張欽亮 蘇靜洪 王 謨 平志韓 雍春娥 祝啟蒙 金志杰
(天通吉成機(jī)器技術(shù)有限公司,浙江海寧314400)
刻蝕是半導(dǎo)體制造、微電子IC制造和微納制造工藝中一種相當(dāng)重要的工藝環(huán)節(jié),是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝[1]。所謂刻蝕,即光刻腐蝕,先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行曝光處理,然后通過(guò)其他方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分??涛g按工藝原理來(lái)分有干法刻蝕和濕法刻蝕。干法刻蝕中最常用的是等離子體刻蝕,其原理是利用電場(chǎng)對(duì)等離子體進(jìn)行引導(dǎo)和加速,使其具備一定能量后轟擊被刻蝕物的表面,將其材料表面原子擊出,從而達(dá)到利用物理上的能量轉(zhuǎn)移來(lái)實(shí)現(xiàn)刻蝕的目的[2]。其優(yōu)點(diǎn)是各向異性好,選擇比高,可控性、靈活性及重復(fù)性好,潔凈度高;缺點(diǎn)是成本較高,設(shè)備復(fù)雜。
一般干法等離子體刻蝕機(jī)由工藝腔、傳輸腔、裝載腔、射頻電源、真空系統(tǒng)、進(jìn)排氣系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)和軟件控制系統(tǒng)等部分組成。裝載腔作為人機(jī)交流窗口,其主要作用體現(xiàn)在:刻蝕開(kāi)始前,在裝載腔內(nèi)放入裝有待刻蝕晶片(如硅片、藍(lán)寶石襯底片和氮化鎵片等)的片盤,通過(guò)傳輸系統(tǒng)將其傳送到工藝腔進(jìn)行刻蝕,刻蝕完成后,再由傳輸系統(tǒng)將刻蝕好的片盤由工藝腔傳送到裝載腔,隨后取出片盤,完成一次刻蝕,再次放入片盤即可進(jìn)行新一輪刻蝕?,F(xiàn)有的大多數(shù)干法刻蝕機(jī)的裝載系統(tǒng)存在諸多問(wèn)題,主要是片盤吞吐量較小,大多是單片盤裝載,效率低下,不能實(shí)現(xiàn)批量加工,無(wú)法適應(yīng)大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)需求。
本文設(shè)計(jì)了一種干法刻蝕系統(tǒng)的新型裝載腔,實(shí)現(xiàn)了多盤連續(xù)自動(dòng)化批量刻蝕,提高刻蝕效率,較好地滿足大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的要求。
本裝載腔主要由腔體、底盤、托盤架、上蓋、升降旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)等結(jié)構(gòu)組成,如圖1所示。其中腔體底面有法蘭孔和抽氣通道,底盤和升降旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)中的導(dǎo)向柱連接,并通過(guò)法蘭和腔體連接固定。抽氣通道與真空機(jī)械泵連接。腔體一側(cè)面為機(jī)械手取送片口,該處通過(guò)插板閥和機(jī)械手腔室連接。另一側(cè)面連接真空測(cè)量裝置和充氣通道。
底盤上固定3工位式托盤架,可一次裝載3盤待刻蝕晶片。托盤架邊緣處設(shè)有臺(tái)階槽,可確保片盤在放入后自動(dòng)調(diào)整位置,在托盤架升降和旋轉(zhuǎn)時(shí)保持穩(wěn)定。安放片盤時(shí),設(shè)定零點(diǎn)位置為任意1個(gè)工位的中心線對(duì)準(zhǔn)取送片口中心線。3個(gè)工位處均安裝有信號(hào)檢測(cè)裝置,實(shí)時(shí)檢測(cè)每個(gè)工位上負(fù)載情況并反饋給控制系統(tǒng)。
上蓋通過(guò)連接鉸鏈與腔體連接,中心處設(shè)有觀察窗,可直觀觀察托盤架負(fù)載情況。
