司小平,樂麗琴,趙國(guó)生
(黃河科技學(xué)院信息工程學(xué)院 河南 鄭州 450063)
隨著電力生產(chǎn)、電力傳輸容量增加以及運(yùn)行電壓等級(jí)不斷提高,傳統(tǒng)的電磁式電流、電壓互感器暴露出諸如,難達(dá)到絕緣要求、磁飽和、鐵磁諧振、動(dòng)態(tài)范圍小、頻帶窄、易燃、易爆炸等一系列缺點(diǎn),難以滿足電力系統(tǒng)進(jìn)一步發(fā)展的需要?;诠鈱W(xué)和電子學(xué)原理的電子式電壓/電流互感 器 (Electronic Voltage/Current Transformer, 分別簡(jiǎn) 稱 為EVT和ECT)以其抗電磁干擾性能好、消除了磁飽和與鐵磁諧振、測(cè)量準(zhǔn)確度高、頻率響應(yīng)范圍寬、造價(jià)低、多功能、智能化等優(yōu)點(diǎn),已成為一種很有發(fā)展前途的超高壓條件下電壓、電流的測(cè)量設(shè)備[1-2]。而Rogowski線圈是電子式電流互感器的重要組成部分,它的設(shè)計(jì)是互感器精確測(cè)量的基礎(chǔ)[3]。文中介紹了一種基于羅氏(Rogowski)線圈的電子式電流互感器的研制。
對(duì)于均勻密繞的矩形截面(形狀如圖2(a)所示)螺線環(huán)形螺線管羅氏線圈(匝數(shù)為N),其輸出為(理想情況下)
即輸出的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)正比與一次電流的微分 (為了得到與一次電流成正比的輸出,后面需接RC有源積分器,如圖1(c))[4]。但實(shí)際上由于羅氏線圈繞制不可能達(dá)到理想的均勻度,其輸出與理想值會(huì)有一定的偏差。當(dāng)羅氏線圈的兩個(gè)出線端的距離很小時(shí),一次電流產(chǎn)生的交變電場(chǎng)不會(huì)在羅氏線圈的輸出端產(chǎn)生附加電動(dòng)勢(shì)。
A:羅氏線圈繞線非均勻:匝間留有調(diào)節(jié)間隙或繞線稀疏不均勻,會(huì)造成磁密并不完全垂直于每匝線圈截面而造成測(cè)量誤差。
B:羅氏線圈非整層繞制,使得外部干擾對(duì)羅氏線圈輸出影響較大,從而影響計(jì)量誤差。
目前的環(huán)形繞線機(jī)的繞制工藝要把羅氏線圈的計(jì)量誤差限制在0.5%以內(nèi)是非常困難的。
圖1 無限長(zhǎng)載流直導(dǎo)線產(chǎn)生的磁場(chǎng)和穿過矩形截面磁通Fig.1 The magnetic field generate by infinite long straight current-carrying wires and magnetic flux through the rectangular cross section
A:骨架材料的磁導(dǎo)率并非μ0造成的計(jì)算誤差,在羅氏線圈的輸出公式中骨架材料的磁導(dǎo)率按μ0計(jì)算,而實(shí)際的骨架材料的磁導(dǎo)率在1.0μ0~1.1μ0之間波動(dòng),從而引起計(jì)算值與實(shí)際值之間的誤差。
B:羅氏線圈輸出計(jì)算公式并未考慮各種變形誤差,而在繞制過程中,骨架上面墊的絕緣膠帶與繞線機(jī)繞線時(shí)對(duì)線的拉力的大小不同會(huì)產(chǎn)生不同的變形,同時(shí)內(nèi)層漆包線也會(huì)在外層繞制時(shí)產(chǎn)生微小變形,而造成計(jì)算值與實(shí)際值的微小誤差。
羅氏線圈繞線完畢后,外面還需要用皺紋紙及半導(dǎo)體紙進(jìn)行包繞,然后在130°C下用環(huán)氧樹脂澆鑄,澆鑄過程中的高溫及壓力會(huì)造成漆包線變軟,甚至環(huán)氧樹脂借助壓力作用滲入繞線內(nèi)空隙中,從而產(chǎn)生澆鑄誤差,澆鑄誤差一般在0.2~2%左右。
一次導(dǎo)線的不同放置位置(位于中心或偏心)會(huì)造成測(cè)量誤差,該誤差是由羅氏線圈的繞線不均勻造成的,誤差大小取決于一次導(dǎo)線的偏心度及繞線的均勻程度。
由于電力線為三相,其它兩相距離羅氏線圈測(cè)量相很近,其一次大電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)會(huì)造成測(cè)量相的輸出產(chǎn)生誤差,該誤差由羅氏線圈的繞制工藝誤差產(chǎn)生(繞線非均勻或非整層繞制)。
羅氏線圈的使用溫度條件及外部高頻電磁場(chǎng)干擾也會(huì)造成羅氏線圈的輸出產(chǎn)生誤差。
選用熟練的使用環(huán)形繞線機(jī)的技術(shù)工人,羅氏線圈繞制時(shí)采用整層密繞方式(不留調(diào)節(jié)間隙),通過大量的繞制比較及實(shí)測(cè)誤差比較,通過匝數(shù)調(diào)整的方法,可以將羅氏線圈的繞制誤差與計(jì)算誤差降低至最小。
羅氏線圈繞成后,外層用半導(dǎo)體紙用力緊繞一層后,再用皺紋紙及白布帶用力密繞,增加繞制時(shí)的用力,將漆包線間的空隙充實(shí),同時(shí)皺紋紙及白布帶可起到有效地阻止?jié)茶T時(shí)環(huán)氧樹脂顆粒進(jìn)入的作用。
