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      基于Multisim的西勒振蕩器設(shè)計(jì)與仿真

      2014-01-16 05:26:28王海梅侯艷紅
      電子設(shè)計(jì)工程 2014年24期
      關(guān)鍵詞:晶體管穩(wěn)定度波形

      王海梅,侯艷紅

      (陜西國(guó)防工業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院 陜西 西安710300)

      高職高專高頻電子線路是電子通信類專業(yè)的技術(shù)基礎(chǔ)課程之一,涉及到通信系統(tǒng)中高頻單元電路的功能、結(jié)構(gòu)及性能分析等理論知識(shí),同時(shí)也具有培養(yǎng)學(xué)生高頻電路設(shè)計(jì)實(shí)踐教學(xué)能力的目的[1]。該課程正弦波振蕩器部分理論較抽象,借助實(shí)踐環(huán)節(jié)演示不同振蕩器的原理、特點(diǎn)、電路結(jié)構(gòu)等較難實(shí)現(xiàn),大部分學(xué)生接受知識(shí)效果差,設(shè)計(jì)電路費(fèi)勁且不知道如何仿真分析。文中以Multisim 10為平臺(tái)[2],設(shè)計(jì)了振蕩頻率為404.978 kHz,峰峰值為8.00 V的西勒振蕩器電路,分析了參數(shù)調(diào)整引起的電路特性變化規(guī)律。Multisim電路仿真軟件引入到理論教學(xué)中,既加深了學(xué)生對(duì)理論知識(shí)的理解,又激發(fā)了學(xué)生利用仿真平臺(tái)進(jìn)行電路設(shè)計(jì)的積極性,進(jìn)而起到了聯(lián)系理論學(xué)習(xí)和實(shí)踐能力培養(yǎng)的紐帶作用[3]。

      1 電路設(shè)計(jì)

      振蕩器主要由放大電路、選頻電路和反饋電路組成,只有同時(shí)滿足振幅和相位平衡條件,系統(tǒng)才有可能產(chǎn)生振蕩[4]。西勒振蕩器原理圖如圖1所示。

      1.1 靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)計(jì)

      圖1 西勒振蕩器原理圖Fig.1 Schematic Seiler oscillator

      一般原則是在滿足起振條件下應(yīng)選擇較低的工作點(diǎn),振蕩電路起振后,振幅增大,振蕩將在截止區(qū)進(jìn)入振幅穩(wěn)定狀態(tài),不致使振蕩回路Q值減小,振蕩波形好。一般小功率振蕩器的ICO為(0.5~5)mA之間選取,本設(shè)計(jì)選ICQ為1.15 mA,VCEQ=9.7 V,β=50。 經(jīng)計(jì)算:

      取RE=2 kΩ,高頻扼流圈LC以避免高頻信號(hào)被旁路,且為晶體管集電極構(gòu)成直流通路。一般取流過(guò)R2的電流為(5~10)IBO。

      求得 R2=5.1 kΩ,R1=15 kΩ。

      1.2 振蕩電路設(shè)計(jì)

      振蕩回路參數(shù)的選擇主要根據(jù)振蕩頻率、起振條件和振蕩波形確定。一般振蕩頻率在幾兆赫茲以下的LC回路,C值可選幾皮法,振蕩頻率在幾十兆赫茲時(shí),C值可選為幾十皮法;為了取得振蕩頻率的穩(wěn)定,C值應(yīng)取得大些,以減小晶體管極間電容和引線寄生電容的影響。然而,C值取得過(guò)大,會(huì)使振蕩回路的Q值和諧振阻抗降低,電路的負(fù)載能力和振蕩振幅減小,導(dǎo)致波形變壞。確定了C后,由振蕩頻率計(jì)算公式可計(jì)算電感L的值。為方便觀察參數(shù)變化引起的電路特性變化,本設(shè)計(jì)取 C4max=470 pF,L=1 mH。 為滿足 C1》C3,C2》C3,取C1=1 nF,C2=33 nF,C3=47 pF。

