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      10.7 MHz中等帶寬晶體濾波器的研制

      2013-06-23 09:38:56佟仕忠孫海軍吳承猛付貴增
      電子設(shè)計(jì)工程 2013年10期
      關(guān)鍵詞:阻帶電感晶體

      馬 帥,佟仕忠,孫海軍,吳承猛,付貴增

      (遼寧石油化工大學(xué) 信息與控制工程學(xué)院,遼寧 撫順 113001)

      晶體濾波器,它在現(xiàn)代電子設(shè)備中是不可缺少的關(guān)鍵器件之一。作為關(guān)鍵器件,由于它的品質(zhì)因數(shù)高和溫度穩(wěn)定性良好,于是在頻率選擇系統(tǒng)中便占有特定的地位?,F(xiàn)代電子技術(shù)促使頻率選擇器件進(jìn)一步的向前發(fā)展?,F(xiàn)在,晶體濾波器已被廣泛地應(yīng)用于廣播電視、郵電通訊、導(dǎo)航測控,以及宇航工程的電子設(shè)備之中,它關(guān)系到電子設(shè)備的用途、精度、靈敏度,以及抗干擾能力[1-2]。

      眾所周知,石英晶體濾波器的相對帶寬在0.1到1%之間,是屬于中等帶寬晶體濾波器。在數(shù)字通信、移動通訊及導(dǎo)航控制系統(tǒng)中,優(yōu)良的中帶寬晶體濾波器能夠很好的減少信號失真和降低干擾,提高諧波抑制性能,使系統(tǒng)獲得較好的頻率選擇性和靈敏度,加之壓電石英晶體所具有的高Q值和良好的頻溫特性,使得它在通信接收系統(tǒng)中具有不可替代的關(guān)鍵作用[3]。

      中等帶寬晶體濾波器的設(shè)計(jì)方法可以采用等參數(shù)設(shè)計(jì)法,也可以采用不等參數(shù)設(shè)計(jì)法[4]。對于一些阻帶要求很高以及性能良好的晶體濾波器,必須要由多節(jié)差接橋相串聯(lián)才能達(dá)到要求,確保其技術(shù)指標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。由于采用了四節(jié)電路,使阻帶衰減≧60 dB;同時,由于采用了展寬線圈設(shè)計(jì),因而中等的通帶范圍內(nèi)很容易實(shí)現(xiàn)波動調(diào)平,其通帶波動≦1 dB。另外,由于濾波振子采用了UM-1微型金屬殼封裝,因而使得整個器件的外形尺寸在同類產(chǎn)品中也是較小的。

      1 產(chǎn)品的主要技術(shù)指標(biāo)

      中心頻率:10.7 MHz;3 dB帶寬:≥±19 kHz;通帶波動:≦1 dB;60 dB帶寬:≦±38 kHz;阻帶衰減:≥60 dB(偏離中心頻率50 kHz以外);插入損耗:≦3 dB;端接阻抗:50Ω±10%;工作溫度:-55~85℃;外形尺寸:38.3 mm×19.2 mm×12.7 mm;

      2 晶體濾波器的設(shè)計(jì)方案

      2.1 確定濾波器函數(shù)類型及階數(shù)(極點(diǎn))數(shù)n

      該產(chǎn)品60 dB阻帶寬度指標(biāo)高,即要求矩形系數(shù)很小,選擇契比雪夫(波動0.1 dB)函數(shù)類型適合。用下列公式計(jì)算:

      因?yàn)閏osh-1X=In(X±X2-1),依據(jù)技術(shù)條件可知,其中As(波動)=1 dB;Ap(帶外衰減)=60 dB;代入公式(1)中,得到n=8.2,故選擇8極點(diǎn)。

      2.2 電路設(shè)計(jì)

