一種RF?LDMOS內(nèi)匹配電路設(shè)計(jì)方法

李賽　從密芳　李科　杜寰

摘 要： 介紹了通過測(cè)試及ADS軟件去嵌入得到RF?LDMOS管芯阻抗的方法，并通過測(cè)試結(jié)果驗(yàn)證其準(zhǔn)確性。介紹了兩種常用的內(nèi)匹配電路形式及其特點(diǎn)，并采用其中一種通過ADS和HFSS兩款仿真軟件實(shí)現(xiàn)一款自主研發(fā)的45 mm 柵寬RF?LDMOS內(nèi)匹配電路，說明了內(nèi)匹配電路設(shè)計(jì)的一般步驟以及MOS電容和鍵合線HFSS仿真實(shí)現(xiàn)。測(cè)試結(jié)果表明，該匹配電路實(shí)現(xiàn)了預(yù)期功能，在工作頻帶內(nèi)得到了較為穩(wěn)定的輸入/輸出阻抗，同時(shí)1 dB壓縮點(diǎn)增益達(dá)到16.5 dB，功率達(dá)到48.9 dBm，器件每毫米柵寬功率密度達(dá)到1.7 W/mm。

關(guān)鍵詞： RF?LDMOS； 內(nèi)匹配電路； MOS電容； 鍵合線

中圖分類號(hào)： TN710?34 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A 文章編號(hào)： 1004?373X（2014）09?0134?04

0 引 言

射頻功率放大器在現(xiàn)代通信設(shè)備中得到很廣泛的應(yīng)用，RF?LDMOS憑借其良好的熱穩(wěn)定性、高增益、高線性、高耐壓、高輸出功率和相對(duì)低廉的成本成為射頻功率放大器的核心部件，其重要性不言而喻。實(shí)踐證明，通過增加管芯柵寬的方法可提高器件的功率輸出，這就使得管芯的輸入/輸出阻抗都很小，如果僅采用外匹配無法充分發(fā)揮管芯的大功率特性，甚至導(dǎo)致功放管振蕩而造成永久性損傷。因此，研究RF?LDMOS內(nèi)匹配電路有著非常重要的現(xiàn)實(shí)意義?，F(xiàn)階段主流內(nèi)匹配解決方案是用MOS電容和鍵合線來完成。

本文針對(duì)一款中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研發(fā)的RF?LDMOS，其工作頻段為1.2～1.4 GHz，為其設(shè)計(jì)了封裝內(nèi)匹配電路，實(shí)現(xiàn)在工作頻段內(nèi)ZS和ZL分別達(dá)到（1.18-j*3.21） Ω和（2.07+j*3.06） Ω，Loadpull測(cè)試結(jié)果表明這款RF?LDMOS的[P1 dB=]48.9 dBm，[G1 dB=]16.5 dB，功率密度達(dá)到1.7 W/mm，說明本文中提及的內(nèi)匹配電路設(shè)計(jì)方法行之有效，具有一定的借鑒意義。

1 內(nèi)匹配電路的設(shè)計(jì)

內(nèi)匹配電路的主要作用是在工作頻帶內(nèi)實(shí)現(xiàn)功放管無條件穩(wěn)定，并且是阻抗值提升達(dá)到應(yīng)用要求。 對(duì)于大柵寬器件而言，直接測(cè)量管芯阻抗難度大，在這里采取間接地方法得到管芯阻抗：在片測(cè)量小柵寬管芯的[S]參數(shù)得到其阻抗值，雖然大柵寬器件阻抗值和小柵寬管芯阻抗值并不是簡(jiǎn)單地倍數(shù)關(guān)系，但是仍然可以用并聯(lián)關(guān)系估算大柵寬管芯阻抗值，然后針對(duì)這個(gè)阻抗值，設(shè)計(jì)一個(gè)內(nèi)匹配電路，通過測(cè)試和對(duì)夾具和該內(nèi)匹配電路去嵌入得到管芯的[S]參數(shù)，即可求得其準(zhǔn)確阻抗值，最后的測(cè)試結(jié)果說明這種方法是行之有效的[1]。本文針對(duì)的這款芯片估算得到的管芯[ZSZL]在1.3 GHz分別為（0.23+j*2.2） Ω和（0.58+j*3.9） Ω，然后通過前述方法得到的輸入/輸出端管芯阻抗見表1。