      作為可變?cè)鲆嫫骷娜龢O管,必須由偏置電路設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn),以保證起振時(shí)工作在放大區(qū),提供足夠的增益,滿足振幅起振條件[5]。從穩(wěn)頻的角度出發(fā),應(yīng)選擇特征頻率fT較高的晶體管,這樣晶體管內(nèi)部相移較小,通常選擇fT>(3~10)fmax,同時(shí)希望電流放大系數(shù)β大些,既容易振蕩,也便于減小晶體管和諧振回路之間的耦合,以保證電路的選頻性能和穩(wěn)頻性能[6]。晶體管選擇2N2222或2N2369,負(fù)載端接入探針,運(yùn)用Multisim 10.1設(shè)計(jì)的西勒振蕩器如圖2所示。

      圖2 基于Multisim 10.1的西勒振蕩器Fig.2 Seiler oscillator based on Multisim 10.1

      說(shuō)明幾點(diǎn),可以改變Multisim 10.1界面下電路原理圖連接線顏色(系統(tǒng)默認(rèn)是桔紅色),方法是單擊擬變色線條,點(diǎn)擊鼠標(biāo)右鍵,選“改變顏色”;可改變示波器、記錄儀背景色(系統(tǒng)默認(rèn)是黑色),為方便打印,常選擇示波器界面“反向”按鈕,記錄儀界面“Reverse Colors”菜單;選擇記錄儀“Show/Hide Cursors”菜單,可查看示波器被接入通道的精確參數(shù)值。

      2 Multisim 10.1仿真分析

      2.1 仿真結(jié)果

      Multisim 10.1界面下點(diǎn)擊“運(yùn)行”按鈕,適當(dāng)調(diào)整各儀表參數(shù)值即可進(jìn)行仿真。圖2的頻率計(jì)設(shè)置參數(shù)是:測(cè)量頻率,AC耦合,靈敏度1 V,觸發(fā)電平0 V。示波器參數(shù)是:時(shí)間軸比例2 ms/DIV、通道A 5 V/DIV,適當(dāng)調(diào)整X、Y位置。仿真穩(wěn)幅時(shí),探針上各量數(shù)值是:電壓峰值7.98 V、電流峰值3.99 mA、電壓有效值2.82 V、電流有效值1.41 mA、頻率405 kHz。頻率計(jì)顯示數(shù)值為404.978 kHz。仿真結(jié)果與設(shè)計(jì)基本一致。不接入R4時(shí)的仿真輸出波形如圖3(a)所示。對(duì)應(yīng)圖3(a)的通道A參數(shù)值如圖3(b)所示。

      圖3 基于Multisim 10.1的仿真結(jié)果Fig.3 Simulation results based on Multisim 10.1

      要想得知圖2的較高精度頻率、電壓峰峰值參數(shù),可借助仿真界面上“記錄儀/分析列表”、“Show/Hide Cursors”兩個(gè)菜單進(jìn)行分析。圖3對(duì)應(yīng)的記錄儀/分析列表結(jié)果如圖4所示。 周期 T1=9.084 5n-9.0816 n=2.90×10-6s,T2=9.086 48 m-9.084 50 m=1.98×10-6s,T=(T1+T2)/2=2.44×10-6s, 則 f=1/T=409.84 kHz,由圖 3(b)可知通道 A的 Vp=3.990 3-(-4.061 5)=8.05 V。采用多次求平均值方法可使分析值更接近設(shè)計(jì)值??梢?jiàn),分析值、仿真結(jié)果基本達(dá)到設(shè)計(jì)要求。

