焦 泉,胥善治,楊生勝,秦曉剛,王 鵬*
(1.清華大學(xué)精密儀器系,北京100084;2.蘭州空間技術(shù)物理研究所真空低溫技術(shù)與物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,甘肅蘭州730000)
細(xì)胞貼附是細(xì)胞生長(zhǎng)、遷移、細(xì)胞間連接形成、代謝、分裂、分化和凋亡等組織或腫瘤形成過(guò)程的初始步驟?;谏锓椒ǖ臋z測(cè),如采用標(biāo)記,都是基于終點(diǎn)的檢測(cè),并且會(huì)對(duì)細(xì)胞產(chǎn)生一定影響。細(xì)胞電生理研究采用電學(xué)方法研究細(xì)胞的生理狀態(tài)的改變,其中很重要的一種方法是細(xì)胞電阻抗傳感,它在藥物篩選和臨床診斷方面有很大作用。
細(xì)胞電阻抗傳感檢測(cè)(electriccell-substrate impedance sensing,ECIS)最早是由Giaever 和Keese 兩個(gè)人[1]在1984年提出,細(xì)胞在金電極上貼附生長(zhǎng)會(huì)改變電極溶液的整體阻抗,他們使用細(xì)胞電阻抗來(lái)監(jiān)測(cè)細(xì)胞在金電極上的繁殖和形態(tài)變化,這種方法的特點(diǎn)是實(shí)時(shí)、非侵入式和無(wú)標(biāo)記性。Giaever 和Keese 所使用的測(cè)量電極形式是一個(gè)小面積(3 ×10-4cm2)的工作電極與一個(gè)大面積(2 cm2)的參比電極,測(cè)量4 kHz 頻率下阻抗隨時(shí)間的變化,并建立相應(yīng)的分析模型[2-3]。采用小面積測(cè)量電極進(jìn)行檢測(cè)時(shí),由于電極面積很小,細(xì)胞不容易分布均勻,且每次測(cè)量位置不同會(huì)對(duì)結(jié)果產(chǎn)生很大影響,導(dǎo)致實(shí)驗(yàn)的重復(fù)性較差。而后在1997年Ehert[4]首次全面報(bào)道了叉指電極(IDE)檢測(cè)細(xì)胞行為的研究,相比于小面積的單點(diǎn)電極,叉指電極的覆蓋面積大,實(shí)驗(yàn)重復(fù)性好,多用于細(xì)胞毒理的研究。在細(xì)胞阻抗的研究中,大多使用單頻點(diǎn)下的阻抗隨時(shí)間的變化來(lái)反應(yīng)細(xì)胞的生長(zhǎng)變化,其中就涉及到頻率點(diǎn)的選取問(wèn)題,頻率點(diǎn)的選取,最開(kāi)始Giaever 對(duì)于頻率點(diǎn)的選擇原因沒(méi)有做出說(shuō)明,不同頻率點(diǎn)的選擇對(duì)于結(jié)果會(huì)有影響,其后的研究中,所采用的頻率點(diǎn)選擇方法通常是先測(cè)量一個(gè)寬頻率(通常1 Hz~1 MHz)下的無(wú)細(xì)胞溶液電阻抗譜與有細(xì)胞溶液電阻抗譜,選取細(xì)胞有無(wú)狀態(tài)下阻抗幅值差值最大所在的頻率點(diǎn),測(cè)量該頻率點(diǎn)下細(xì)胞阻抗值隨時(shí)間的變化來(lái)評(píng)定細(xì)胞生長(zhǎng)狀態(tài)[5]。這種方法簡(jiǎn)化了測(cè)量過(guò)程,對(duì)于藥物檢測(cè)也有實(shí)際的作用。
在本研究開(kāi)展的工作中,筆者所采用的電極形式是叉指電極,實(shí)驗(yàn)所測(cè)量數(shù)據(jù)是細(xì)胞溶液的電阻抗譜,由此建立細(xì)胞溶液的等效電路模型,分析模型參數(shù)隨時(shí)間的變化情況,給出細(xì)胞貼附生長(zhǎng)生理變化與等效模型參數(shù)變化之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系,相對(duì)于單頻點(diǎn)的測(cè)量,本研究所使用的方法能夠給出關(guān)于細(xì)胞貼附生長(zhǎng)更加全面的生理信息。
