一帶通區(qū)隨頻率的增大,透射率振蕩呈較大衰減,第二帶通區(qū)透射峰值有一定程度下降,橫波變化較縱波更顯著。更高頻率局域模及帶通區(qū)變化亦相似。研究結(jié)果表明,通過改變?nèi)毕輰游恢眉昂穸瓤捎行Э刂凭钟蚰5漠a(chǎn)生及消失。其機理可從兩方面解釋,由數(shù)學角度,引入缺陷層可通過缺陷矩陣實現(xiàn),缺陷層位置或厚度不同時,缺陷矩陣在總傳遞矩陣中位置或數(shù)值亦不同。由于矩陣運算不滿足交換律,故所得結(jié)果不同。由物理角度分析,缺陷層的引入會產(chǎn)生自己局域模,新局域模與原準缺陷耦合產(chǎn)生的局域模相互作用降低(在某些參數(shù)條件下可能增強)某些局域模透射率,將此作用稱缺陷共振,缺陷共振的強弱與新局域模位置及強度密切相關(guān),而新局域模主要由缺陷層厚度及位置決定,故得出上述結(jié)果。
圖3 縱波透射率譜圖(a=3 cm, T3=T1=2)
(1) 本文通過將周期嵌套結(jié)構(gòu)引入一維聲子晶體中,推導(dǎo)出該結(jié)構(gòu)的傳遞矩陣、計算其帶隙特性,獲得透射率譜圖。
(2) 通過內(nèi)周期對波的調(diào)制作用,獲得較傳統(tǒng)簡單晶格結(jié)構(gòu)寬數(shù)倍的巨帶隙,且同時存在于縱波及橫波中。帶隙中橫波局域模多于縱波局域模。巨帶隙易在T1>1時出現(xiàn),而T2、T3主要影響缺陷模位置及數(shù)量, 而a對帶隙寬度、位置及局域模均有影響。
(3) 通過在復(fù)周期間摻入缺陷層鉛,發(fā)現(xiàn)縱波與橫波局域模透射率極值均隨缺陷層厚度的增加而減小,并提出缺陷共振機理,將有助于增強聲子晶體低頻濾波效應(yīng)。
(4) 本文一維周期嵌套結(jié)構(gòu)無論在寬帶隙獲取,或局域模及調(diào)控性均優(yōu)于已有研究結(jié)論。此類聲子晶體應(yīng)用前景會更好。
參 考 文 獻
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