吳浩波,曾凡浩,袁鐵錘
(中南大學(xué)粉末冶金國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,湖南 長(zhǎng)沙 410083)
Ti-Cu-Nb合金釬料的制備及其在SiC表面潤(rùn)濕性的研究
吳浩波,曾凡浩,袁鐵錘
(中南大學(xué)粉末冶金國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,湖南 長(zhǎng)沙 410083)
采用真空電弧熔煉法制備Ti-50Cu-5Nb(質(zhì)量分?jǐn)?shù))合金釬料。根據(jù)DSC曲線確定出合金釬料的熔化溫度為980~1 050℃;通過(guò)能譜(EDS)和X射線衍射(XRD)分析得出釬料化學(xué)組成主要為Cu3Ti2和CuTi2,Nb元素以固溶體的形式存在于鈦銅合金中;通過(guò)改良后的座滴法研究了釬料在1 000、1 050和1 100℃下潤(rùn)濕角度的變化情況。實(shí)驗(yàn)表明在高溫下釬料對(duì)基體均有很好的潤(rùn)濕作用;在釬料與SiC基體反應(yīng)界面,主要生成物TiSi促進(jìn)了潤(rùn)濕過(guò)程的進(jìn)行。
釬焊;微觀結(jié)構(gòu);潤(rùn)濕性;反應(yīng)界面
工程陶瓷材料是一種新型工程材料,它的應(yīng)用范圍十分廣泛[1]。SiC陶瓷是工程陶瓷材料中重要的非氧化物陶瓷,由共價(jià)鍵構(gòu)成,在高溫下具有很高的強(qiáng)度,同時(shí)還具有良好的抗蠕變、耐磨損、熱穩(wěn)定、耐腐蝕性能及較高的熱導(dǎo)率。和其他陶瓷材料一樣,SiC陶瓷也具有沖擊韌性較低、塑性差、加工性能差等缺點(diǎn)[2]。因此,為了發(fā)揮不同材料的特性,在化工、核工業(yè)和航空航天等領(lǐng)域,有時(shí)需要將SiC陶瓷與金屬連接起來(lái)。例如,空間反射鏡的鏡面材料SiC與反射鏡支撐的鋼結(jié)構(gòu)之間就需要采用冶金方法進(jìn)行連接[3]。SiC陶瓷主要含有共價(jià)鍵,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出非常穩(wěn)定的電子配位,很難被含有金屬鍵的合金熔融液滴潤(rùn)濕,因此SiC陶瓷與鋼材之間的可靠連接成為亟需解決的問(wèn)題。目前,SiC陶瓷與不銹鋼之間的連接方法主要有擴(kuò)散焊[4-5]和釬焊[6-9]等。在釬焊過(guò)程中,為了保證 SiC陶瓷與不銹鋼連接的有效性,釬料與SiC陶瓷基體之間的潤(rùn)濕性研究成為重要課題。金屬Cu具有低強(qiáng)度和高延性,可以釋放在冷凝過(guò)程中產(chǎn)生的熱應(yīng)力,金屬Nb的熱膨脹系數(shù)和SiC相近,也可減小因熱膨脹系數(shù)差異過(guò)大而產(chǎn)生的大量?jī)?nèi)應(yīng)力。故本研究選用價(jià)格較低廉的Ti-50Cu-5Nb(質(zhì)量分?jǐn)?shù))合金釬料,通過(guò)研究釬料的DSC差熱曲線,確定合金釬料的熔化溫度。結(jié)合釬料的微觀組織及其在SiC陶瓷表面的潤(rùn)濕性,為SiC陶瓷與不銹鋼之間的連接做出一定的技術(shù)準(zhǔn)備和理論支持。
將TA0工業(yè)純鈦、市售銅塊和鈮片按照質(zhì)量分?jǐn)?shù)為45∶50∶5的比例配料后,采用真空電弧熔煉爐熔制(真空度為5×10-3Pa、電弧電流強(qiáng)度為1 100~1 300 A)質(zhì)量為80 g的Ti-50Cu-5Nb合金扁錠。采用電磁攪拌系統(tǒng)保證合金在熔融過(guò)程中成分均勻。
用機(jī)械線切割方法在獲得的扁錠上切取3 mm×3 mm×3 mm的方塊,鑲制成金相試樣后,用砂紙打磨,并用氧化鉻進(jìn)行拋光,采用HF、HNO3、H2O體積比為1∶3∶7的腐蝕液進(jìn)行腐蝕,10 s后洗凈樣品,觀察微觀組織。
切取質(zhì)量為42.457 mg小片經(jīng)表面打磨,去除氧化層和雜質(zhì),再用丙酮清洗干凈進(jìn)行DSC差熱分析實(shí)驗(yàn)。升溫速率設(shè)為10℃/min,為了減少試樣揮發(fā)對(duì)檢測(cè)器的腐蝕,氣氛選擇為氮?dú)狻?shí)驗(yàn)過(guò)程中記錄樣品吸熱、放熱的速率與溫度之間的線性關(guān)系。