減小羅氏線圈過孔孔徑可以有效地減小一次導(dǎo)線或銅排的偏心誤差,從而減小綜合誤差。
羅氏線圈的引出線采用屏蔽雙絞線,屏蔽雙絞線的屏蔽層(銅)可以有效的阻止外部高頻電磁場(chǎng)的干擾(利用渦流效應(yīng)進(jìn)行屏蔽),雙絞線可以減小傳輸中的電容效應(yīng),由于雙絞線所形成的環(huán)的面積很小,耦合工頻磁場(chǎng)在環(huán)內(nèi)形成的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)很小,且各個(gè)環(huán)之間的產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)可以互相抵消,因此,可以把外部干擾減小到最小。
骨架材料:采用大理石、纖維、尼龍66、環(huán)氧樹脂、陶瓷等骨架材料,一般為環(huán)形骨架(如圖2(b)所示)。繞線:可采用線徑為0.17、0.2、0.3毫米等多種線規(guī)導(dǎo)線,這需根據(jù)骨架尺寸及輸出電壓要求及密繞要求來選擇[5]。繞制方法:采用環(huán)形繞線機(jī)均為密繞,不留調(diào)節(jié)間隙。注意:這是影響羅氏線圈精度的主要因素。半導(dǎo)體屏蔽層:羅氏線圈外層用半導(dǎo)體紙進(jìn)行包括,以保持電場(chǎng)均勻,防止高壓時(shí)羅氏線圈內(nèi)部出現(xiàn)局部放電現(xiàn)象。注意:半導(dǎo)體屏蔽層需外接屏蔽接地線。環(huán)氧樹脂澆鑄層:半導(dǎo)體屏蔽層外可用皺紋紙與布密繞,以防止?jié)茶T時(shí)環(huán)氧樹脂滲入導(dǎo)線間隙內(nèi),也可直接在半導(dǎo)體層外用環(huán)氧樹脂澆鑄。環(huán)氧樹脂澆鑄溫度在130度左右,澆鑄厚度在8~12 mm之間,真空澆鑄。帯傘裙的支撐架:考慮到電子互感器對(duì)爬電距離的要求,羅氏線圈環(huán)外需用帯傘裙的支撐架支撐,以保證一次導(dǎo)線與二次出線距離大于270 mm。
圖2 羅氏線圈的繞制Fig.2 Winding of Rogowski coil
由模擬積分器構(gòu)成得電流互感器和采用DSP芯片的數(shù)字輸出電子式電流互感器如圖3、4所示。
圖4 采用DSP芯片的數(shù)字輸出電子式電流互感器Fig.4 Electronic current transducer Using DSP chip with digital output
對(duì)于35 kV電壓等級(jí)以下的電子式電流互感器,其組合方式有以下幾種:
1)模擬式積分器與羅氏線圈傳感頭一體化構(gòu)成電子式電流互感器。
2)模擬式積分器與羅氏線圈傳感頭分開構(gòu)成電子式電流互感器,中間采用屏蔽雙絞線或有線電視電纜連接(適用于開關(guān)柜)。
3)羅氏線圈傳感頭與數(shù)字式DSP電路分開,中間采用屏蔽雙絞線或有線電視電纜連接(也適用于開關(guān)柜)。
對(duì)于110 kV電壓等級(jí)以下的電子式電流互感器,其組合方式為:羅氏線圈傳感頭與DSP數(shù)字化部分一體化構(gòu)成電子電流互感器,通過通信光纖以數(shù)字方式向合并器傳送電流信號(hào),電子式互感器采用光纖激光供能[6]。
1)絕緣耐壓:二次短路接大地,在一次與二次間施加高電壓(對(duì)于10 kV電子CT,施加電壓為42 kV,持續(xù)時(shí)間為1分鐘),觀察內(nèi)外絕緣是否擊穿。對(duì)于環(huán)氧樹脂真空澆鑄,絕緣厚度在8~13 mm即能滿足要求。
2)局部放電測(cè)試:二次短路接大地,在一次與二次間施加高電壓,電壓達(dá)到42 kV的80%時(shí)保持1分鐘,再降到14.14 kV(對(duì)于10 kV電子CT)并保持1分鐘,觀察二次繞組內(nèi)部及環(huán)氧樹脂澆鑄體內(nèi)有無局部放電現(xiàn)象。
3)爬電距離:指一次出頭與二次出頭間的距離,對(duì)于10 kV電子CT,其爬電距離大于270 mm即可(可以用尺子量)。
4)動(dòng)穩(wěn)定測(cè)試:在一次短路情況下,一次短路電流為額定電流的2.55*75倍時(shí)(峰值),一次線間的短路力不能使一次繞組有明顯的變形及折斷現(xiàn)象,短路電流持續(xù)時(shí)間為1秒(武漢高壓所取一個(gè)波峰,80KVA進(jìn)行測(cè)試)。
5)熱穩(wěn)定測(cè)試:在一次短路情況下,一次短路電流為額定電流的75倍時(shí),一次繞組的發(fā)熱不能使互感器局部出現(xiàn)燒毀現(xiàn)象。短路電流持續(xù)時(shí)間根據(jù)要求為1~4 s(武漢高壓所取 3 s,31.5 kVA 進(jìn)行測(cè)試)。
6)誤差特性測(cè)試:由精度要求來決定。
7)雷電沖擊測(cè)試:施加75 kV(對(duì)于10 kV電子 CT)的雷電電壓(波頭為 1.2 μs,波尾為 50 μs),觀察互感器[7-8]絕緣是否損壞。
