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    一種大電流寬頻帶跨導(dǎo)單元的設(shè)計(jì)

    2014-01-17 05:45:54杜一騰遲宗濤
    電子設(shè)計(jì)工程 2014年23期
    關(guān)鍵詞:跨導(dǎo)輸出阻抗集電極

    杜一騰,遲宗濤

    (青島大學(xué) 山東 青島 266071)

    在實(shí)驗(yàn)室里,已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了一種大電流功率放大器模型,也是一種聲頻放大器的改進(jìn)版,基本放大器能提供在±35 V范圍內(nèi)達(dá)到20 A的電流。功率放大器的設(shè)計(jì)是為了得到大開環(huán)增益帶寬,而輸出阻抗因?yàn)楣苍摧敵龇糯蠹壎档?,這樣就減小了整個(gè)電流放大器的輸出阻抗。這種問題的存在需要用不同的概念來重新設(shè)計(jì)電流放大器的結(jié)構(gòu)去解決,本設(shè)計(jì)采用了并聯(lián)的電流單元,同時(shí)把研究重點(diǎn)放在寬頻帶、大電流的跨導(dǎo)單元的設(shè)計(jì)上來,這種跨導(dǎo)單元就有更高的開環(huán)增益和輸出阻抗。

    1 設(shè)計(jì)理論

    在先前的設(shè)計(jì)中,輸出電流減小到最大5 A,另外加入了一些額外的電路,包含了輸出端的電流檢測電阻,接在此檢流電阻(分流器)上的精密差分放大器和在它之前起隔離作用、穩(wěn)定放大倍數(shù)的電壓跟隨器。加在檢流電阻RS上的電壓經(jīng)差分放大后,通過電阻R2反饋到輸入端,在運(yùn)算放大器的輸入端與輸入電壓進(jìn)行比較[1],跨導(dǎo)放大器的原理簡圖如圖1所示。

    測得先前的設(shè)計(jì)中輸出阻抗在頻率50 Hz時(shí)大約是1.2 kΩ,當(dāng)頻率上升到10 kΩ時(shí),輸出阻抗下降到40Ω。若加入一個(gè)電流負(fù)反饋,那么輸出阻抗可以由下式計(jì)算:

    圖1 跨導(dǎo)放大器原理簡圖Fig.1 Simplified schematics of transconductance amplifier

    其中ZOA是運(yùn)算放大器A的輸出阻抗,AO是放大器的開環(huán)增益,β為反饋系數(shù),可以看到輸出阻抗由三者決定。運(yùn)放的輸出阻抗ZOA因?yàn)楣采漭敵黾壎艿?,反饋系?shù)β取決于差分放大器AD的共模抑制比 (CMRR),它隨頻率升高而減小,這樣就減小了整個(gè)電流放大器的輸出阻抗。

    若采用如圖2所示,有更高開環(huán)增益和輸出阻抗的采用電流鏡單元的跨導(dǎo)放大器,這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是:每一個(gè)單元內(nèi)控制器件的工作電流為最大峰值輸出電流的十分之一,而不需要單級電源電路去控制整個(gè)輸出電流。因此,總功率均勻耗散在每個(gè)單元中。另外,多個(gè)單元分流的設(shè)計(jì)的好處是在輸出電路中不需要一個(gè)低阻值檢流電阻就可以檢測電流,而且系統(tǒng)的帶寬與所并單元個(gè)數(shù)無關(guān)[2]。

    圖2 并聯(lián)電流鏡單元的跨導(dǎo)放大器簡圖Fig.2 Simplified schematics of transconductance amplifier with paralleled current mirrors

    2 改進(jìn)的跨導(dǎo)單元設(shè)計(jì)

    如表1所示,理想的跨導(dǎo)放大器有無窮大的輸入和輸出電阻,共射放大級給跨導(dǎo)單元提供了合適值,正是因?yàn)樗泻艽蟮妮斎牒洼敵鲎杩埂?/p>

    表1 各種類型的理想放大器的輸入輸出電阻Tab.1 Input and output resistances of different ideal amplifier type

    在共射放大級的集電極輸出阻抗ZO由下式給定[3]:

    這中情況是共源共柵放大器中的共射、共基連接中的典型形式,其中,信號的特征決定了Zcb的值,Zcb的值展現(xiàn)了在大信號環(huán)境下,特別是隨著頻率下降的情況下的主要失真原因。

    如果設(shè)計(jì)一個(gè)結(jié)構(gòu)增加基極電流到集電極電流并且不在集電極上帶來額外負(fù)載,那么上面的影響就能減到最低。這樣,集電極輸出阻抗的表達(dá)式就變?yōu)?/p>

    而且

    3 改進(jìn)的前饋和反饋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

    下面討論的是使Zce和Zcb減小的前饋、反饋拓?fù)鋯卧眚?yàn)證上面提出的理論。圖3所示是其中一種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):