將20 mm×20 mm×4 mm的SiC陶瓷片表面打磨拋光后,放入爐中預(yù)燒至1 000℃,通過(guò)一段Al2O3導(dǎo)管將切取的3 mm×3 mm×3 mm的Ti-50Cu-5Nb合金釬料塊放在預(yù)燒好的SiC基板上,測(cè)量潤(rùn)濕角、鋪展面積和液滴高度隨時(shí)間變化的曲線。
采用SDT Q600熱流型DSC測(cè)量?jī)x分析DSC變化曲線,合金釬料和潤(rùn)濕樣品截面打磨拋光后采用Lecia MeF3A偏光顯微鏡分析微觀組織形態(tài),采用FEINanoSEM 230掃描電鏡及附帶的能量色散譜儀分析樣品的形貌和成分,用型號(hào)為D/max-2550 VB的X射線衍射儀(Cu靶Kα輻射)對(duì)試樣進(jìn)行物相分析。
圖1所示為T(mén)i-50Cu-5Nb合金釬料在預(yù)定設(shè)置下的DSC曲線,曲線上有1個(gè)吸熱峰和2個(gè)放熱峰,依次對(duì)應(yīng)的是幾個(gè)熔化與分解的過(guò)程。吸熱峰的峰值溫度在960℃左右,主要為固相成分?jǐn)U散時(shí)克服缺陷所作的功。第1個(gè)放熱峰的峰值溫度在980~1 000℃左右,是合金釬料熱分解的第一階段,在此階段,釬料成分Cu3Ti2開(kāi)始熔化。第2個(gè)放熱峰是CuTi2熔化形成的,溫度范圍在1 030~1 070℃之間,金屬間化合物Cu3Ti2的作用導(dǎo)致了CuTi2的熔點(diǎn)升高。取放熱峰值溫度1 000(A峰)、1 050(B峰)和1 100℃為釬料潤(rùn)濕實(shí)驗(yàn)的參考熔化溫度,后續(xù)實(shí)驗(yàn)中在以上溫度分別考察釬料在SiC表面的潤(rùn)濕性。
圖1 Ti-50Cu-5Nb合金釬料的DSC曲線Fig.1 DSC curve of Ti-50Cu-5Nb solder
圖2為T(mén)i-50Cu-5Nb合金釬料掃描電鏡照片。表1為EDS能譜分析得到的圖2中A、B、C點(diǎn)的元素含量。圖3為T(mén)i-50Cu-5Nb合金釬料的XRD圖譜。
圖2 Ti-50Cu-5Nb合金釬料的掃描照片F(xiàn)ig.2 SEM images of Ti-50Cu-5Nb solder
表1A、B和C點(diǎn)的元素含量(x/%)Table 1 The element contents of A、B and C
由圖2a可以看出,合金存在枝晶偏析。結(jié)合表1中的EDS微區(qū)元素含量和圖3中合金釬料的XRD圖譜分析可以看出,圖中A處主要成分為Cu3Ti2。圖中C處Ti元素的含量較A處高,主要由熔點(diǎn)為990℃的CuTi2組成。在C處枝晶分枝上面,析出了白色的點(diǎn)狀區(qū)域B,此區(qū)域中Nb元素的含量較別處高很多,主要是因?yàn)楹辖鹪诶鋮s過(guò)程中產(chǎn)生了富集和偏析。而XRD未能檢測(cè)出Nb元素,這是由于在高溫下少量的Nb以固溶體的形式進(jìn)入到Cu3Ti2或CuTi2晶格內(nèi)部。Nb元素的膨脹系數(shù)較低,與SiC的膨脹系數(shù)相近,使得合金液滴到SiC存在一個(gè)梯度型的應(yīng)力分布。同時(shí),由于其密度較大,沉積在合金液滴和SiC基體之間,可以分離開(kāi)脆性化合物,避免其過(guò)于長(zhǎng)大,增大釬料與基體之間的連接強(qiáng)度。
圖3 Ti-50Cu-5Nb合金釬料的XRD圖譜Fig.3 XRD pattern of the Ti-50Cu-5Nb solder
圖4為T(mén)i-50Cu-5Nb合金釬料在1 000、1 050、1 100℃下潤(rùn)濕角隨保溫時(shí)間的變化曲線。如圖所示,在保溫開(kāi)始后30 s內(nèi),角度下降的速率很大。在保溫時(shí)間超過(guò)100 s后,保溫時(shí)間的變化并不會(huì)引起潤(rùn)濕角的顯著變化。由此可見(jiàn),Ti-Cu合金與SiC之間的反應(yīng)速率較大,界面處化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物迅速達(dá)到飽和,元素之間的擴(kuò)散逐漸變得困難。在反應(yīng)性潤(rùn)濕體系中,影響液體金屬和固體潤(rùn)濕行為的最重要的因素是他們之間能不能發(fā)生化學(xué)互溶。釬料中的活性元素Ti在向SiC基體中擴(kuò)散時(shí),與Si元素結(jié)合生成TiSi,反應(yīng)十分劇烈,這種化合物能顯著減小合金液滴與陶瓷基體之間的界面能。
