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      低副瓣機(jī)載天線陣設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

      2014-01-01 03:09:48張萬(wàn)玉
      無(wú)線電通信技術(shù) 2014年4期
      關(guān)鍵詞:功分器副瓣天線陣

      張萬(wàn)玉,伍 濱,張 釗

      (1.總裝北京軍代局駐石家莊地區(qū)軍代室,河北石家莊050081;2.上海交通大學(xué)機(jī)械系統(tǒng)與振動(dòng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,上海200240)

      0 引言

      隨著電子信息技術(shù)的發(fā)展,作戰(zhàn)區(qū)域的電磁環(huán)境越來越復(fù)雜,電子干擾威脅越來越嚴(yán)重。雙方對(duì)電磁控制權(quán)的爭(zhēng)奪,可以導(dǎo)致無(wú)線電電子設(shè)備不能正常工作、通信指揮失靈、雷達(dá)迷盲和電子制導(dǎo)失控等。隨著技術(shù)的發(fā)展,要求機(jī)載雷達(dá)系統(tǒng)能夠擁有更強(qiáng)的抗電子干擾、抗反輻射導(dǎo)彈、抗雷達(dá)探測(cè)、抗高速反艦導(dǎo)彈的低空和超低空打擊的能力。陣列天線是解決上述問題的有效的手段之一。為了有效對(duì)抗目標(biāo),提高雷達(dá)抗干擾的能力,都對(duì)雷達(dá)天線提出了低或超低副瓣陣的要求。目前,極低副瓣天線已經(jīng)成為高性能電子系統(tǒng)的一個(gè)重要組成部分,特別是雷達(dá)在有嚴(yán)重地物和電子干擾環(huán)境中有效地工作,必須采用副瓣盡可能低的天線。

      以典型的中等規(guī)模C波段圓極化天線陣作為例,選取C波段圓極化天線陣指標(biāo)要求為工作中央頻點(diǎn) 5.815 GHz、工作頻段 5.715 - 5.915 GHz(VSWR <2.0),天線陣設(shè)計(jì)增益不小于 18 dBi,主波束指向交叉極化抑制超過15 dB,低副瓣設(shè)計(jì)指標(biāo)為第一副瓣相對(duì)主瓣增益小于-20 dB,接下來詳細(xì)介紹C波段圓極化天線陣的設(shè)計(jì)和調(diào)試過程、仿真分析結(jié)果以及實(shí)物測(cè)試結(jié)果。

      1 天線陣結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

      實(shí)現(xiàn)低副瓣天線陣的關(guān)鍵技術(shù)分別是性能良好的饋電網(wǎng)絡(luò)和控制陣元間的互耦,參考類似天線陣饋電網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì),發(fā)現(xiàn)絕大多數(shù)天線陣采用基本的T型枝節(jié)實(shí)現(xiàn)功分的功能,在設(shè)計(jì)饋電網(wǎng)絡(luò)時(shí)采用饋電網(wǎng)絡(luò)與天線陣元在金屬地面的同一側(cè),并且網(wǎng)絡(luò)分布于天線陣之中的布局方式,同時(shí)考慮到饋電網(wǎng)絡(luò)關(guān)于x軸和y軸都成線對(duì)稱,所以一般將饋電網(wǎng)絡(luò)分成4個(gè)4×2單元小饋電網(wǎng)絡(luò)分別設(shè)計(jì),圖1是初步設(shè)計(jì)結(jié)果,圖中右側(cè)虛線框所示均為功分枝節(jié)結(jié)構(gòu)。