內(nèi)匹配電路在實(shí)現(xiàn)阻抗轉(zhuǎn)換的同時(shí)必須提供信號(hào)通路，所以主流的單級(jí)匹配電路形式有以下兩種：

圖1所示匹配電路主要應(yīng)用于輸出端匹配，在工作頻帶內(nèi)[L1，][C1]以及器件輸出電容諧振實(shí)現(xiàn)阻抗轉(zhuǎn)換[1]，其中并聯(lián)支路中的電容是濾波電容，其容值必須足夠大，以保證工作頻帶內(nèi)電感有效短路時(shí)能隔離直流分量[2?3]，但有時(shí)管殼空間受到限制，大電容不容易實(shí)現(xiàn)。圖2所示匹配方式并不受這樣的限制，還可以起到低通濾波器的作用，常用于輸入端匹配。本文所針對(duì)的這款RF?LDMOS輸入端就是采用這種匹配方式，因?yàn)楣軞た臻g有限且輸出端阻抗已經(jīng)達(dá)到應(yīng)用要求，故輸出不作匹配。

圖1 電路形式（一）

圖2 電路形式（二）

得到管芯阻抗后，具體設(shè)計(jì)過程由以下幾步組成：

（1） 由鍵合線長(zhǎng)度分布區(qū)間，通過HFSS仿真確定鍵合線電感值分布范圍；

（2） 結(jié)合管殼寄生電容，用ADS優(yōu)化仿真得到最優(yōu)電容電感值；

（3） 用HFSS仿真得到電容尺寸以及鍵合線的形狀、跨度等參數(shù)；

（4） 對(duì)比HFSS，ADS仿真結(jié)果，驗(yàn)證仿真正確性；

（5） 封裝，測(cè)試，分析。

采用的鍵合線直徑為30 μm，放置管芯和電容后，鍵合線跨度從1.5～2.5 mm變化，拱高從0.3～0.6 mm變化，根數(shù)從5～30根變化，得到鍵合線的感值范圍在1.2～1.4 GHz為0.11～0.34 nH。取中心頻點(diǎn)1.3 GHz管芯阻抗（0.12+j*1.0） Ω匹配，ADS優(yōu)化仿真得到[L1=]0.31 nH，[C3=50 pF，][L4=0.21 nH，]匹配后[ZS=]（1.04-j*5.59） Ω，其仿真原理圖及仿真結(jié)果如圖3，圖4所示，該電路在1.2～1.4 GHz的[ZS]分別為：（0.55-j*4.25）～（1.78-j*6.45） Ω。

圖3 ADS仿真原理圖

圖4 ADS仿真得到[S]參數(shù)分布

用于RF?LDMOS封裝的MOS電容由表層金屬鋁，二氧化硅介質(zhì)，高摻雜硅，背面金屬鋁這幾部分組成，電容值計(jì)算公式為：

[C=εrε0Ad] （1）

其中，[εr]為電容介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)；[ε0]為真空絕對(duì)介電常數(shù)；[A]為電容極板面積；[d]為介質(zhì)厚度。內(nèi)匹配電路中的電容總是一端接地，所以其等效電路如圖5所示。其中，[L]為寄生電感；[RS]為代表損耗的寄生電阻，[C1]為金屬板對(duì)地寄生電容，其值相對(duì)[Ceff]很小，通常忽略不計(jì)，[ωSRF]為[Im[1Z1（ω）]=0]時(shí)的角頻率，計(jì)算公式見式（2）～式（4）。

[Ceff=Im[Y11（ω）]ω] （2）

[RS=Re[1Y11（ω）]] （3）

[L=1（ω2SRF×Ceff）] （4）

圖6為MOS電容的HFSS仿真模型[4]，用式（1）計(jì)算，[C=]50 pF，[A=]6 mm×0.42 mm，得到[d=]1.93 μm，然后用HFSS仿真得到的仿真電容值在0.1～3 GHz范圍內(nèi)分布如圖7所示。從圖7可看出，考慮到實(shí)際MOS電容的寄生效應(yīng)，用式（1）計(jì)算得到的電容值是比較準(zhǔn)確的。

