姜文龍,孫繼芳,路 瑩,田小翠,劉姊君,常 喜
(吉林師范大學信息技術學院,吉林 四平 136000)
有機電致發(fā)光器件(Organic Light-emitting Diode,OLED)在全色顯示、固態(tài)照明以及液晶顯示器的背光源等領域都有著較好的應用前景,深受學術界和產(chǎn)業(yè)界的關注[1-4].
白色有機電致發(fā)光器件,按照所用材料發(fā)光性質(zhì)的不同,可分為熒光型、磷光型和熒光/磷光混合型.一般來講,基于熒光材料的白色有機電致發(fā)光器件(WOLEDs)會隨著電流密度的增加,效率下降較快,其優(yōu)點是穩(wěn)定性較好.Chung-Chih Wu等人在2010年曾利用紅綠藍全熒光材料制作了啟亮電壓較低的白色有機電致發(fā)光器件,最大效率為7 cd/A,但隨著電壓的增加,色度變化較大[5].為了利用熒光材料得到色純度好的白光器件,我們課題組采用DPVBi和Rubrene作為發(fā)光層,對白光器件的色度做了大量的研究,制備出的器件在很大的電壓變化范圍內(nèi),色純度基本穩(wěn)定在 x=0.33,y=0.34,存在的問題是效率不高或啟亮電壓較高[6-7],這也是實現(xiàn)實際應用的最大障礙.
而磷光材料能夠同時利用單線態(tài)激子和三線態(tài)激子輻射發(fā)光,內(nèi)量子效率在理論上能夠達到熒光的4 倍,即 100%[8-9].但是,到目前為止,磷光型WOLEDs也存在一些問題,譬如穩(wěn)定性較差,壽命不長等[10].例如,Liudong Hou等人利用 FIrpic作為藍光發(fā)光層,Ir(mppy)3為綠光發(fā)光層,Ir(piq)2(acac)為紅光發(fā)光層,制作了高效率、高亮度的全磷光白光器件[11],但結(jié)構較為復雜,色度隨電壓變化較大,穩(wěn)定性較差.為了充分利用熒光材料的長壽命和磷光材料的高效率,人們設計了熒光/磷光混合型WOLEDs.如,Wenyu Ji等人在2010年,利用熒光和磷光復合發(fā)光制作的白光器件[12],不僅色度較好,而且效率和亮度均較高.2013年,楊惠山用DPVBi、BAlq:Ir(piq)2(acac)和Alq3:QAD分別作為藍色、紅色和綠色發(fā)光層,制備了電流效率為6.1 cd/A,功率效率為3.1 lm/w,亮度為25300 cd/m2的白光器件,雖然色度較穩(wěn)定,但處于黃白光區(qū)[13].在這種熒光/磷光混合型WOLEDs中,為了對單線態(tài)激子和三線態(tài)激子能量的傳遞進行有效的控制,在熒光材料和磷光材料之間,通過引入中間層的方法,能夠獲得高性能的混合型WOLED[14-17].
本文基于熒光材料Rubrene和磷光材料Fir6復合產(chǎn)生白光,引入中間層CBP調(diào)控載流子的復合區(qū)域,利用CdS增強電子注入[18-19],制備了色度較好的白光器件.
采用面積為20mm×25mm,電阻為25 Ω/□的ITO玻璃作為陽極基片.為了確保真空蒸鍍的有機膜的品質(zhì),先后使用丙酮、無水乙醇、去離子水反復擦洗和超聲,之后放入干燥箱中干燥,待50min后取出,送入多源有機分子氣相沉積系統(tǒng)中.被蒸鍍的材料放在可單獨控制溫度的蒸發(fā)源里.藥品蒸鍍過程中,系統(tǒng)真空度保持為3×10-4Pa左右,有機膜的厚度、LiF的厚度和沉積速率均由上海產(chǎn)的FTM-V型石英晶體膜厚儀在線測得.器件的亮度—電流—電壓特性、色坐標以及電致發(fā)光光譜均由計算機控制的Keithley Source 2400和PR655構成的測試系統(tǒng)測得.所有的數(shù)據(jù)測試都在室溫大氣環(huán)境中進行.實驗中所用到的有機材料的化學結(jié)構式如圖1所示.