      圖1 常規(guī)天線陣饋電網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)結(jié)果

      在工程試驗(yàn)過程中經(jīng)常發(fā)現(xiàn)該種設(shè)計(jì)的單元間距稍顯局促,天線單元之間存在一定程度的互耦,而且饋電網(wǎng)絡(luò)的可用空間太小,造成饋電網(wǎng)絡(luò)和單元之間較強(qiáng)的互耦影響。同時(shí)為實(shí)現(xiàn)低副瓣指標(biāo),天線陣4個(gè)頂角的天線單元激勵(lì)幅度應(yīng)當(dāng)非常微弱,然而實(shí)際上由于來自相鄰單元和饋電網(wǎng)絡(luò)的能量耦合,這4個(gè)單元的激勵(lì)幅度大于理論值而且難以消減。為避免這種情況,本文嘗試采用缺元陣的形式,即去掉四角的4個(gè)單元。在上述常規(guī)天線陣基礎(chǔ)上去掉四角的4個(gè)單元后,由陣元方向圖與陣因子相乘得到的陣方向圖可見,低副瓣特性得到一定程度的改善,最重要的是消除了副瓣升高的隱患。

      考慮到上述2個(gè)改進(jìn)需求,在保留基本對(duì)稱特性的基礎(chǔ)上,確定采用“6×4-4”單元天線陣結(jié)構(gòu),即在6×4單元結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上去掉四角的4個(gè)單元,單元間距取約3/4λ。

      2 新型功分器設(shè)計(jì)

      在功分器的選擇問題上,考慮到6×4單元天線陣若僅采用一分二功分器饋電網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)將變得非常復(fù)雜,故在設(shè)計(jì)過程中開發(fā)了一款性能良好的一分三功分器。

      目前廣泛采用的三功分器有如下幾類:①采用2個(gè)或2個(gè)以上二功分器級(jí)聯(lián)構(gòu)成三功分器;②采用與Wilkinson結(jié)構(gòu)原理相近似的平面對(duì)稱三功分器結(jié)構(gòu),通過合理設(shè)計(jì)隔離電阻值、采用寬度漸變微帶線和采用耦合微帶線等手段,抑制三路間的不平衡,獲得良好的功率等分性能和隔離性能;③ 采用扇形微帶枝節(jié)和輻射狀放置的電阻構(gòu)成寬帶多路功分結(jié)構(gòu);④由不同特征阻抗的微帶線構(gòu)成多端口網(wǎng)絡(luò),實(shí)現(xiàn)各端口良好的匹配和端口間的隔離,并由指定的端口完成三功分器的功能。

      其中,第1類功分器能夠較好產(chǎn)生所需比例的功率輸出,實(shí)現(xiàn)各端口的匹配和輸出端口間的隔離,但電路占用空間較多,微帶線路徑較長(zhǎng),參數(shù)結(jié)果使用軟件優(yōu)化得到,且為提高隔離度而使用集總參數(shù)濾波器;第2、3類功分器匹配和隔離指標(biāo)具佳,占用空間中等,通常用作等分輸出,但外形較為復(fù)雜、所加電阻數(shù)目較多,通常參數(shù)較多且某些參數(shù)與設(shè)計(jì)指標(biāo)間無(wú)顯式的表達(dá)式,需通過數(shù)值計(jì)算和優(yōu)化完成設(shè)計(jì);第4類功分器各項(xiàng)指標(biāo)較好,外形簡(jiǎn)單,參數(shù)較少且易于設(shè)計(jì)和優(yōu)化,能夠?qū)崿F(xiàn)任意比例的功率輸出,但占用空間稍大,約需要0.5λ×0.5λ的空間,這在通常的天線陣饋電電路中是不能被接受的。

      提出一種基于支線定向耦合器的新型微帶線三分支功率分配器結(jié)構(gòu),該新型功分器由2個(gè)對(duì)稱放置的支線定向耦合器組合而成;采用奇偶模激勵(lì)方法結(jié)合傳輸線理論對(duì)該新型功分器的傳輸特性進(jìn)行建模和分析,并據(jù)此給出該新型功分器主要參數(shù)的設(shè)計(jì)方法。通過與實(shí)物測(cè)試結(jié)果比較,可實(shí)現(xiàn)各端口的完全匹配以及端口間的高隔離度,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊湊,占用空間小,易于集成在微波電路系統(tǒng)和天線陣饋電系統(tǒng)之中。其結(jié)構(gòu)立體效果圖如圖2所示,該結(jié)構(gòu)可以看做由2個(gè)分支線定向耦合器組合而成。