圖5 單端接地電容拓?fù)淠Ｐ?/p>

圖6 MOS電容HFSS仿真模型

圖7 計(jì)算值50 pF電容對(duì)應(yīng)HFSS仿真分布

由于金絲有寄生電阻小，電流能力大，穩(wěn)定性好等特性，常被用來作為封裝內(nèi)鍵合線。鍵合線另外一個(gè)作用是給匹配電路提供所需電感值，但到目前為止沒有文章提出準(zhǔn)確的解析模型，只能通過經(jīng)驗(yàn)及仿真得到其感值。鍵合線拓?fù)淠Ｐ腿鐖D8所示，其中，[L]為有效電感，[R]為寄生串聯(lián)電阻，[C1]和[C2]為焊點(diǎn)對(duì)地寄生電容，公式（5）～（8）分別為[L，][C1，][C2]和[R]的計(jì)算公式。

[L=Im1（ω×Y12）] （5）

[C1=Im（Y11+Y12）ω] （6）

[C2=Im（Y22+Y21）ω] （7）

[R=real1Y21] （8）

鍵合線HFSS仿真模型[5]和相應(yīng)仿真值分布如圖9，圖10所示，在小于3 GHz范圍內(nèi)，其感值分布是比較平緩的。

圖8 鍵合線拓?fù)淠Ｐ?/p>

圖9 鍵合線HFSS仿真模型

圖10 鍵合線HFSS仿真電感值

圖11為HFSS仿真圖，圖12為ADS（S（1，1），S（2，1））和HFSS（S（3，3），S（4，3））電路仿真[S]參數(shù)對(duì)比圖，從圖中可看出，兩者相當(dāng)吻合，其中的誤差是HFSS模型中引入的寄生效應(yīng)所致。

圖11 輸入匹配電路仿真模型

2 測(cè)試結(jié)果

按仿真得到的參數(shù)封裝，拿到封裝管后用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試帶夾具的管子小信號(hào)[S]參數(shù)，ADS去嵌入得到各頻點(diǎn)功率管阻抗值見表2，本文中設(shè)計(jì)的匹配電路在工作頻段內(nèi)使阻抗值都有了較大的提升。

圖12 ADS和HFSS仿真結(jié)果對(duì)比

功率管工作在大功率時(shí)的管子阻抗和工作在小信號(hào)狀態(tài)的管子阻抗有較大偏差，所以用Loadpull系統(tǒng)測(cè)試得到的阻抗更準(zhǔn)確。在1.3 GHz，Loadpull測(cè)試得到的最佳阻抗[ZS]和[ZL]分別為（1.18-j*3.21） Ω和（2.07+j*3.06） Ω，在這個(gè)阻抗值下各個(gè)頻點(diǎn)的增益和輸出功率見表3。

表3 各頻點(diǎn)下[P1 dB]和[G1 dB]

[[f] /MHz＼&1 200＼&1 300＼&1 400＼&[P1 dB] /dBm＼&48.9＼&48.07＼&48＼&[G1 dB] /dB＼&16.5＼&19.9＼&18.4＼&]

從表中可看出，輸出功率和增益都達(dá)到了預(yù)期目標(biāo)，器件可以穩(wěn)定工作，這也從側(cè)面反映之前的設(shè)計(jì)是準(zhǔn)確有效的。

3 結(jié) 語

針對(duì)45 mm柵寬RF?LDMOS管芯阻抗低的問題，為其設(shè)計(jì)了封裝內(nèi)匹配電路，驗(yàn)證了去嵌入提取管芯阻抗可行性以及匹配電路設(shè)計(jì)的一般方法。通過測(cè)試驗(yàn)證，此內(nèi)匹配設(shè)計(jì)方法實(shí)現(xiàn)在工作頻段內(nèi)源端阻抗和負(fù)載端阻抗分別達(dá)到（1.18-j*3.21） Ω和（2.07+j*3.06） Ω，并且功放管可以穩(wěn)定工作，達(dá)到預(yù)期設(shè)計(jì)目標(biāo)。在今后如果器件要求更大的柵寬，管芯阻抗會(huì)更低，可以引入螺旋電感，采用多級(jí)匹配的方式實(shí)現(xiàn)阻抗的有效變換。

參考文獻(xiàn)

[1] 陳松麟，梁世光.一種簡(jiǎn)單的[S]參數(shù)去嵌入技術(shù)[J].微波學(xué)報(bào)，2004，20（3）：58?61.

[2] 王鋒，胡善文，張曉東，等.一種用于 RF LDMOS 功率放大器的匹配技術(shù)[J].固體電子學(xué)研究與進(jìn)展，2011，31（2）：159?164.

[3] AAEN P H， PLA J A， BALANIS C A. Modeling techniques suitable for CAD?based design of internal matching networks of high?power RF/microwave transistors [J]. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques， 2006， 54（7）： 3052?3059.

