金 虎,陸理科,王 鵬
(1. 蘭州文理學(xué)院師范學(xué)院,甘肅 蘭州 730000;2. 中山大學(xué)光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,廣東 廣州 510275;3. 蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,甘肅 蘭州 730000)
基于回音壁模式WGM的微諧振腔有奇特的線性、非線性光學(xué)性質(zhì),由于大部分光場(chǎng)被封閉在腔內(nèi),腔外的光場(chǎng)為近場(chǎng),是局限于腔表面附近的倏逝波,光場(chǎng)的振幅沿著矢徑方向指數(shù)下降,因此從腔內(nèi)透出到腔外的平均能流為零,這就使WGM微腔具有極高的品質(zhì)因數(shù)和極小的模式體積,導(dǎo)致了各種非線性相互作用的諧振增強(qiáng)[1-3],使其在集成光學(xué)、醫(yī)藥、探測(cè)等領(lǐng)域均有著重要的研究?jī)r(jià)值和應(yīng)用前景。WGM微諧振腔已被廣泛應(yīng)用于光通信系統(tǒng)的密集波分復(fù)用器DWDM中,通過(guò)把一個(gè)或多個(gè)微腔放置于傳輸波導(dǎo)之間,某些特定頻率的光可以耦合進(jìn)入微腔中,從而可以實(shí)現(xiàn)上下話路的信道濾波器或光開關(guān)的功能[4];而WGM的諧振頻率由腔的性質(zhì)(幾何形狀或光學(xué)特性)以及環(huán)境直接決定,所以任何附著在微腔表面的微粒都會(huì)導(dǎo)致WGM諧振頻率的移動(dòng),這一移動(dòng)量與微粒的數(shù)量和質(zhì)量成比例,也與吸收分子的光學(xué)特性有關(guān)[5],這個(gè)特性使WGM微腔可以作為一種新型的光電探測(cè)器,由于WGM探測(cè)器具有極高的靈敏度,很小的體積,低廉的價(jià)格并且不受電磁干擾,很適用于物理或化學(xué)微粒和生物病原體的測(cè)量,使得它在探測(cè)、生命科學(xué)和藥學(xué)的研究方面已經(jīng)成為一種有效的工具[6];WGM諧振腔在熒光效應(yīng)和Raman散射中的影響也被廣泛研究[7-9]。WGM諧振腔的制作工藝簡(jiǎn)單且造價(jià)低廉,與傳統(tǒng)的諧振腔相比,它的小體積同時(shí)也產(chǎn)生了良好的機(jī)械穩(wěn)定性,對(duì)腔的參數(shù)也更易調(diào)控,而這些特點(diǎn)又使其適于集成在光網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中。對(duì)諧振腔的光譜研究非常重要,因?yàn)樗苷_反映出諧振腔的內(nèi)部機(jī)制,WGM諧振腔的光譜特性取決于腔形狀和腔內(nèi)折射率的空間分布,不存在一個(gè)一般通用的解析解法,但許多軸對(duì)稱結(jié)構(gòu)的WGM諧振腔的模式結(jié)構(gòu)和光譜都有數(shù)值解法和近似的解析解法[10-11],本文的計(jì)算和模擬中,采用的是時(shí)域有限差分FDTD方法[12-13]。
在各種幾何形狀的WGM微諧振腔中,圓形微盤是比較好的一種腔結(jié)構(gòu)。它制作簡(jiǎn)單,體積小,易于集成。WGM圓盤微腔利用光在不同折射率材料之間的曲面邊界上發(fā)生內(nèi)全反射,使得符合諧振條件的特定波長(zhǎng)的光得以在微盤內(nèi)繞著微盤壁循環(huán)傳播,而不會(huì)從微盤內(nèi)出射到周圍低折射率的介質(zhì)中去。本文的計(jì)算中,WGM微諧振腔系統(tǒng)中的傳輸波導(dǎo)為基于Si材料的矩形波導(dǎo),波導(dǎo)的寬度w= 0.3 μm,高度h= 0.45 μm,長(zhǎng)度為無(wú)限長(zhǎng)。