使用電極測(cè)量細(xì)胞阻抗時(shí),首先需分析無(wú)細(xì)胞存在時(shí)電極與溶液之間的阻抗。按照電化學(xué)理論的解釋?zhuān)芤弘娀瘜W(xué)反應(yīng)包含兩個(gè)過(guò)程,一個(gè)是離子從溶液擴(kuò)散在電極界面,這是傳質(zhì)過(guò)程;然后離子在電極上發(fā)生反應(yīng),這是活化過(guò)程。整個(gè)電化學(xué)反應(yīng)模型可以用經(jīng)典Randles 電路表示,該等效電路模型如圖1所示。
圖1 Randles 等效電路模型
Rp和W 一起成為法拉第阻抗,包含的是電化學(xué)反應(yīng)過(guò)程的阻抗。該電路中,Rs和Cdl近似于是理想的電路元件,而Rp和W 阻抗并非是理想的元件,它們與測(cè)試頻率之間還有一定的關(guān)系。
上述基礎(chǔ)等效電路分析的是典型的電化學(xué)反應(yīng)過(guò)程,該過(guò)程中電極與溶液會(huì)發(fā)生氧化還原反應(yīng),而在生物實(shí)驗(yàn)中,由于使用的金電極是惰性電極,電極上基本上不發(fā)生氧化還原反應(yīng),即法拉第阻抗很大。
McAdams[6]等人的研究表明,等效電路可以簡(jiǎn)化為如圖2所示的等效電路模型。
圖2 簡(jiǎn)化后電極溶液界面等效電路模型
根據(jù)圖2 的等效模型可知,即電極溶液界面的阻抗等效為一個(gè)常相角元件CPE,它的阻抗表達(dá)式為:
式中:K—與溶液特性相關(guān)的參數(shù),包括溶液濃度、溶液體積等因素;β—與電極屬性相關(guān)的參數(shù),包括電極的材料、電極表面粗糙度等。
生物細(xì)胞由細(xì)胞膜包裹細(xì)胞液組成,細(xì)胞液含有離子,導(dǎo)電性較好,而細(xì)胞膜是磷脂雙分子結(jié)構(gòu),磷脂雙分子層導(dǎo)電性很差,上面分布著各種類(lèi)型的通道,水分子與離子只能通過(guò)相應(yīng)的特殊通道進(jìn)出細(xì)胞,這導(dǎo)致細(xì)胞膜的導(dǎo)電性很差。而由于水化作用的存在會(huì)使得細(xì)胞膜表面形成雙電層,整體細(xì)胞帶有一定量的靜電荷,最終使得細(xì)胞整體容抗很大、電導(dǎo)很小[7]。文獻(xiàn)[7]表明細(xì)胞整體電容率達(dá)到0.5 μF/cm~1.3 μF/cm,電導(dǎo)率達(dá)到102Ω·cm2~105Ω·cm2。子宮頸癌Hela 細(xì)胞具有貼壁特性,它在培養(yǎng)液中需先貼附到培養(yǎng)器皿的底部器壁上,而后才能進(jìn)行正常生長(zhǎng)繁殖。細(xì)胞接入培養(yǎng)皿初始時(shí)分,細(xì)胞懸浮于溶液中,整體呈球狀,然后開(kāi)始貼附過(guò)程,細(xì)胞與容器底部發(fā)生物理接觸,整體舒展,貼附完成后,細(xì)胞整體呈梭形附著在容器底部,此時(shí)細(xì)胞膜與電極之間的間距達(dá)到10 nm~20 nm。按照此前的研究結(jié)果,細(xì)胞對(duì)電極的貼附會(huì)改變電極流出電流的通路,Giaever 和Keese建立了一個(gè)基于電流流向分布的數(shù)學(xué)解析模型,該模型參數(shù)能夠?qū)崟r(shí)表征細(xì)胞生長(zhǎng)狀態(tài)的變化。
其后,Wengener[8]利用等效電路對(duì)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行了分析,Cho[9]將CPE 模型用于表征細(xì)胞膜阻抗,胡朝穎等[10]提出的等效分析電路如圖3所示。對(duì)比經(jīng)典Randles 等效電路模型,圖3(a)所示模型增加了細(xì)胞電極間隙的阻抗以及細(xì)胞本身的阻抗;圖3(b)所示模型將間隙阻抗與細(xì)胞阻抗統(tǒng)一簡(jiǎn)化成為一個(gè)整體,用于表征由于細(xì)胞存在對(duì)模型整體帶來(lái)的影響。
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圖3 細(xì)胞貼附前后等效電路圖
綜合上述分析,得到的細(xì)胞貼附等效電路模型如圖4所示。