[4] 蘇宏，楊邦朝，任輝，等.微波LTCC內(nèi)埋置電容設(shè)計(jì)與參數(shù)提取[C]//中國(guó)電子學(xué)會(huì)第十四屆電子元件學(xué)術(shù)年會(huì)論文集.西寧：中國(guó)電子學(xué)會(huì)元件分會(huì)，2006：224?228.

[5] EL?RASHID J， TAWK Y. Current distribution in high RF power transistors [D]. [S.l.]： University of G?vle， 2007.

[6] 李為玉.TR組件[S]參數(shù)自動(dòng)測(cè)試軟件的設(shè)計(jì)和應(yīng)用[J].現(xiàn)代電子技術(shù)，2012，35（13）：123?125.

[Ceff=Im[Y11（ω）]ω] （2）

[RS=Re[1Y11（ω）]] （3）

[L=1（ω2SRF×Ceff）] （4）

圖6為MOS電容的HFSS仿真模型[4]，用式（1）計(jì)算，[C=]50 pF，[A=]6 mm×0.42 mm，得到[d=]1.93 μm，然后用HFSS仿真得到的仿真電容值在0.1～3 GHz范圍內(nèi)分布如圖7所示。從圖7可看出，考慮到實(shí)際MOS電容的寄生效應(yīng)，用式（1）計(jì)算得到的電容值是比較準(zhǔn)確的。

圖5 單端接地電容拓?fù)淠Ｐ?/p>

圖6 MOS電容HFSS仿真模型

圖7 計(jì)算值50 pF電容對(duì)應(yīng)HFSS仿真分布

由于金絲有寄生電阻小，電流能力大，穩(wěn)定性好等特性，常被用來作為封裝內(nèi)鍵合線。鍵合線另外一個(gè)作用是給匹配電路提供所需電感值，但到目前為止沒有文章提出準(zhǔn)確的解析模型，只能通過經(jīng)驗(yàn)及仿真得到其感值。鍵合線拓?fù)淠Ｐ腿鐖D8所示，其中，[L]為有效電感，[R]為寄生串聯(lián)電阻，[C1]和[C2]為焊點(diǎn)對(duì)地寄生電容，公式（5）～（8）分別為[L，][C1，][C2]和[R]的計(jì)算公式。

[L=Im1（ω×Y12）] （5）

[C1=Im（Y11+Y12）ω] （6）

[C2=Im（Y22+Y21）ω] （7）

[R=real1Y21] （8）

鍵合線HFSS仿真模型[5]和相應(yīng)仿真值分布如圖9，圖10所示，在小于3 GHz范圍內(nèi)，其感值分布是比較平緩的。

圖8 鍵合線拓?fù)淠Ｐ?/p>

圖9 鍵合線HFSS仿真模型

圖10 鍵合線HFSS仿真電感值

圖11為HFSS仿真圖，圖12為ADS（S（1，1），S（2，1））和HFSS（S（3，3），S（4，3））電路仿真[S]參數(shù)對(duì)比圖，從圖中可看出，兩者相當(dāng)吻合，其中的誤差是HFSS模型中引入的寄生效應(yīng)所致。

圖11 輸入匹配電路仿真模型

2 測(cè)試結(jié)果

按仿真得到的參數(shù)封裝，拿到封裝管后用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試帶夾具的管子小信號(hào)[S]參數(shù)，ADS去嵌入得到各頻點(diǎn)功率管阻抗值見表2，本文中設(shè)計(jì)的匹配電路在工作頻段內(nèi)使阻抗值都有了較大的提升。

圖12 ADS和HFSS仿真結(jié)果對(duì)比

功率管工作在大功率時(shí)的管子阻抗和工作在小信號(hào)狀態(tài)的管子阻抗有較大偏差，所以用Loadpull系統(tǒng)測(cè)試得到的阻抗更準(zhǔn)確。在1.3 GHz，Loadpull測(cè)試得到的最佳阻抗[ZS]和[ZL]分別為（1.18-j*3.21） Ω和（2.07+j*3.06） Ω，在這個(gè)阻抗值下各個(gè)頻點(diǎn)的增益和輸出功率見表3。

表3 各頻點(diǎn)下[P1 dB]和[G1 dB]

[[f] /MHz＼&1 200＼&1 300＼&1 400＼&[P1 dB] /dBm＼&48.9＼&48.07＼&48＼&[G1 dB] /dB＼&16.5＼&19.9＼&18.4＼&]