一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的圓盤形WGM微諧振腔的結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示,它是由一個(gè)圓盤形微腔和兩條平行放置的傳輸波導(dǎo)組成。其中,圓盤微諧振腔和傳輸波導(dǎo)的材料為Si,折射率n= 3.5??紤]微腔系統(tǒng)的厚度h= 0.45 μm,通過(guò)有效折射率法(EIM)計(jì)算得到其有效折射率為neff= 3.2[14]。整個(gè)系統(tǒng)放置于真空中,真空的折射率為1.0,微盤的半徑為r= 2.5 μm,輸入、輸出波導(dǎo)的寬度均為w= 0.3 μm。
圖1 標(biāo)準(zhǔn)的圓盤形WGM微諧振腔結(jié)構(gòu)示意圖
WGM微諧振腔的耦合效率是由傳輸系數(shù)和耦合系數(shù)共同作用決定的[15]。較大的耦合系數(shù)有利于微腔獲得較高的耦合效率,討論微腔的幾何參數(shù)對(duì)耦合系數(shù)的影響以及Q值的變化情況,目的是要找到一個(gè)優(yōu)化的結(jié)構(gòu)。需要指出的是,耦合系數(shù)應(yīng)該是關(guān)于微腔結(jié)構(gòu)對(duì)稱的,也就是說(shuō),單一次輸入波導(dǎo)AB和微腔之間的耦合輸入系數(shù)應(yīng)該與微腔和輸出波導(dǎo)CD之間的耦合輸出系數(shù)相等,因此在計(jì)算中僅考察輸入波導(dǎo)與微腔的耦合情況。
作為一個(gè)重要的設(shè)計(jì)參數(shù),傳輸波導(dǎo)和微腔之間的間距g可以改變耦合區(qū)域的大小,進(jìn)而改變耦合進(jìn)入諧振腔的能量百分比,即耦合系數(shù),圖2給出了FDTD計(jì)算得到的輸入波導(dǎo)與WGM微腔之間的耦合系數(shù)。圖中考慮的是橫電模的耦合系數(shù),其頻率范圍從175~249 THz的光波的耦合情況。
當(dāng)間距g的大小在0~0.30 μm之間變化時(shí),從圖2(a)可以看到兩個(gè)明顯的變化趨勢(shì),即:耦合系數(shù)會(huì)隨著間距g和頻率f的變化而變化。首先,對(duì)于一個(gè)給定的頻率f,耦合進(jìn)入微腔的光能量隨著間距g的增大而減少,耦合系數(shù)亦呈遞減趨勢(shì)。為了能夠更清楚的看到這一點(diǎn),特抽取圖2(a)中的一個(gè)頻率為f= 201 THz的光波進(jìn)行考察,其耦合系數(shù)隨著間距g的變化情況如圖2(b)所示。隨著g的增加,耦合系數(shù)迅速減小,在g= 0時(shí),即輸入波導(dǎo)緊貼微腔壁的情況,耦合系數(shù)達(dá)59.05%,有一半以上的能量進(jìn)入微腔中,當(dāng)間距增大到g= 0.20 μm時(shí),耦合系數(shù)減小至3.81%。可以看出當(dāng)g在0到0.20 μm范圍內(nèi)變化時(shí),耦合系數(shù)對(duì)間距的變化非常敏感。當(dāng)g> 0.20 μm時(shí),耦合系數(shù)隨著間距g的減小程度趨于緩和。其次對(duì)于一個(gè)給定的間距寬度g,耦合進(jìn)入諧振腔的能量隨著頻率f的增大而減少,耦合系數(shù)隨著頻率f變化是因?yàn)轭l率f越高,相對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)λ越小,其有效間距就越大。另外由耦合系數(shù)曲線隨著間距g的遞減而遞增的規(guī)律也可以看到,即使在g→ 0 的極限情況下,耦合區(qū)域仍然“足夠小”,不會(huì)出現(xiàn)耦合進(jìn)入微腔的能量反耦合進(jìn)入輸入波導(dǎo)的情況。由于耦合系數(shù)是關(guān)于腔結(jié)構(gòu)對(duì)稱的,因此從理論上說(shuō),制作小間距的微諧振腔系統(tǒng)以獲得某一范圍內(nèi)的高耦合系數(shù)的方法是可行的,但由于實(shí)際刻蝕技術(shù)的限制,不可能實(shí)現(xiàn)無(wú)限小的間距。以上FDTD的模擬結(jié)果表明,耦合系數(shù)對(duì)輸入、輸出波導(dǎo)和微腔之間的間距非常敏感。
