英飛凌新型 LTE 低噪聲放大器和 LNA Bank讓智能手機(jī)數(shù)據(jù)速率提升高達(dá) 96%，大幅改善用戶體驗(yàn)

英飛凌科技股份公司推出旨在提高智能手機(jī)數(shù)據(jù)速率的全新系列LTE低噪聲放大器(LNA)和四頻LNA Bank。

LTE（也稱為4G）是無(wú)線通信最新標(biāo)準(zhǔn)，支持高達(dá)300 Mbit/s的數(shù)據(jù)速率，而最新的UMTS (3G) 版本僅支持 56 Mbit/s。這使得智能手機(jī)與互聯(lián)網(wǎng)連接的加載時(shí)間大幅縮短，顯著提高智能手機(jī)用戶的舒適性和滿意度。

但是，使用目前的移動(dòng)設(shè)備滿足用戶對(duì)LTE高數(shù)據(jù)速率的期望仍具有挑戰(zhàn)性。射頻前端復(fù)雜度的增加要求使用更多的射頻組件（如射頻開(kāi)關(guān)、雙工器和分路器）。這將導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)的損耗增加并使信噪比(SNR)降低。不僅如此，天線和射頻收發(fā)器之間的距離會(huì)導(dǎo)致額外的線路損耗，而線路損耗也會(huì)對(duì)信噪比 (SNR) 產(chǎn)生負(fù)面影響，進(jìn)而降低數(shù)據(jù)速率。

英飛凌BGA7x1N6和BGM7xxxx4L12系列提供低噪聲系數(shù)、精確的增益和高線性度，可幫助智能手機(jī)設(shè)計(jì)師克服這些困難。這些產(chǎn)品采用英飛凌高級(jí)SiGe（硅鍺）芯片技術(shù)并內(nèi)置ESD保護(hù)。

新型LNA和LNA Bank均可放置于智能手機(jī)的分集和主天線路徑上，可增加系統(tǒng)靈敏度并確保最佳的用戶體驗(yàn)。它們支持的數(shù)據(jù)速率比未配備LNA的解決方案高出96%，可完全開(kāi)發(fā)LTE的潛力。即使在天線隔離度較差并且天線與收發(fā)器之間存在較大線路損耗的情況下，新設(shè)備系列的高線性度仍可確保最佳接收性能。與未配備LNA的系統(tǒng)相比典型靈敏度提高了 3.4 dB，而所需設(shè)備尺寸卻比之前可用的LNA Bank小61% (1.9 mm x 1.1mm)。

咨詢編號(hào)：2014051004