從表中可看出，輸出功率和增益都達(dá)到了預(yù)期目標(biāo)，器件可以穩(wěn)定工作，這也從側(cè)面反映之前的設(shè)計(jì)是準(zhǔn)確有效的。

3 結(jié) 語

針對(duì)45 mm柵寬RF?LDMOS管芯阻抗低的問題，為其設(shè)計(jì)了封裝內(nèi)匹配電路，驗(yàn)證了去嵌入提取管芯阻抗可行性以及匹配電路設(shè)計(jì)的一般方法。通過測(cè)試驗(yàn)證，此內(nèi)匹配設(shè)計(jì)方法實(shí)現(xiàn)在工作頻段內(nèi)源端阻抗和負(fù)載端阻抗分別達(dá)到（1.18-j*3.21） Ω和（2.07+j*3.06） Ω，并且功放管可以穩(wěn)定工作，達(dá)到預(yù)期設(shè)計(jì)目標(biāo)。在今后如果器件要求更大的柵寬，管芯阻抗會(huì)更低，可以引入螺旋電感，采用多級(jí)匹配的方式實(shí)現(xiàn)阻抗的有效變換。

參考文獻(xiàn)

[1] 陳松麟，梁世光.一種簡(jiǎn)單的[S]參數(shù)去嵌入技術(shù)[J].微波學(xué)報(bào)，2004，20（3）：58?61.

[2] 王鋒，胡善文，張曉東，等.一種用于 RF LDMOS 功率放大器的匹配技術(shù)[J].固體電子學(xué)研究與進(jìn)展，2011，31（2）：159?164.

[3] AAEN P H， PLA J A， BALANIS C A. Modeling techniques suitable for CAD?based design of internal matching networks of high?power RF/microwave transistors [J]. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques， 2006， 54（7）： 3052?3059.

[4] 蘇宏，楊邦朝，任輝，等.微波LTCC內(nèi)埋置電容設(shè)計(jì)與參數(shù)提取[C]//中國(guó)電子學(xué)會(huì)第十四屆電子元件學(xué)術(shù)年會(huì)論文集.西寧：中國(guó)電子學(xué)會(huì)元件分會(huì)，2006：224?228.

[5] EL?RASHID J， TAWK Y. Current distribution in high RF power transistors [D]. [S.l.]： University of G?vle， 2007.

[6] 李為玉.TR組件[S]參數(shù)自動(dòng)測(cè)試軟件的設(shè)計(jì)和應(yīng)用[J].現(xiàn)代電子技術(shù)，2012，35（13）：123?125.

[Ceff=Im[Y11（ω）]ω] （2）

[RS=Re[1Y11（ω）]] （3）

[L=1（ω2SRF×Ceff）] （4）

圖6為MOS電容的HFSS仿真模型[4]，用式（1）計(jì)算，[C=]50 pF，[A=]6 mm×0.42 mm，得到[d=]1.93 μm，然后用HFSS仿真得到的仿真電容值在0.1～3 GHz范圍內(nèi)分布如圖7所示。從圖7可看出，考慮到實(shí)際MOS電容的寄生效應(yīng)，用式（1）計(jì)算得到的電容值是比較準(zhǔn)確的。

圖5 單端接地電容拓?fù)淠Ｐ?/p>

圖6 MOS電容HFSS仿真模型

圖7 計(jì)算值50 pF電容對(duì)應(yīng)HFSS仿真分布

由于金絲有寄生電阻小，電流能力大，穩(wěn)定性好等特性，常被用來作為封裝內(nèi)鍵合線。鍵合線另外一個(gè)作用是給匹配電路提供所需電感值，但到目前為止沒有文章提出準(zhǔn)確的解析模型，只能通過經(jīng)驗(yàn)及仿真得到其感值。鍵合線拓?fù)淠Ｐ腿鐖D8所示，其中，[L]為有效電感，[R]為寄生串聯(lián)電阻，[C1]和[C2]為焊點(diǎn)對(duì)地寄生電容，公式（5）～（8）分別為[L，][C1，][C2]和[R]的計(jì)算公式。