圖2 (a)微腔和輸入波導(dǎo)之間的間距g和頻率f的變化對(duì)耦合系數(shù)的影響;(b)當(dāng)f = 201 THz時(shí),耦合系數(shù)隨間距g的變化
除了改變間距g之外,耦合系數(shù)還可以通過(guò)改變輸入、輸出波導(dǎo)和微腔的幾何形狀來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié)。下面保持輸出波導(dǎo)不變,改變輸入波導(dǎo)的幾何形狀來(lái)觀察耦合系數(shù)及Q值等基本參數(shù)的變化情況。
如圖3所示,最左邊為標(biāo)準(zhǔn)的圓盤形WGM微諧振腔結(jié)構(gòu),圓盤的半徑r,傳輸波導(dǎo)的寬度w以及材料的有效折射率neff等參數(shù)與前面相同:r= 2.5 μm,w= 0.3 μm,neff= 3.2。從標(biāo)準(zhǔn)的微腔結(jié)構(gòu)出發(fā),彎曲輸入波導(dǎo),衍生出圖3右側(cè)的3種新的變體結(jié)構(gòu),這3種結(jié)構(gòu)分別表示為:結(jié)構(gòu)1、結(jié)構(gòu)2和結(jié)構(gòu)3。這么做主要是為了增加輸入波導(dǎo)和諧振腔之間的耦合區(qū)域,從而達(dá)到提高耦合效率的目的。在這些結(jié)構(gòu)的計(jì)算中,間距g固定為g= 0.23 μm。
圖3 標(biāo)準(zhǔn)的圓盤形WGM微腔結(jié)構(gòu)和3種變體結(jié)構(gòu)
標(biāo)準(zhǔn)的圓盤結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)1、結(jié)構(gòu)2和結(jié)構(gòu)3這4種幾何結(jié)構(gòu)的WGM微腔的耦合系數(shù)隨頻率f的變化如圖4所示。由圖中可以看出,3種變體結(jié)構(gòu)的WGM微腔的耦合系數(shù)均比標(biāo)準(zhǔn)圓形微腔的耦合系數(shù)有明顯提高,且這3種變體結(jié)構(gòu)的耦合系數(shù)相互間的差別不大。整體來(lái)說(shuō),這4種微腔結(jié)構(gòu)的耦合系數(shù)的大小順序?yàn)榻Y(jié)構(gòu)2、結(jié)構(gòu)1、結(jié)構(gòu)3、標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。標(biāo)準(zhǔn)圓盤形結(jié)構(gòu)微腔的耦合區(qū)域最小,因此耦合系數(shù)也最小,結(jié)構(gòu)1和結(jié)構(gòu)2都存在嚴(yán)重的模式不匹配,這種不匹配是由于微腔結(jié)構(gòu)的不對(duì)稱引起的,同時(shí)輸入波導(dǎo)的彎曲也造成波導(dǎo)彎曲損耗增加,但是波導(dǎo)的彎曲大大增加了耦合區(qū)域,這三方面共同作用的結(jié)果使這兩種結(jié)構(gòu)中單次耦合進(jìn)入微腔的能量是最大的,結(jié)構(gòu)3雖然模式匹配,但由于輸入波導(dǎo)呈90°彎曲,彎曲損耗比結(jié)構(gòu)1和結(jié)構(gòu)2大的多,考慮這兩方面的因素,結(jié)構(gòu)3的耦合系數(shù)比前兩者都略低一些,但仍高于標(biāo)準(zhǔn)的圓形結(jié)構(gòu)。結(jié)構(gòu)1、2和3的共同優(yōu)點(diǎn)是:彎曲的輸入波導(dǎo)大大增加了耦合區(qū)域的長(zhǎng)度。