      圖4 記錄儀波形Fig.4 Recorder waveform

      2.2 特性分析

      2.2.1 頻率特性

      頻率是靠調(diào)節(jié)C4來(lái)改變的,所以C3不能選得過(guò)大,否則振蕩頻率主要由C3和L決定,因而將限制頻率調(diào)節(jié)的范圍。這種電路之所以穩(wěn)定度高,就是靠在電路中串有遠(yuǎn)小于C1、C2的C3來(lái)實(shí)現(xiàn)的。若增大C3,該電路就失去了頻率穩(wěn)定度高的優(yōu)點(diǎn)。反之,C3選的太小的缺點(diǎn)是,使接入系數(shù)Pce降低,振蕩幅度就比較小了[7]。通過(guò)Multisim 10.1仿真可知,隨C4接入比例逐漸增大,輸出信號(hào)頻率逐漸減小,但輸出波形振幅保持8.00 V不變。

      2.2.2 反饋特性

      通過(guò)調(diào)整電容C2值可以觀察電路的反饋特性,數(shù)據(jù)記錄如表1所示。隨著電容C2值逐漸增大,保證振蕩幅度的穩(wěn)定,輸出信號(hào)振幅逐漸減小,起振直至進(jìn)入平衡狀態(tài)所需的時(shí)間加長(zhǎng)。因?yàn)镃3是固定電容,所以諧振回路反映到晶體管輸出端的等效負(fù)載變化緩慢;C1不變,隨C2值增大,故反饋系數(shù)減小。

      表1 反饋特性Tab.1 Feedback characteristics

      C2=10 nF、40 nF 時(shí)的仿真輸出波形如圖 5(a)、(b)所示。

      2.2.3 負(fù)載特性

      調(diào)整可變電阻R4的接入比例,能夠改變振蕩器的負(fù)載大小,記錄表2所示數(shù)據(jù)。R4的接入比例越大,輸出信號(hào)峰峰值越大,頻率基本保持不變。當(dāng)R4接入電路超過(guò)50%后,振蕩頻率相對(duì)不穩(wěn)定,輸出正弦波波形平滑度降低,呈現(xiàn)較多毛刺,波形失真。當(dāng)輸出正弦波形失真時(shí),還應(yīng)在Multisim下進(jìn)行交流分析和噪聲分析。

      圖5 改變C2參數(shù)效果圖Fig.5 Effect chart changed the C2parameter

      “交流分析”用來(lái)計(jì)算線性電路的頻率響應(yīng)。在交流分析中,首先通過(guò)直流工作點(diǎn)分析計(jì)算所有非線性元件的線性、小信號(hào)模型,然后建立一個(gè)包含實(shí)際和理想元件的復(fù)矩陣。所有的輸入源信號(hào)都將用設(shè)定頻率的正弦信號(hào)代替。在進(jìn)行交流分析時(shí),電路信號(hào)源的屬性設(shè)置中必須設(shè)置交流分析的幅值和相角,否則電路將會(huì)提示出錯(cuò)[8]?!霸肼暦治觥敝冈肼晫?duì)電路的影響。噪聲是減小信號(hào)質(zhì)量的電的或電磁的能量。通過(guò)建立一個(gè)電路的噪聲模型,再進(jìn)行類似于交流分析的仿真分析。Multisim可建立熱噪聲、閃粒噪聲、閃爍噪聲3種噪聲模型。在進(jìn)行仿真分析前,先觀察電路選擇輸入噪聲參考源、輸出節(jié)點(diǎn)和參考點(diǎn)。

      表2 負(fù)載特性Tab.2 The load characteristics

      2.2.4 頻率穩(wěn)定度

      圖1電路的振蕩頻率為f1=404.978 kHz,為了分析西勒振蕩器的頻率穩(wěn)定度的高低,在該電路的電容C2兩端并聯(lián)一個(gè)10 nF的電容,觀察此時(shí)振蕩器振蕩頻率的變化情況,如圖6所示,測(cè)得此時(shí)該電路振蕩頻率為f11=405.067 kHz,該振蕩電路的頻率相對(duì)變化量該參數(shù)為判斷西勒振蕩器的頻率穩(wěn)定度的有效數(shù)據(jù)[9]。