圖1 實驗所用有機材料的化學結(jié)構式
為了充分發(fā)揮CdS的作用,研究CdS的最佳厚度,將結(jié)構為 ITO/2T-NATA(20nm)/NPB(30nm)/Rubrene(0.1nm)/CBP(3nm)/CBP:Fir6(30:10%nm)/Bphen(40nm)/CdS(xnm)/LiF(0.6nm)/Al的白光器件中的CdS的厚度x分別采用0.0、0.1、0.3、0.5nm.對應器件的編號分別為 A、B、C、D.其中 2T-NATA作為器件的空穴緩沖層,NPB為空穴傳輸層,Rubrene和CBP:Fir6分別為黃色發(fā)光層和藍色發(fā)光層,CBP為激子阻擋層,Bphen為電子傳輸層,CdS為電子注入層.
圖2 器件A~D的電流效率—電流密度曲線
圖2為器件A~D的電流效率—電流密度(EJ)曲線.從E-J曲線我們可以看出,在同一電流密度下,加入光電陰極材料CdS薄層的器件B、C、D比不加CdS的器件A在效率上有很大提高.CdS的厚度為0.3nm的器件C的效率最高.當電流密度為280 mA/cm2的時候,其電流效率為3.875 cd/A.且隨著電流密度的增加,效率衰減也較為緩慢.這表明形成激子的幾率受到電流密度的影響較小.這與Rubrene具有較強的載流子俘獲能力是分不開的.
圖3為器件A~D的亮度—電流密度(L-J)特性曲線.從圖中我們可以看到,隨著電流密度的增加,器件的亮度均隨之增大,且插入CdS薄層的器件B、C、D的亮度和A相比都有相應的改善.在同一電流密度下,器件C的亮度相對較高.在電流密度為384.5 mA/cm2時,器件C的最大亮度為13290 cd/cm2,比沒有加入光電材料CdS的器件A的最大亮度高出2950 cd/cm2.亮度的改善源自于適宜厚度的CdS薄層的引入,使電子注入增加,形成激子的總量提高所造成[19].
圖3 器件A~D的亮度—電流密度曲線
從以上分析得知,當CdS的厚度為0.3nm時,器件的性能最佳.但是器件的發(fā)光顏色偏黃.這主要是由于黃光發(fā)射較強,藍光發(fā)射較弱造成的.為了得到色度較好的白光器件,只有設法增加藍光的發(fā)射.因此在原有器件結(jié)構的基礎上,固定CdS的厚度為0.3nm,然后在摻雜層和Bphen之間增加激子阻擋層0.3nm厚的CBP,制備了結(jié)構為:ITO/2T-NATA(20nm)/NPB(30nm)/Rubrene(0.1nm)/CBP(3nm)/CBP:Fir6(30:10%nm)/CBP(3nm)/Bphen(40nm)/CdS(0.3nm)/LiF(0.6nm)/Al的器件,器件的編號為E.
圖4為二個器件C、E在7 V電壓下的(歸一化)光譜.從圖中可以看到,器件E的藍光部分強度明顯增加,色坐標獲得顯著改善,具體情況見表1.從該表也明確的觀察到器件E的色坐標在7.5 V的電壓下接近于白光等能點.
圖4 器件C、E的電致發(fā)光光譜
圖5為所用材料的能級關系圖.從該圖可以看出摻雜層兩側(cè)分別有M、N層0.3nm厚的CBP.這種結(jié)構有利于增加電子在CBP及其CBP:Fir6層內(nèi)的渡越時間,從而能提高在這一層內(nèi)的激子的形成幾率和數(shù)量,促進了藍光發(fā)射,提高了藍光發(fā)送射強度,從而改善了器件的色度.
表1 器件C和器件E在不同電壓下的色坐標
圖5 器件所用材料之間的能級關系圖
通過實驗證明了0.3nm厚的 CdS薄層對于增強電子注入效果明顯,使器件的亮度和效率獲得了相應的提高.同時,通過兩層激子阻擋層(0.3nm厚的CBP),增強了藍光的發(fā)射,使熒光/磷光白色有機電致發(fā)光器件的色度獲得了較大的改善.
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