升降旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)由滾珠絲杠、導(dǎo)向柱、聯(lián)軸器、伺服電動(dòng)機(jī)、減速器和真空波紋管等組成。滾珠絲杠套在升降旋轉(zhuǎn)導(dǎo)向柱內(nèi),保證絲杠運(yùn)動(dòng)時(shí)的精度,導(dǎo)向柱上端和底盤固定,絲杠和導(dǎo)向柱內(nèi)置在真空波紋管內(nèi),確保絲杠在裝載腔內(nèi)外運(yùn)動(dòng)時(shí)腔內(nèi)的真空度不受影響。波紋管外由保護(hù)套和上下端法蘭連接固定。絲杠下端通過(guò)滾動(dòng)軸承和聯(lián)軸器與減速器和伺服電動(dòng)機(jī)連接,伺服電動(dòng)機(jī)通過(guò)減速器控制絲杠的升降和旋轉(zhuǎn),絲杠帶動(dòng)導(dǎo)向柱控制底盤運(yùn)動(dòng),實(shí)現(xiàn)底盤平穩(wěn)、勻速的升降和旋轉(zhuǎn),在升降和旋轉(zhuǎn)的每個(gè)點(diǎn)位均有限位和信號(hào)檢測(cè)裝置,由軟件控制系統(tǒng)集中控制。
根據(jù)刻蝕工藝要求,正常工作狀態(tài)時(shí)腔體內(nèi)為低真空狀態(tài)(約0.001 Pa),故上蓋、插板閥、連接法蘭等凡是腔體與外界連接處均設(shè)有密封槽,確保真空效果。
晶片裝載時(shí),打開(kāi)上蓋,此時(shí)托盤架上無(wú)片盤并默認(rèn)處于零點(diǎn)位置,將待刻蝕晶片的片盤(1~3盤,按需放置)放入托盤架,安放完成后,關(guān)閉上蓋。此時(shí),軟件控制系統(tǒng)自動(dòng)檢測(cè)托盤架上片盤數(shù)量及位置,確保零點(diǎn)位置有片盤(如沒(méi)有,控制系統(tǒng)自動(dòng)指令托盤架旋轉(zhuǎn),將有片盤工位旋轉(zhuǎn)至零點(diǎn)位置)。確認(rèn)插板閥處于關(guān)閉狀態(tài),開(kāi)啟真空機(jī)械泵,抽氣至預(yù)定真空度。
抽氣完畢后,升降旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)將托盤架升起,插板閥打開(kāi),機(jī)械手進(jìn)入裝載腔。進(jìn)入完全后,托盤架緩緩下降,架上的片盤自動(dòng)落入機(jī)械手臂槽內(nèi),機(jī)械手回縮至傳輸腔,并送入工藝腔進(jìn)行刻蝕,插板閥自動(dòng)關(guān)閉。
刻蝕完成后,插板閥打開(kāi),機(jī)械手將刻蝕好的片盤送回裝載腔,托盤架升起接住片盤,機(jī)械手收回,托盤架回落至起始位置,并旋轉(zhuǎn)至下一個(gè)工位,至此,一個(gè)片盤刻蝕工藝完成。全部3個(gè)片盤刻蝕完成后,進(jìn)排氣系統(tǒng)給裝載腔充一定量的氮?dú)獯祾吆统鋲?,待腔?nèi)氣壓和外界氣壓相當(dāng)時(shí),打開(kāi)上蓋,即可取出片盤。
上述裝載腔為單層3工位托盤架,此外還可根據(jù)工藝要求和生產(chǎn)需要,在此基礎(chǔ)上對(duì)升降結(jié)構(gòu)稍作調(diào)整可改裝成2層或更多層結(jié)構(gòu),即可同時(shí)放置6盤或更多片盤,更大程度上提高生產(chǎn)效率。
本文提出的干法等離子體刻蝕機(jī)的新型裝載腔采用了可升降旋轉(zhuǎn)的3工位托盤架式結(jié)構(gòu),已在我公司干法等離子體刻蝕機(jī)上試制成功,實(shí)現(xiàn)了多盤不間斷連續(xù)自動(dòng)化生產(chǎn),升降旋轉(zhuǎn)平穩(wěn)可控,提高了生產(chǎn)效率,具有明顯的技術(shù)和經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì),該結(jié)構(gòu)已被我公司正式申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利。
[1]錢振型.固體電子學(xué)中的等離子體技術(shù)[M].北京:電子工業(yè)出版社,1987:20-22.
[2]蒲以康.等離子體放電原理與材料處理[M].北京:科學(xué)出版社,2007:474-481.