      圖2 新型一分三功分器結(jié)構(gòu)立體效果圖

      當(dāng)新型三路功分器設(shè)計(jì)成等功分器情況下各端口功分比例平均,該功分器匹配特性和端口隔離特性滿足指標(biāo)要求如圖3所示。

      新型三路功分器的應(yīng)用較好解決了饋電網(wǎng)絡(luò)的布局問題,明顯簡(jiǎn)化的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),避免出現(xiàn)饋電網(wǎng)絡(luò)圍繞某些單元旋轉(zhuǎn)一周的強(qiáng)耦合結(jié)構(gòu),同時(shí)保證了饋電網(wǎng)絡(luò)各端口良好的匹配和端口間的隔離性能,最大程度減弱由饋電網(wǎng)絡(luò)引起反射和端口間的串?dāng)_。通過調(diào)整饋電網(wǎng)絡(luò)各端口的幅度和相位分布,最終得到了應(yīng)用Wilkinson功分器、平行線耦合器和新型三功分器的初步饋電網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)結(jié)果。

      圖3 新型三路功分器匹配特性和端口隔離特性仿真曲線

      3 消減互耦的散射體設(shè)計(jì)

      采用在天線單元附近增加金屬散射結(jié)構(gòu)體的方法,改變天線單元周圍的邊界條件,并通過在散射體上設(shè)計(jì)接地電阻將耦合能量主動(dòng)吸收,即金屬散射體結(jié)合接地電阻,利用有耗的散射結(jié)構(gòu)接收并消耗耦合能量。其中散射體不是通過金屬過孔直接與地面相連,而是通過接地電阻與地面相連(也可以將散射體理解為一個(gè)小的微帶天線,端口接有匹配負(fù)載吸收能量),同時(shí)金屬散射體結(jié)構(gòu)并不是近距離包圍天線單元,而是僅在天線單元距離饋電網(wǎng)絡(luò)較近的地方放置,該方法利用接匹配負(fù)載的散射體良好控制了天線單元與饋電網(wǎng)絡(luò)間的互耦,在其他條件均相同的情況下,能夠使天線陣的第一副瓣電平下降約2 dB,而且不會(huì)破壞其輻射特性。

      最終設(shè)計(jì)結(jié)果如圖4所示,通過調(diào)試整個(gè)天線陣所有單元邊長(zhǎng)15.2 mm,除中心四個(gè)單元切角邊長(zhǎng)為2.4 mm外,其余16個(gè)單元切角邊長(zhǎng)均為2.6 mm。有一點(diǎn)需要注意,因原饋電網(wǎng)絡(luò)中第一級(jí)圓形Wilkinson功分器占用空間太大導(dǎo)致距離天線單元過近,故采用圓滑的葫蘆形替代。

      圖4 應(yīng)用新型功分器和有耗散射體抑制互耦的天線陣設(shè)計(jì)結(jié)果示意圖

      4 仿真分析和實(shí)測(cè)結(jié)果

      4.1 天線陣設(shè)計(jì)仿真結(jié)果

      采用Ansoft HFSS v10.0對(duì)C波段圓極化天線陣進(jìn)行建模,通過對(duì)天線陣的輸入阻抗特性進(jìn)行仿真分析可以看出天線陣在整個(gè)工作頻段滿足VSWR<1.5的指標(biāo),大部分工作頻段滿足 VSWR<1.35。同時(shí)在天線陣中央頻點(diǎn)處的輻射特性仿真結(jié)果中可以看出天線陣在最大輻射方向交叉極化抑制超過16 dB,基本保持了天線單元的良好特性,在φ=0°切面相對(duì)副瓣電平均低于 -24.5 dB,在 φ=90°切面主極化分量的相對(duì)副瓣電平均低于-19.5 dB,較好實(shí)現(xiàn)預(yù)期設(shè)計(jì)指標(biāo),部分指標(biāo)超額滿足要求。美中不足的是φ=90°切面第一副瓣處交叉極化分量較大,該問題雖不影響使用但值得進(jìn)一步深入研究。在以上結(jié)果的基礎(chǔ)上,本文分別仿真分析了φ=0°切面二維直角坐標(biāo)方向圖、φ=90°切面二維直角坐標(biāo)方向圖、φ=0°切面二維極坐標(biāo)方向圖、φ=90°切面二維極坐標(biāo)方向圖,證明了該天線陣方向性穩(wěn)定,在整個(gè)工作頻段起伏很小,完全滿足指標(biāo)要求。