      晶體濾波器的電路結(jié)構(gòu)有L型、T型、π型、梯型、格型設(shè)計(jì)等多種設(shè)計(jì)方法[5],本文采用了四節(jié)八晶體格型電路的設(shè)計(jì)方法。對該濾波器來說,通帶寬度和阻帶衰減是產(chǎn)品必須達(dá)到的重要指標(biāo)參數(shù)。由于單節(jié)電路所能實(shí)現(xiàn)的帶寬和頻帶抑制比較狹窄,所以要想實(shí)現(xiàn)較高的衰減和較好的性能則需將幾節(jié)電路相串聯(lián),同時還要進(jìn)行展寬線圈設(shè)計(jì)。

      首先計(jì)算最大可實(shí)現(xiàn)的帶寬是多少,是為了確定級和級之間是否需要展寬電路。用下列公式計(jì)算:

      其中B3max:3 dB最大帶寬;f0:標(biāo)稱頻率;

      r:電容比C0/C1(AT切型一般在250左右);

      k23:低通耦合系數(shù),依據(jù)選擇的函數(shù)類型和極點(diǎn)數(shù)可查表得出。

      將其代入公式(2),得出最大帶寬為38 kHz,該值是理論上可實(shí)現(xiàn)的最大帶寬,該產(chǎn)品為滿足全溫度范圍應(yīng)做到40 kHz,所以設(shè)計(jì)級和級之間有展寬的差接橋電路來實(shí)現(xiàn)。電路圖如圖1所示。

      圖1 晶體濾波器電路設(shè)計(jì)圖Fig.1 Diagram of crystal filter circuit design

      圖中的fs1+、fs1-、f′s1+、f′s1-、fs3+、fs3-、f′s3+、f′s3-分別為壓電晶體振子的串聯(lián)諧振頻率,L1和L3為用于網(wǎng)絡(luò)調(diào)諧的諧振電感,C1、C2、C3、C4、C5分別為調(diào)諧及隔直電容,如何確定這些晶體振子的串聯(lián)諧振頻率值及諧振電感、電容元件的參數(shù)便是濾波晶體的設(shè)計(jì)及濾波器電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的主要內(nèi)容[6]。

      2.3 電路圖中元件參數(shù)計(jì)算

      2.3.1 頻率計(jì)算

      電路結(jié)構(gòu)確定之后就要進(jìn)行濾波晶體頻率規(guī)格的設(shè)計(jì),按圖1所示的四節(jié)電路,每部晶體濾波器共需8只晶體諧振器。

      根據(jù)以下公式:

      3 晶體濾波器的設(shè)計(jì)結(jié)果

      其中f0:標(biāo)稱頻率;

      B3:3 dB帶寬;

      ki,i+1:低通耦合系數(shù),依據(jù)選擇的函數(shù)類型和極點(diǎn)數(shù)查表 得 出,k12=k78=0.7276;k23=k67=0.5451;k34=k56=0.5160;k45=0.510 0。

      將上述數(shù)值代入公式(3)(4)中得到,fs1+=f′s1+=10 703.83 kHz;fs1-=f′s1-=10 673.273 kHz;fs3+=f′s3+=10 699.389 kHz;fs3-=f′s3-=10 677.716 kHz。

      2.3.2 濾波晶體諧振器等效參數(shù)的選取

      晶體諧振器的等效電路圖如圖2所示。

      圖2 晶體諧振器等效電路圖Fig.2 Equivalent circuit diagram of the crystal resonator

      對晶體等效參數(shù)的要求是分不同的頻段有不同的要求,主要是對寄生抑制[7]、等效電阻R1、等效電感L1、靜電容C0、等效電容C1、電極直徑有要求。晶體對濾波器的性能指標(biāo)影響很大,考慮到技術(shù)指標(biāo),能夠提高濾波晶體的頻譜純度,結(jié)合生產(chǎn)的方便,濾波晶體可以采用平片AT切,θ=35°15′,白片直徑為8 mm,白片厚度t=1 650/f0=0.16 mm。欲提高晶體濾波器的阻帶抑制度,必須使晶體寄生振蕩頻率遠(yuǎn)離主振,且寄生幅度應(yīng)抑制到最小值,能陷理論[8]能夠給出,晶體片的邊緣到達(dá)電極邊緣距離L=18 t時,振動波就有40 dB的衰減,晶體片的電極面積越大,寄生衰減越差,寄生離主振頻率越近。綜合以上因素及晶體的等效電阻R1,等效電感L1,等效電容C1,及靜電容C0諸因素,我們選取電極直徑為2.5 mm。該產(chǎn)品的其他參數(shù)設(shè)計(jì)為:C1=7 F;L1=31mH;R1=35Ω;C0=1.7 pF;寄生抑制≥30 dB。