      圖6 并聯(lián)一個(gè)10 nF電容的西勒振蕩器Fig.6 Seiler oscillator and a 10 nF capacitor in parallel

      3 結(jié)論

      使用Multisim 10.1軟件,達(dá)到了設(shè)計(jì)振蕩頻率為404.978 kHz、峰峰值為8.00 V的西勒振蕩器電路的基本要求,通過(guò)調(diào)整相關(guān)參數(shù),直觀分析了頻率特性、反饋特性、負(fù)載特性變化規(guī)律,電路的頻率穩(wěn)定度較好。借助仿真軟件的整個(gè)教學(xué)過(guò)程,形式生動(dòng),學(xué)生興趣濃,積極性高,理解力增強(qiáng),易于接受。Multisim應(yīng)用于高頻電子線路教學(xué)有極大的靈活性和優(yōu)越性。運(yùn)用Multisim軟件設(shè)計(jì)電路,省時(shí)省力省錢,極大地提高了電路設(shè)計(jì)的效率和質(zhì)量[10]。由于西勒電路頻率穩(wěn)定性好,振蕩頻率可以較高,做可變頻率振蕩器時(shí)其頻率覆蓋范圍寬,波段范圍內(nèi)幅度比較平穩(wěn),因此在短波、超短波通信機(jī)、電視接收機(jī)等高頻設(shè)備中得到非常廣泛的應(yīng)用[7]。

      [1]張玉興.射頻模擬電路[M].北京:電子工業(yè)出版社,2003.

      [2]任駿原.微分型單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的Multisim分析[J].電子設(shè)計(jì)工程,2012,20(8):15-19.REN Jun-yuan.Analysis of differential mono stable flip-flop with multisim[J].Electronic Design Engineering,2012,20(8):15-19.

      [3]于波,呂秀麗,李玉爽.Multisim 11在高頻電子線路教學(xué)中的應(yīng)用[J].現(xiàn)代電子技術(shù),2011,34(10):193-195,198.YU Bo,LV Xiu-li,LI Yu-shuang.Application of Multisim 11 in high frequency electronic circuit teaching[J].Modern Electronics Technique,2011,34(10):193-195,198.

      [4]樂(lè)曙光.基于Multisim的西勒振蕩器設(shè)計(jì)[J].科技與企業(yè),2013(6):343.LE Shu-guang.Design of Seiler oscillator based on Multisim[J].Technology and Business,2013(6):343.

      [5]謝嘉奎,宣月清,馮軍編.電子線路非線性部分[M].4版,高等教育出版社,2000.

      [6]曾素瓊.高頻振蕩器設(shè)計(jì)及其穩(wěn)定度對(duì)比實(shí)驗(yàn)研究[J].電子質(zhì)量,2012(10):64-67,74.ZENG Su-qiong.Experimental studyofhigh frequency oscillator design and its stability comparison[J].Electronics Quality,2012(10):64-67,74.

      [7]王衛(wèi)東.高頻電子電路(第二版)[M].北京:電子工業(yè)出版社,2009.

      [8]周潤(rùn)景,郝曉霞.Multisim&Labview虛擬儀器設(shè)計(jì)技術(shù)[M].北京:北京航空航天大學(xué)出版社,2008.

      [9]劉佳.Multisim應(yīng)用于高頻正弦波振蕩器頻率穩(wěn)定度比較分析[J].中國(guó)電力教育,2012(z1):19-20.LIU Jia.The application of Multisim in high frequency sine wave oscillator frequency stability analysis[J].China Electric Power Education,2012(z1):19-20.

      [10]俞興明.DQPSK調(diào)制系統(tǒng)差分編譯碼電路的設(shè)計(jì)與Multisim仿真[J].電子測(cè)量技術(shù),2013,31(4):59.YU Xing-ming.Design and Simulation of Multisim sub codec circuit differential DQPSK modulation system[J].Electronic measurement technology,2013,31(4):59.

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