[L=Im1（ω×Y12）] （5）

[C1=Im（Y11+Y12）ω] （6）

[C2=Im（Y22+Y21）ω] （7）

[R=real1Y21] （8）

鍵合線HFSS仿真模型[5]和相應(yīng)仿真值分布如圖9，圖10所示，在小于3 GHz范圍內(nèi)，其感值分布是比較平緩的。

圖8 鍵合線拓?fù)淠Ｐ?/p>

圖9 鍵合線HFSS仿真模型

圖10 鍵合線HFSS仿真電感值

圖11為HFSS仿真圖，圖12為ADS（S（1，1），S（2，1））和HFSS（S（3，3），S（4，3））電路仿真[S]參數(shù)對(duì)比圖，從圖中可看出，兩者相當(dāng)吻合，其中的誤差是HFSS模型中引入的寄生效應(yīng)所致。

圖11 輸入匹配電路仿真模型

2 測(cè)試結(jié)果

按仿真得到的參數(shù)封裝，拿到封裝管后用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試帶夾具的管子小信號(hào)[S]參數(shù)，ADS去嵌入得到各頻點(diǎn)功率管阻抗值見表2，本文中設(shè)計(jì)的匹配電路在工作頻段內(nèi)使阻抗值都有了較大的提升。

圖12 ADS和HFSS仿真結(jié)果對(duì)比

功率管工作在大功率時(shí)的管子阻抗和工作在小信號(hào)狀態(tài)的管子阻抗有較大偏差，所以用Loadpull系統(tǒng)測(cè)試得到的阻抗更準(zhǔn)確。在1.3 GHz，Loadpull測(cè)試得到的最佳阻抗[ZS]和[ZL]分別為（1.18-j*3.21） Ω和（2.07+j*3.06） Ω，在這個(gè)阻抗值下各個(gè)頻點(diǎn)的增益和輸出功率見表3。

表3 各頻點(diǎn)下[P1 dB]和[G1 dB]

[[f] /MHz＼&1 200＼&1 300＼&1 400＼&[P1 dB] /dBm＼&48.9＼&48.07＼&48＼&[G1 dB] /dB＼&16.5＼&19.9＼&18.4＼&]

從表中可看出，輸出功率和增益都達(dá)到了預(yù)期目標(biāo)，器件可以穩(wěn)定工作，這也從側(cè)面反映之前的設(shè)計(jì)是準(zhǔn)確有效的。

3 結(jié) 語

針對(duì)45 mm柵寬RF?LDMOS管芯阻抗低的問題，為其設(shè)計(jì)了封裝內(nèi)匹配電路，驗(yàn)證了去嵌入提取管芯阻抗可行性以及匹配電路設(shè)計(jì)的一般方法。通過測(cè)試驗(yàn)證，此內(nèi)匹配設(shè)計(jì)方法實(shí)現(xiàn)在工作頻段內(nèi)源端阻抗和負(fù)載端阻抗分別達(dá)到（1.18-j*3.21） Ω和（2.07+j*3.06） Ω，并且功放管可以穩(wěn)定工作，達(dá)到預(yù)期設(shè)計(jì)目標(biāo)。在今后如果器件要求更大的柵寬，管芯阻抗會(huì)更低，可以引入螺旋電感，采用多級(jí)匹配的方式實(shí)現(xiàn)阻抗的有效變換。

參考文獻(xiàn)

[1] 陳松麟，梁世光.一種簡(jiǎn)單的[S]參數(shù)去嵌入技術(shù)[J].微波學(xué)報(bào)，2004，20（3）：58?61.

[2] 王鋒，胡善文，張曉東，等.一種用于 RF LDMOS 功率放大器的匹配技術(shù)[J].固體電子學(xué)研究與進(jìn)展，2011，31（2）：159?164.

[3] AAEN P H， PLA J A， BALANIS C A. Modeling techniques suitable for CAD?based design of internal matching networks of high?power RF/microwave transistors [J]. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques， 2006， 54（7）： 3052?3059.

[4] 蘇宏，楊邦朝，任輝，等.微波LTCC內(nèi)埋置電容設(shè)計(jì)與參數(shù)提取[C]//中國(guó)電子學(xué)會(huì)第十四屆電子元件學(xué)術(shù)年會(huì)論文集.西寧：中國(guó)電子學(xué)會(huì)元件分會(huì)，2006：224?228.

[5] EL?RASHID J， TAWK Y. Current distribution in high RF power transistors [D]. [S.l.]： University of G?vle， 2007.

[6] 李為玉.TR組件[S]參數(shù)自動(dòng)測(cè)試軟件的設(shè)計(jì)和應(yīng)用[J].現(xiàn)代電子技術(shù)，2012，35（13）：123?125.