測(cè)試設(shè)備及測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)如圖5所示。其中1、2、3與6為廠家出廠必作測(cè)試,其它為型式測(cè)試項(xiàng)目。其它傳統(tǒng)互感器測(cè)試項(xiàng)目:1)PT二次短路測(cè)試2)CT伏安特性測(cè)試,對(duì)于電子互感器不需要。
測(cè)試結(jié)果:所研制電子式電流互感器測(cè)量精度為0.5級(jí),個(gè)別參數(shù)達(dá)到0.2級(jí)。
圖5 測(cè)試設(shè)備及測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)Fig.5 The test equipment and test site
Rogowski線圈的設(shè)計(jì)師電子式電流互感器測(cè)量精度的關(guān)鍵,本文在考慮引起羅氏線圈計(jì)量誤差的各種原因的基礎(chǔ)上,綜合應(yīng)用多種減小羅氏線圈計(jì)量誤差的方法,繞制了一種羅氏線圈。并利用該線圈設(shè)計(jì)出一種電子式電流互感器,經(jīng)測(cè)試,其測(cè)量精度和性能穩(wěn)定性都優(yōu)于傳統(tǒng)的電流互感器,有著很好的應(yīng)用前景。
[1]梁曦東,邱愛慈,孫才新,等.中國(guó)電氣工程大典 第1卷 現(xiàn)代電氣工程基礎(chǔ)[M].中國(guó)電力出版社,2009.
[2]謝完成,戴瑜興.羅氏線圈電子式電流互感器的積分技術(shù)研究[J].電測(cè)與儀表,2011,48(5):10-13.
XIE Wan-cheng,DAIYu-xing.Technology research of integrator for rogowski electronic current transducer[J].Electrical Measurement&Instrumention,2011,48(5):10-13.
[3]周文中,趙國(guó)生,李海洋.Rogowski線圈測(cè)量誤差分析及改進(jìn)措施[J].電力系統(tǒng)保護(hù)與控制,2009,37(20):99-103.
ZHOU Wen-zhong,ZHAO Guo-sheng,LI Hai-yang.Error analysis and improved method of Rogowski coil[J].Power System Protection and Control,2009,37(20):99-103.
[4]周有慶,劉琨,吳桂清,等.基于Rogowski線圈電子式電流互感器的研究[J].電氣應(yīng)用,2006,25(6):106-110.
ZHOU You-qing,LIU Kun,WU Gui-qing,et al.Research of electronic current transformer based on Rogowski coil[J].Electro Technical Application,2006,25(6):106-110.
[5]郭曉華,朱明鈞.Rogowski線圈工業(yè)化應(yīng)用中若干問題的探討[J].高電壓技術(shù),2003,29(3):16-17.
GUO Xiao-hua,ZHU Ming-jun.Discussion on industrial production of rogowski coil[J].High Voltage Engneering,2003,29(3):16-17.
[6]孟凡勇,李志剛,趙鵬,等.基于Rogowski和光電通信技術(shù)的新型電流互感器[J].電氣應(yīng)用,2006,25(8):18-20.
MENG Fan-yong,LIZhi-gan,ZHAO Peng,eta1.Novel current transformer based on rogowski and electric optical communication technique[J].Electro Technical Application,2006,25(8):18-20.
[7]王弛,陳耀明,張秀英,等.光學(xué)玻璃型電流互感器光源溫度控制器設(shè)計(jì)[J].電子科技,2013(7):164-167.
WANG Chi,CHEN Yao-ming,ZHANG Xiu-ying,et al.Design of light source temperature controller for optical glass type current transformer[J].Electronic Science and Technology,2013(7):164-167.
[8]李彥,章敏,李立京,等.光學(xué)電壓互感器晶體雙折射誤差的分析與抑制[J].現(xiàn)代電子技術(shù),2012(4):181-184,191.
LI Yan,ZHANG Min,LI Li-jing,et al.Analysis and restraint of crystal birefringence errors in optical voltage sensor[J].Modern Electronics Technique,2012(4):181-184,191.