圖4 Ti-50Cu-5Nb合金釬料在不同溫度下潤(rùn)濕角隨保溫時(shí)間的變化曲線Fig.4 The change of wetting angles of Ti-50Cu-5Nb solders at different temperatures
圖5為1 000℃下合金液滴隨保溫時(shí)間的實(shí)時(shí)變化圖,圖5a為實(shí)驗(yàn)剛開(kāi)始2 s,SiC基座首先與釬料接觸,陶瓷較氣體的熱傳導(dǎo)率高,所以與其接觸的釬料首先從底部開(kāi)始熔化。圖5b為實(shí)驗(yàn)開(kāi)始后第5 s的實(shí)時(shí)變化圖,此時(shí)角度下降為20.36°。第30 s(圖5c)測(cè)得潤(rùn)濕角為5.7°,此時(shí)液滴的高度為0.032 cm,液滴鋪展面積為1.1632 cm2。
圖6為1 000℃下釬料與SiC潤(rùn)濕界面處的掃描電鏡照片。圖7為釬料與SiC潤(rùn)濕界面的XRD圖譜。圖6中A處的能譜分析得出其成分為42.31Ti-1.26Cu-8.93Si-47.5C(原子分?jǐn)?shù)),該相的主要成分C為T(mén)i和SiC基體反應(yīng),生成TiSi(如圖7)時(shí)分離出的C元素。Ti-Cu合金中的Ti元素屬于活性金屬,極易與Si元素發(fā)生反應(yīng)生成TiSi。且SiC基體屬于多孔結(jié)構(gòu),反應(yīng)生成的TiSi沿孔壁迅速形核結(jié)晶長(zhǎng)大,降低了合金液滴與SiC基體之間的應(yīng)力梯度,增強(qiáng)了合金液滴與基體之間的強(qiáng)度。
在脆性化合物區(qū)域,有很多微小的裂紋(見(jiàn)圖6),這些裂紋主要是在冷凝過(guò)程中由于較大的內(nèi)應(yīng)力而導(dǎo)致的,這些細(xì)小裂紋的擴(kuò)展是造成連接失敗的主要原因。
圖6 1 000℃下釬料潤(rùn)濕界面掃描電鏡照片F(xiàn)ig.6 The SEM image of solder and SiC interface at 1 000℃
圖7 釬料與SiC潤(rùn)濕表面XRD圖譜Fig.7 The XRD pattern of the wetting surface of solder and SiC
陶瓷與金屬之間形成過(guò)渡層的物相結(jié)構(gòu)是影響陶瓷與金屬結(jié)合的關(guān)鍵[10]。由于陶瓷與金屬的組織結(jié)構(gòu)、理化性能和力學(xué)性能差異較大,中間過(guò)渡層在兩種母材中的擴(kuò)散能力是不同的。在合金釬料與陶瓷反應(yīng)的一側(cè),擴(kuò)散過(guò)程分為4個(gè)過(guò)程:①中間過(guò)渡層熔化階段,中間層的Cu元素在高溫的作用下發(fā)生塑性變形,界面之間發(fā)生固相擴(kuò)散,Cu元素和Ti元素移動(dòng)至陶瓷表面;②液相成分均勻化階段,經(jīng)過(guò)固相擴(kuò)散后的金屬原子濃度分布不均勻,所以在溫度的作用下液態(tài)的原子之間繼續(xù)擴(kuò)散,Ti-50Cu-5Nb合金釬料對(duì)SiC表面有良好的潤(rùn)濕性,有利于擴(kuò)散過(guò)程的進(jìn)行,同時(shí)母材中的C和Si元素也向液態(tài)金屬中擴(kuò)散,脆相化合物TiSi開(kāi)始形成;③液相成分凝固階段,隨著各原子的擴(kuò)散,液相區(qū)中的溶質(zhì)原子逐步減少,液相開(kāi)始凝固,在合金液滴與SiC的接觸面上,界面反應(yīng)層析出TiSi晶粒,晶粒逐漸長(zhǎng)大,最終液相區(qū)消失;④固相成分均勻化階段,隨擴(kuò)散過(guò)程的進(jìn)一步進(jìn)行,界面反應(yīng)區(qū)內(nèi)生成的新化合物濃度在保溫過(guò)程中逐漸均勻化,形成成分相對(duì)均勻的界面層。
(1)Ti-50Cu-5Nb合金釬料的熔點(diǎn)范圍為980~1 050℃。由于潤(rùn)濕性良好,需要減少合金液滴的流動(dòng)性,故實(shí)際釬焊溫度在950~1 000℃之間。
(2)Ti-50Cu-5Nb合金釬料的主要構(gòu)成化合物為Cu3Ti2和CuTi2,Nb元素以固溶體的形式存在于鈦銅合金中。
(3)Ti-50Cu-5Nb合金釬料在SiC基體表面潤(rùn)濕性良好,最終潤(rùn)濕角度在保溫100 s后達(dá)到穩(wěn)定,鋪展情況良好。這是由于合金中的Ti元素與SiC基體中的Si反應(yīng)生成大量的TiSi所致。反應(yīng)過(guò)快會(huì)生成大量的脆性物質(zhì),聚集在合金液滴和SiC基體之間,因此實(shí)際連接中需要控制工藝參數(shù)來(lái)減緩反應(yīng)速度。
