復(fù)旦大學(xué)發(fā)現(xiàn)新型二維半導(dǎo)體材料黑磷

復(fù)旦大學(xué)發(fā)現(xiàn)新型二維半導(dǎo)體材料黑磷

近年來(lái) 二維晶體材料因其優(yōu)越的電氣特性 成為半導(dǎo)體材料研究的新方向。繼石墨烯、二硫化鉬之后 在《自然·納米技術(shù)》雜志上 復(fù)旦大學(xué)物理系張遠(yuǎn)波教授課題組發(fā)現(xiàn)了一種新型二維半導(dǎo)體材料——黑磷 并成功制備了相應(yīng)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件 它將有可能替代傳統(tǒng)的硅 成為電子線路的基本材料。

二維晶體是由幾層單原子層堆疊而成的納米厚度的平面晶體 比如大名鼎鼎的石墨烯。但是石墨烯沒(méi)有半導(dǎo)體帶隙 即分隔電子導(dǎo)電能帶 導(dǎo)帶 和非導(dǎo)電能帶 價(jià)帶 之間的無(wú)人禁區(qū) 也就是說(shuō)它難以完成導(dǎo)體和絕緣體之間的轉(zhuǎn)換 不能實(shí)現(xiàn)數(shù)字電路的邏輯開(kāi)與關(guān)。而同樣由單原子層堆疊而成的黑磷 則具有一個(gè)半導(dǎo)體帶隙。

“兩年前中國(guó)科技大學(xué)的陳仙輝教授告訴我他們可以生長(zhǎng)黑磷時(shí) 當(dāng)時(shí)直覺(jué)就告訴我這有可能是一個(gè)很好的半導(dǎo)體材料?！睆堖h(yuǎn)波教授說(shuō) “果然 現(xiàn)在我們把黑磷做成納米厚度的二維晶體后 發(fā)現(xiàn)它有非常好的半導(dǎo)體性質(zhì) 這樣就有可能用在未來(lái)的集成電路里?！彼麄儼l(fā)現(xiàn)黑磷二維晶體有良好的電子遷移率1000 cm2/Vs 還有非常高的漏電流調(diào)制率 是石墨烯的10 000倍 與電子線路的傳統(tǒng)材料硅類似。

除了電性能優(yōu)越以外 黑磷的光學(xué)性能同包括硅和硫化鉬在內(nèi)的其他材料相比也有巨大的優(yōu)勢(shì)。它的半導(dǎo)體帶隙是直接帶隙,即電子導(dǎo)電能帶 導(dǎo)帶 底部 和非導(dǎo)電能帶 價(jià)帶 頂部在同一位置 實(shí)現(xiàn)從非導(dǎo)到導(dǎo)電 電子只需要吸收能量 光能 而傳統(tǒng)的硅或者硫化鉬等都是間接帶隙 不僅需要能量(能帶變化)還要改變動(dòng)量 位置變化 。這意味著黑磷和光可以直接耦合 這個(gè)特性讓黑磷成為未來(lái)光電器件 例如光電傳感器 的一個(gè)備選材料。可以檢測(cè)整個(gè)可見(jiàn)光到近紅外區(qū)域的光譜。

這些初步的研究結(jié)果 遠(yuǎn)沒(méi)有達(dá)到黑磷性能的極限 還有極大的拓展空間。張遠(yuǎn)波教授表示 黑磷還只是一個(gè)剛剛被發(fā)現(xiàn)的材料 現(xiàn)在其前景作任何的推斷都還太 早?！斑@個(gè)材料的很多特性還有待發(fā)掘?！皩?shí)驗(yàn)室將繼續(xù)探索這些特性 并且希望能在現(xiàn)在的基礎(chǔ)上進(jìn)一步提高樣品的質(zhì)量?！睆堖h(yuǎn)波教授說(shuō) “我們正在嘗試的另外一件事是看看能不能把黑磷解離到單原子層。單原子層的黑磷會(huì)有什么不一樣的性質(zhì) 現(xiàn)在還沒(méi)有人知道。”