圖4 標(biāo)準(zhǔn)的圓盤形結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)1、結(jié)構(gòu)2和結(jié)構(gòu)3的WGM微腔的耦合系數(shù),其中,g = 0.23 μm
下面再結(jié)合這4種微腔的頻譜更詳細(xì)的分析它們的耦合輸入和輸出問(wèn)題。
標(biāo)準(zhǔn)圓盤形WGM微諧振腔的頻譜如圖5所示。需要說(shuō)明的是,WGM可以用半徑模階數(shù)l,半角模階數(shù)m來(lái)描述[16]。圖5中所標(biāo)示的l= 1為一階模,也就是基模,l= 2為二階模。微腔在這些尖銳的峰值位置產(chǎn)生諧振,光在微腔內(nèi)循環(huán)傳播,不斷地進(jìn)行相干疊加,耦合增強(qiáng),當(dāng)光波每次經(jīng)過(guò)微腔與輸出波導(dǎo)的耦合區(qū)域時(shí),就有一部分光耦合進(jìn)入輸出波導(dǎo),再?gòu)妮敵龆丝贑(見(jiàn)圖1)輸出,圖6是其模場(chǎng)分布圖。
圖5 標(biāo)準(zhǔn)圓盤形WGM微腔的頻譜
圖6 標(biāo)準(zhǔn)的圓盤形WGM微腔的模場(chǎng)分布圖
由圖6(a)可見(jiàn),當(dāng)f1= 195.92 THz (λ1=1.53 μm)時(shí)為一階模,在微腔中WGM沿著腔的內(nèi)壁形成54個(gè)能量極值的橢形花紋,m= 27。同時(shí)也觀察到,耦合進(jìn)入微腔的能量很多,微腔內(nèi)干涉增強(qiáng)的光波沿著腔壁形成了穩(wěn)定規(guī)則的駐波圖案,并且明顯觀察到有光從端口C輸出,在圖中用紅色的圈示出,但是大部分的光仍然留在腔中,這是因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)的圓形WGM微腔結(jié)構(gòu)的單次耦合系數(shù)很小,每次耦合進(jìn)入輸出波導(dǎo)的能量也很少,同時(shí)由于其相位和模式匹配且傳輸波導(dǎo)不存在彎曲損耗,它的Q值比變體結(jié)構(gòu)1、2、3都要高:在f1= 195.92 THz處,Q= 2 552.0。而在圖6(b)中,f2=191.69 THz(λ2=1.57 μm)時(shí)為二階模,WGM在腔內(nèi)形成兩個(gè)圓環(huán)的分布,峰值向圓心處移動(dòng),并且觀察到有能量從輸出端口C輸出,但較一階模式弱。在圖6(c)中,非諧振頻率f3= 194.45 THz(λ3=1.54 μm)處,幾乎沒(méi)有光耦合進(jìn)入諧振腔,絕大部分光從端口B輸出,因此這樣的一個(gè)WGM微腔可以實(shí)現(xiàn)濾波或選頻的功能。
結(jié)構(gòu)1的WGM微諧振腔的結(jié)構(gòu)示意圖如圖7(a)。它是將標(biāo)準(zhǔn)的圓盤形微腔中的輸入直波導(dǎo)在耦合區(qū)域前進(jìn)行了45°的彎曲,彎曲半徑與圓盤的半徑相等,為2.5 μm,即有1/4的微盤圓周被波導(dǎo)“包裹”。這樣的結(jié)構(gòu)使得波導(dǎo)與微腔之間的耦合區(qū)域大大增加,另一方面,輸入波導(dǎo)的彎曲損耗也隨之增大,在尚未進(jìn)入耦合范圍時(shí)有一部分光能就會(huì)被“提前”耗散掉。經(jīng)計(jì)算得到其頻譜如圖7(b)所示。
圖7 (a)結(jié)構(gòu)1的WGM微腔結(jié)構(gòu)示意圖;(b)結(jié)構(gòu)1的頻譜
圖8 結(jié)構(gòu)1的WGM微腔的模場(chǎng)分布圖