圖4 細(xì)胞貼附叉指電極等效電路
細(xì)胞阻抗測(cè)量裝置主要感應(yīng)部分是叉指金電極,電極的外觀結(jié)構(gòu)圖如圖5所示。其中,電極整體外觀如圖5(a)所示。圖5(a)中,一塊電極上面有4 個(gè)感應(yīng)電極,組成四通道傳感器。單通道電極的形狀和主要結(jié)構(gòu)參數(shù)如圖5(b)所示。主要的參數(shù)有兩個(gè),分別是叉指電極的寬度D 和電極間距W,實(shí)驗(yàn)所用的電極芯片參數(shù)為:D=20 μm,W=100 μm。電極采用微電子加工技術(shù)獲得,在硅玻璃基底上加工出20 μm 厚度的鈦和200 μm 厚度的金,鈦的存在是為了增大金和硅玻璃之間的附著。
圖5 叉指電極外觀結(jié)構(gòu)
為了實(shí)時(shí)培養(yǎng)細(xì)胞和施加電信號(hào),需要增加培養(yǎng)結(jié)構(gòu)和電路連接結(jié)構(gòu),制備完整的細(xì)胞培養(yǎng)腔。細(xì)胞培養(yǎng)整體結(jié)構(gòu)構(gòu)成如圖6所示。
圖6 細(xì)胞培養(yǎng)整體結(jié)構(gòu)
細(xì)胞阻抗譜測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)成圖如圖7所示。細(xì)胞測(cè)量裝置整體置于培養(yǎng)箱中,來(lái)對(duì)細(xì)胞進(jìn)行實(shí)時(shí)地培養(yǎng)和測(cè)量。傳感器芯片通過(guò)杜邦線與電化學(xué)工作站(Parstat 4000)相連,在計(jì)算機(jī)界面上對(duì)Parstat 4000 進(jìn)行控制,使得Parstat 4000 施加幅值為20 mV,頻率為1 Hz~1 MHz 的交流電壓給測(cè)量裝置,響應(yīng)信號(hào)被Parstat 4000 采集后,經(jīng)過(guò)處理,最后得到阻抗譜數(shù)據(jù)。
圖7 細(xì)胞阻抗譜測(cè)試系統(tǒng)
實(shí)驗(yàn)所采用的的細(xì)胞是Hela 細(xì)胞,將Hela 細(xì)胞接種于含有10% 的胎牛血清的DMEM(dulbecco's modified eagle's medium)溶液中。整體測(cè)量裝置置于37 ℃、5% CO2培養(yǎng)箱中培養(yǎng),連續(xù)培養(yǎng)10 h,每隔一小時(shí)測(cè)量一次阻抗譜。在放入培養(yǎng)箱1 h 時(shí)與10 h 時(shí)這兩個(gè)時(shí)刻對(duì)細(xì)胞進(jìn)行顯微拍照。
本研究選取Hela 細(xì)胞為實(shí)驗(yàn)材料。因Hela 細(xì)胞對(duì)表面要求不高,無(wú)需做表面處理即可良好貼附生長(zhǎng),接種細(xì)胞1 h 時(shí)與接種10 h 時(shí)顯微鏡下觀察到的細(xì)胞形態(tài)如圖8所示。由圖8 可知,接入細(xì)胞1 h 時(shí),細(xì)胞多懸浮在電極表面,呈圓形顆粒狀;而在接入細(xì)胞10 h時(shí),細(xì)胞已經(jīng)在電極表面貼附,并且伸展開(kāi)呈單層生長(zhǎng)狀態(tài),細(xì)胞呈梭形狀態(tài)。從細(xì)胞分布來(lái)看,電極區(qū)域與非電極區(qū)域并無(wú)明顯分布差異。
圖8 Hela 細(xì)胞加入芯片后顯微鏡下觀察到的細(xì)胞形態(tài)
本研究測(cè)量0 h~10 h 的阻抗譜,每隔1 h 測(cè)量一次,總共得到11 組數(shù)據(jù)。筆者使用圖4所示等效電路對(duì)第一組數(shù)據(jù)進(jìn)行非線性最小二乘擬合,在高頻區(qū)段,實(shí)際測(cè)量相角出現(xiàn)負(fù)值,而圖4 等效電路不會(huì)出現(xiàn)該種狀況。
圖9 修正后的細(xì)胞溶液阻抗譜等效電路圖