      2.3.2 電路圖中其它元件值的計(jì)算

      特性阻抗RT的計(jì)算

      差接橋電感值Lt和在通帶中心頻率上與之諧振的電容值Ct的計(jì)算

      其中RT為特性阻抗;Qt為變量器電感線圈質(zhì)量因素。

      晶體濾波器電路圖中:

      將差接變量器、晶體及調(diào)諧電容C1、C2、C3、C4、C5等上述理論計(jì)算出的元件值,在搭配好的實(shí)際電路中進(jìn)行試驗(yàn),按圖1電路裝配后,反復(fù)調(diào)整,產(chǎn)品在HP8714ET網(wǎng)絡(luò)分析儀上調(diào)試,最終調(diào)試出合格的幅頻特性曲線。經(jīng)過調(diào)試的實(shí)際濾波器產(chǎn)品的各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)規(guī)范值,其中主要指標(biāo)如插損IL≤3 dB;3 dB帶寬≥±19 kHz;阻帶衰減≥60 dB(偏離中心頻率50 kHz以外);通帶波動≤1 dB等均達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)值,其他各項(xiàng)參數(shù)比如矩形系數(shù)要求很小也符合規(guī)定。圖3為裝配調(diào)試好的10.7 MHz晶體濾波器實(shí)物。

      圖3 10.7MHz晶體濾波器實(shí)物照片F(xiàn)ig.3 Real photograph of 10.7 MHz crystal filter

      4 結(jié)束語

      文中所用的晶體濾波器設(shè)計(jì)方法比較簡單靈活,在實(shí)際生產(chǎn)應(yīng)用中使用較多,設(shè)計(jì)生產(chǎn)效果也比較好,理論與實(shí)際比較一致。首先要解決濾波振子頻率的設(shè)計(jì)及電路的設(shè)計(jì),還要根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)來解決一些理論計(jì)算問題,同時還要兼顧插損、寄生抑制及阻帶衰減等技術(shù)指標(biāo)的要求。在實(shí)際制作中還可能會遇到一些問題,列如節(jié)與節(jié)之問要采取適當(dāng)?shù)倪B接方式,合理地設(shè)計(jì)印制板的布線等問題,今后還得進(jìn)一步研究。

      [1]馮致禮,王之興.晶體濾波器[M].北京:宇航出版社,1987.

      [2]李忠誠.現(xiàn)代濾波器設(shè)計(jì)[M].北京:國防工業(yè)出版社,1981.

      [3]KINSAMAN R G.Crystal filter[M].New York:Academic Press,1998.

      [4]BOND W L.Crystal technology[M].Chichester:John Wiley,2000.

      [5]陳翠香.寬帶晶體濾波器的設(shè)計(jì)與試制[J].壓電晶體技術(shù),1992(1):23-25.CHEN Cui-xiang.Design and manufacture of broadband crystal filter[J].Piezoelectric Crystal Technology,1992(1):23-25.

      [6]靳寶安,王林力.LST-15MHz晶體濾波器設(shè)計(jì)[J].壓電與聲光,2005,27(3):675.JIN Bao-an,WANG Lin-li.LST-15MHz crystal filter design[J].Piezoelectric And Acousto-optic,2005,27(3):675.

      [7]靳寶安,王林力.LST-2.45 MHz單邊帶晶體濾波器設(shè)計(jì)[J].人工晶體學(xué)報,2006,35(6):1155-1159.JIN Bao-an,WANG Lin-li.LST-2.45 MHz single sideband crystal filter design[J].Journal of Synthetic Crystals,2006,35(6):1155-1159.

      [8]張福學(xué),孫康.壓電學(xué)(下冊)[M].北京:科學(xué)出版社,1984.

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