[1]顧鈺熹,鄒耀弟,白聞多.陶瓷與金屬的連接[M].北京:化學(xué)工業(yè)出版社,2010:1.
[2]林國(guó)標(biāo),黃繼華,張建綱,等.SiC陶瓷與Ti合金的(Ag-Cu-Ti)-W復(fù)合釬焊接頭組織結(jié)構(gòu)研究[J].材料工程,2005(10):17-22.
[3]郝寅雷,趙文興,翁志成.新型反射鏡材料—碳化硅[J].宇航材料與工藝,2001(4):11-14.
[4]楊宏寶,李京龍,熊江濤,等.陶瓷基復(fù)合材料與金屬連接的研究進(jìn)展[J].焊接,2007(12):19-23.
[5]陳明和,張中元,余亞平.TC4/SiC擴(kuò)散焊接工藝研究[J].航空制造技術(shù),2000(1):22-23,46.
[6]冀小強(qiáng),李樹(shù)杰,馬天宇,等.用Zr/Nb復(fù)合中間層連接SiC陶瓷與 Ni基高溫合金[J].硅酸鹽學(xué)報(bào),2002,30(3):305-310.
[7]劉會(huì)杰,馮吉才,錢(qián)乙余,等.SiC陶瓷與TC4鈦合金反應(yīng)釬焊的研究[J].焊接,1998(11):22-25.
[8] Liu H J,F(xiàn)eng J C,Qian Y Y,et al.Microstructure and strength of the SiC/TiAl joint brazed with Ag-Cu-Ti filler metal[J].Journal of Materials Science Letters,2000,19(14):1241-1242.
[9]馬光,孫曉亮.鈦基釬料的應(yīng)用及發(fā)展現(xiàn)狀[J].鈦工業(yè)進(jìn)展,2007,24(5):1-4.
[10]李亞江.先進(jìn)材料焊接技術(shù)[M].北京:機(jī)械工業(yè)出版社,2012:307-309.
Study on the Preparation of Ti-Cu-Nb Solder and Its Wettability on SiC Substrate Surface
Wu Haobo,Zeng Fanhao,Yuan Tiechui
(State Key Laboratory of Powder Metallurgy,Central South University,Changsha 410083,China)
The solder of Ti-50Cu-5Nb(mass fraction)was prepared by vacuum arc melting.The melting temperature range of the solders confirmed by the Differential Scanning Calorimeter(DSC)was 980~1 050℃.The compositions of the solder were Cu3Ti2and CuTi2,and the niobium was existed in titanium-copper alloy as solid solution,studied by Energy Dispersive Spectrometer(EDS)and X-ray Diffraction(XRD).The change of the wetting angles was investigated by an improved sessile drop technique at the temperature of 1 000,1 050 and 1 100℃,and the results show that the solder provides outstanding wetting on the substrate.The primary product TiSi accelerated the wetting on the interface between the titanium alloy and SiC.
brazing;microstructure;wettability;interface of the reaction
2013-02-19
國(guó)家自然科學(xué)基金創(chuàng)新群體資助項(xiàng)目(51021063);國(guó)家基礎(chǔ)研究973項(xiàng)目(2011CB605805)
吳浩波(1986—),男,碩士研究生。