針對(duì)修正前后的等效電路模型,本研究對(duì)0 h 時(shí)的阻抗譜數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合,兩次擬合結(jié)果的比較情況如表1所示。對(duì)比結(jié)果可知,修正模型的擬合結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)差遠(yuǎn)小于原模型,擬合效果更優(yōu),即選用修正模型能夠更好地?cái)M合實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。
表1 初始模型與修正模型擬合結(jié)果參數(shù)對(duì)比
本研究使用修正模型對(duì)測(cè)量的11 組數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合,得到不同時(shí)刻的7 個(gè)模型參數(shù),以10 h 時(shí)的參數(shù)為標(biāo)準(zhǔn)參數(shù),將0 h~10 h 的模型參數(shù)與之相除,得到標(biāo)準(zhǔn)化的模型參數(shù),繪制標(biāo)準(zhǔn)化模型參數(shù)與時(shí)間的關(guān)系,如圖10所示。
圖10 阻抗譜等效電路模型標(biāo)準(zhǔn)化參數(shù)的變化
整體上將參數(shù)分為兩組:第一組參數(shù)反映電極和溶液的固有性質(zhì),包含L、Rs、K、β;第二組參數(shù)反映細(xì)胞帶來(lái)的影響,包含R1、K1和β1。
第一組參數(shù)中,參數(shù)變化分成兩種。參數(shù)L 開(kāi)始變化很大,可能是由于培養(yǎng)溫度變化引起,其后7 h 保持平穩(wěn),最后2 h 上升可能是線路抖動(dòng)產(chǎn)生。另外3個(gè)參數(shù)Rs,K,β 全過(guò)程變化不超過(guò)5%,這3 個(gè)參數(shù)反映的是溶液電極固有性質(zhì),在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,電極本身沒(méi)有變化,細(xì)胞生長(zhǎng)消耗了培養(yǎng)液中的營(yíng)養(yǎng)物質(zhì),而細(xì)胞內(nèi)外離子濃度保持平衡,培養(yǎng)液的電特性不變,所以這幾個(gè)參數(shù)變化不大。
第二組參數(shù)R1、K1,β1變化明顯。如圖10所示,3個(gè)參數(shù)隨時(shí)間是一個(gè)線性變化過(guò)程,因此可以用3 個(gè)參數(shù)的變化來(lái)反應(yīng)細(xì)胞的生長(zhǎng)貼附狀況。細(xì)胞本身相當(dāng)于一個(gè)容性元件,溶液相當(dāng)于阻性元件,故R1反應(yīng)的是細(xì)胞與電極之間溶液的變化,電流流向與電極表面平行,由于貼附,導(dǎo)致間隙溶液的橫截面減小,電阻增大。細(xì)胞貼附過(guò)程,細(xì)胞本身形狀變扁,類(lèi)比于平板電容,電容值與面積成正比,與電極間距成反比,由于細(xì)胞變扁,細(xì)胞附著在電極上的膜與未附著的膜之間距離變小,而面積變大,最終K1值增大,β1減小。
本研究組裝出了能實(shí)時(shí)、連續(xù)獲得細(xì)胞電阻抗譜的測(cè)量裝置。
實(shí)際HeLa 細(xì)胞實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,細(xì)胞阻抗測(cè)量裝置能夠?qū)?xì)胞貼附進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè),為細(xì)胞電生理如細(xì)胞活性檢測(cè)盒藥物篩選等提供了一種無(wú)損、快速的方案。同時(shí),針對(duì)實(shí)驗(yàn)中獲得的阻抗譜數(shù)據(jù),筆者使用等效電路對(duì)其分析,提出修正等效電路模型,用于分析細(xì)胞貼附過(guò)程生理改變。相較于單頻點(diǎn)阻抗變化,該方法提供了更全面的細(xì)胞生理信息。
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