圖8為結(jié)構(gòu)1的模場(chǎng)分布圖。結(jié)構(gòu)1中的WGM模場(chǎng)分布規(guī)律與標(biāo)準(zhǔn)的圓盤形WGM微腔相似,由模場(chǎng)分布圖可以看出,雖然增加耦合長(zhǎng)度有利于增大單次耦合進(jìn)入諧振腔的能量百分比,但是由于輸入波導(dǎo)的彎曲而產(chǎn)生了模式不匹配,使得微腔的Q值降低,與標(biāo)準(zhǔn)的圓盤形WGM微腔相比,無(wú)論是一階模(f1= 195.94 THz,λ1= 1.53 μm)還是二階模(f2= 191.69 THz,λ2= 1.57 μm),在結(jié)構(gòu)1中微腔內(nèi)的能量有所減少,進(jìn)而從輸出端口C輸出的能量更少。另外在模擬中也發(fā)現(xiàn),結(jié)構(gòu)1達(dá)到穩(wěn)定耦合所需的時(shí)間比標(biāo)準(zhǔn)的圓盤形WGM微腔更長(zhǎng)。
結(jié)構(gòu)2的WGM微諧振腔的結(jié)構(gòu)示意圖如圖9(a)所示。它與結(jié)構(gòu)1在幾何結(jié)構(gòu)上相似,只是彎曲的位置不同:結(jié)構(gòu)1的波導(dǎo)在耦合區(qū)域前面彎曲,而結(jié)構(gòu)2在耦合區(qū)域之后發(fā)生彎曲,其頻譜如圖9(b)所示。
圖9 (a)結(jié)構(gòu)2的WGM微腔結(jié)構(gòu)示意圖;(b)結(jié)構(gòu)2的頻譜
圖10為結(jié)構(gòu)2的模場(chǎng)分布圖。結(jié)構(gòu)2的模場(chǎng)分布規(guī)律也與標(biāo)準(zhǔn)圓盤形結(jié)構(gòu)和結(jié)構(gòu)1相似,結(jié)合圖4的耦合系數(shù)的計(jì)算可以看出,因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)2和1的耦合區(qū)域大小相等,結(jié)構(gòu)2中單次耦合進(jìn)入微腔內(nèi)的能量與結(jié)構(gòu)1僅有微小差別。并且結(jié)構(gòu)1和2都存在由于輸入波導(dǎo)的彎曲而引起的模式不匹配,這種不匹配使得微腔的Q值有所降低:在結(jié)構(gòu)1中,在f1= 195.94 THz(λ1=1.53 μm)處,Q= 2 126.5;結(jié)構(gòu)2在f1= 195.94 THz(λ1=1.53 μm)處,Q= 2 187.2。但是在結(jié)構(gòu)2中,微腔內(nèi)諧振的光能量增多,進(jìn)而耦合從端口C輸出的光能也增加,尤其是基模的情況。這主要是因?yàn)檩斎氩▽?dǎo)的彎曲發(fā)生在耦合區(qū)域的后半段,在進(jìn)入耦合區(qū)域之前輸入波導(dǎo)仍保持直線的形狀,雖然這種結(jié)構(gòu)仍然不會(huì)改變模式不匹配的狀況,但與結(jié)構(gòu)1相比,結(jié)構(gòu)2能有效阻止彎曲損耗導(dǎo)致的耦合進(jìn)入諧振腔內(nèi)的光能“過(guò)早的”衰減,因此結(jié)構(gòu)2是比結(jié)構(gòu)1更優(yōu)化的一種變體結(jié)構(gòu)。
圖10 結(jié)構(gòu)2的WGM微腔的模場(chǎng)分布圖
結(jié)構(gòu)3的WGM微諧振腔的結(jié)構(gòu)示意圖如圖11(a)。這是一種把結(jié)構(gòu)1和結(jié)構(gòu)2的彎曲結(jié)構(gòu)推向極端的一種結(jié)構(gòu)。在耦合區(qū)域的前后,輸入波導(dǎo)都發(fā)生了45°的彎曲,圓盤形微腔的一半圓周都被輸入波導(dǎo)“包裹”,其頻譜如圖11(b)所示。
圖12為結(jié)構(gòu)3的模場(chǎng)分布圖。結(jié)構(gòu)3的模場(chǎng)分布規(guī)律與標(biāo)準(zhǔn)圓盤結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)1和結(jié)構(gòu)2相似。由于輸入波導(dǎo)呈90°彎曲,彎曲損耗很大,導(dǎo)致這種結(jié)構(gòu)的單次耦合系數(shù)較結(jié)構(gòu)1和2小,但是這種結(jié)構(gòu)的幾何形狀呈對(duì)稱分布,使得耦合進(jìn)入微腔的光波模式匹配,綜合考慮到這兩個(gè)因素的影響,其Q值較前兩種結(jié)構(gòu)的要大些:在f1= 195.94 THz(λ1= 1.53 μm)處,Q= 2 285.2。并且在模擬過(guò)程中也觀察到,結(jié)構(gòu)3用了最長(zhǎng)的時(shí)間才使耦合的模場(chǎng)達(dá)到穩(wěn)定分布,這主要是由于輸入波導(dǎo)的大幅度彎曲造成的。