      4.2 天線陣實(shí)物測(cè)試結(jié)果

      本方案選擇國(guó)產(chǎn)雙面覆銅微波板材(介電常數(shù)2.55、板材厚度1.8 mm、銅箔厚度35 um)作為基材,采用PCB工藝加工制作,表面采用鍍錫金(水金)工藝以提高導(dǎo)電率、減弱因金屬趨膚效應(yīng)引起的損耗。

      天線陣采用同軸連接器背面饋電,通過同軸線接SMA-F型接口。通過對(duì)該低副瓣天線陣的阻抗特性實(shí)物測(cè)試,可以看出其VSWR特性與仿真設(shè)計(jì)結(jié)果稍有偏差,天線的諧振點(diǎn)(VSWR最小的頻點(diǎn))在5.715 GHz,稍低于設(shè)計(jì)指標(biāo)中心頻率約100 MHz,相對(duì)偏差約 1.72%,在 5.715 GHz處VSWR=1.104,5.815 GHz處 VSWR=1.786,在5.915 GHz處 VSWR=2.403。如果不考慮中心頻點(diǎn)的偏差,阻抗特性的絕對(duì)帶寬(VSWR<2.0)約為180 MHz,相對(duì)帶寬為 3.15%。

      阻抗特性測(cè)試值與設(shè)計(jì)值存在一定程度偏差,通常情況下主要是由于板材實(shí)際介電常數(shù)與標(biāo)稱值有一定差異導(dǎo)致的,這種誤差可以通過幾次“加工-測(cè)試-修正”的環(huán)節(jié)解決。

      圖5與圖6為該低副瓣微帶天線陣方向性的測(cè)試結(jié)果。從測(cè)試結(jié)果可以看出,該微帶天線陣的輻射特性與計(jì)算仿真結(jié)果相當(dāng)吻合,僅是在后瓣附近與仿真結(jié)果稍有出入,應(yīng)該是用于固定天線的測(cè)試軟件對(duì)結(jié)果產(chǎn)生一定的影響。

      圖5 中央頻點(diǎn)處φ=0°切面主極化與交叉極化分量方向圖

      圖6 中央頻點(diǎn)處φ=90°切面主極化與交叉極化分量方向圖

      在φ=0°切面,左旋圓極化分量的第一副瓣電平相對(duì)主瓣約為-23 dB;主瓣方向交叉極化抑制達(dá)15 dB;在φ=90°切面,左旋圓極化分量的第一副瓣電平相對(duì)主瓣約為-18 dB。

      該低副瓣微帶天線陣在φ=90°切面比φ=0°切面副瓣電平指標(biāo)稍差,主要是由于天線陣在該方向僅有4個(gè)陣元,對(duì)波束控制能力有限造成的;而且外層天線單元都是由平行耦合線定向耦合器耦合出的能量饋電,該結(jié)構(gòu)定向耦合器的耦合系數(shù)與板材參數(shù)密切相關(guān),聯(lián)系到之前VSWR測(cè)試結(jié)果分析,故可能是因?yàn)榘宀膮?shù)稍有偏差導(dǎo)致耦合系數(shù)與仿真結(jié)果不一致,導(dǎo)致副瓣電平升高。

      5 結(jié)束語(yǔ)

      該新型低副瓣微帶天線陣實(shí)現(xiàn)了預(yù)期的設(shè)計(jì)指標(biāo),研究成果能夠應(yīng)用于幾乎所有頻段的微帶天線陣,低副瓣技術(shù)能夠有效降低天線間的耦合,減少無(wú)意輻射造成電磁干擾的可能,增強(qiáng)機(jī)載天線間的電磁兼容性。除此以外,該技術(shù)對(duì)于微波電路和低副瓣天線陣、相控陣領(lǐng)域也具有較高的借鑒價(jià)值和參考價(jià)值。

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