    圖3 改進(jìn)的共源共柵模型電路Fig.3 Enhanced circuit of cascade model

    Q2和Q3組合是達(dá)林頓管的正反饋結(jié)構(gòu)的一種派生結(jié)構(gòu)。在這里,達(dá)林頓管的所有優(yōu)點(diǎn)被保留,但是有一個(gè)很大的不同是:兩個(gè)三極管的Uce變化非常小,只有Q1的集電極在整個(gè)量程輸出電壓里擺動(dòng)。如果使用傳統(tǒng)的沒有共基級的達(dá)林頓連接,兩個(gè)三極管將會(huì)直接同輸出相連。在大信號激勵(lì)的情況下,他們兩個(gè)將會(huì)增加一個(gè)很大程度的斜率失真,這個(gè)模型的優(yōu)點(diǎn)是將共基極的基極電流返回到共射級的發(fā)射級,當(dāng)Zce和Zcb是非線性時(shí),這種改進(jìn)結(jié)構(gòu)的電流通路表現(xiàn)得更加穩(wěn)定。

    表2所示是通過測量采用了圖3的改進(jìn)型輸出級和通用共發(fā)射極互補(bǔ)輸出級的THD(總諧波失真)來驗(yàn)證設(shè)計(jì)效果。兩種模型都沒有整體反饋的加入,所以增益只由輸出端的電阻決定。相同的電路也可以應(yīng)用到聲頻放大器,來驅(qū)動(dòng)輸出端的功率MOSFET。

    表2 達(dá)林頓和共源共柵輸出模型的THD測量值Tab.2 Measured THD value of Darlington and cascade output models

    4 跨導(dǎo)單元的PSpice模型

    圖 4所示是 BJT型跨導(dǎo)單元的 PSpice模型,Q3、Q5、Q6和 Q7、Q8、Q10組 成 了增益為 20 dB 的輸 入 緩 沖級 ,Q1、Q2、Q4和 Q9、Q11、Q12組成了輸出級[4],模型在 0.1 Ω 到 100 kΩ 負(fù)載下測試。

    在PSpice模型特性里的戴維南模型[5]里,可以計(jì)算在兩個(gè)不同的頻率點(diǎn)(直流和1 kHz)的輸出阻抗,將輸出級末端的兩個(gè)BJT三極管的管型換為MOSFET再進(jìn)行測量,兩種模型結(jié)果分別如圖5和圖6所示。放大器的輸出阻抗可由下式計(jì)算:

    圖4 BJT型跨導(dǎo)單元的PSpice模型Fig.4 PSpice model of BJT transconductance cell

    其中,zL是負(fù)載阻抗,iA是放大器的最大電流,iL是負(fù)載電流。同樣使用100 kΩ的負(fù)載,兩個(gè)模型的最大不同之處是:BJT模型的輸出阻抗計(jì)算約為25 kΩ,而使用MOSFET的模型輸出級的輸出阻抗在1 MΩ以上的很理想的值。另一個(gè)不同是在開環(huán)帶寬上,BJT模型的帶寬 (-3dB@106kHz)比MOSFET 放大級(-3db@19kHz)要寬。

    圖5 BJT跨導(dǎo)單元模型的開環(huán)增益和相頻特性Fig.5 Open-loop gain and phase-frequency curves of BJT transconductance cell model

    圖6 MOSFET跨導(dǎo)單元模型的開環(huán)增益和相頻特性Fig.6 Open-loop gain and phase-frequency curves of MOSFET transconductance cell model

    5 結(jié)束語

    文中展示了一種改進(jìn)增強(qiáng)的共源共柵拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的跨導(dǎo)單元設(shè)計(jì),并通過PSpice[7]仿真驗(yàn)證了設(shè)計(jì)的可行性。在實(shí)際的跨導(dǎo)單元中,因子β決定于差分放大器的共模抑制比,跨導(dǎo)單元的輸出阻抗同共模抑制比一樣,都是隨頻率降低,若加入適當(dāng)?shù)牟罘址糯箅娐?,可以改善在電流檢測級的共模抑制比低的問題[6],同時(shí),除了文中仿真的兩種類型的輸出元件,還可以用IGBT替代。

    [1]王景元.跨導(dǎo)放大器的設(shè)計(jì)與研究[J].電測與儀表,1994,31(7):9-11.WANG Jing-yuan.Design and research on transconductance amplifier[J].Electrical Measurement&Instrumentation,1994,31(7):9-11.

    [2]Laug O B.A 100 A,100 kHz transconductance amplifier[J].Instrumentation and Measurement, IEEE Transactions on,1996,45(2):440-444.

    [3]Hawksford M J.Reduction of transistor slope impedance dependent distortion in large-signal amplifiers[J].Journal of the Audio Engineering Society,1988,36(4):213-222.

    [4]鈴木雅臣.晶體管電路設(shè)計(jì)[M].北京:科學(xué)出版社,2004.

    [5]李世瓊,宗偉.基于PSpice的電路計(jì)算機(jī)輔助分析[M].北京:中國電力出版社,2007.

    [6]Owen B.Laug,圓方.大電流寬頻帶跨導(dǎo)放大器[J].國外計(jì)量,1990(6):40-42.Owen B.Laug,YUANFang.Large current wide-band transconductance amplifier[J].Abroad Measurement,1990(6):40-42.

    [7]孫旭,王利民,張喜波.Tesla變壓器初級電流分布優(yōu)化[J].現(xiàn)代應(yīng)用物理,2014(3):196-200.SUN Xu,WANG Li-min,ZHANG Xi-bo.Tesla transformer primary current distribution optimization[J].Modern Applied Physics,2014(3):196-200.

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