圖11 (a)結(jié)構(gòu)3WGM微諧振腔結(jié)構(gòu)示意圖;(b)結(jié)構(gòu)3的頻譜
圖12 結(jié)構(gòu)3的WGM微腔的模場(chǎng)分布圖
如前所述,綜合考慮模式的匹配程度和輸入波導(dǎo)的彎曲損耗,這4種結(jié)構(gòu)的WGM微諧振腔的Q值大小順序?yàn)椋簶?biāo)準(zhǔn)圓盤形結(jié)構(gòu)WGM微腔最大,結(jié)構(gòu)3其次,然后才是結(jié)構(gòu)2和結(jié)構(gòu)1。例如選取l= 1時(shí)計(jì)算這4種微腔的Q值,可以得到標(biāo)準(zhǔn)圓盤形結(jié)構(gòu)為2 552.0,結(jié)構(gòu)3為2 285.2,結(jié)構(gòu)2為2 187.2,結(jié)構(gòu)1為2 126.5。Q值按照標(biāo)準(zhǔn)圓盤結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)3、結(jié)構(gòu)2、結(jié)構(gòu)1的順序緩慢降低的原因是:標(biāo)準(zhǔn)圓形微腔結(jié)構(gòu)的模式和相位均匹配且輸入波導(dǎo)的彎曲損耗為0,因此Q值最大,結(jié)構(gòu)1和結(jié)構(gòu)2由于輸入波導(dǎo)的單邊彎曲引起了微腔結(jié)構(gòu)的不對(duì)稱,都存在著嚴(yán)重的模式不匹配,同時(shí)彎曲也造成輸入波導(dǎo)的彎曲損耗增加,因此這兩種結(jié)構(gòu)的Q值在4種結(jié)構(gòu)中最小。結(jié)構(gòu)3圖形對(duì)稱,不存在模式不匹配的問(wèn)題,但由于輸入波導(dǎo)呈90°彎曲,彎曲損耗比結(jié)構(gòu)1和結(jié)構(gòu)2大的多,使得結(jié)構(gòu)3的Q值比標(biāo)準(zhǔn)的圓盤形結(jié)構(gòu)略低一些,又比結(jié)構(gòu)1和結(jié)構(gòu)2高。因此在具體應(yīng)用中,以高品質(zhì)因素為主要目標(biāo)時(shí),優(yōu)先選擇順序依次為:標(biāo)準(zhǔn)圓盤形結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)3、結(jié)構(gòu)2、結(jié)構(gòu)1。
另結(jié)合前面的計(jì)算分析可以看出,這4種結(jié)構(gòu)的Q值和耦合系數(shù)的變化規(guī)律相反:對(duì)于Q值最高的標(biāo)準(zhǔn)圓盤形結(jié)構(gòu),它的耦合系數(shù)最??;而對(duì)于耦合系數(shù)最大的結(jié)構(gòu)2,其Q值又有較大幅度的降低,因此在具體的應(yīng)用中,為了達(dá)到一個(gè)較高的耦合效率,必須在較高的Q值和較大的耦合系數(shù)中進(jìn)行一個(gè)折中的取舍。本文模擬計(jì)算的這4種結(jié)構(gòu)中,結(jié)構(gòu)3的耦合系數(shù)較標(biāo)準(zhǔn)的圓盤形結(jié)構(gòu)大,同時(shí)也可以保持有2 200左右的高Q值,因此,結(jié)構(gòu)3為這4種結(jié)構(gòu)中的優(yōu)化結(jié)構(gòu)。
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