嵌入式高速固態(tài)存儲器的設(shè)計

管振輝

（船舶重工集團公司723所，揚州 225001）

0 引 言

嵌入式固態(tài)存儲器是一種將被測量信號存儲起來，用于事后分析處理、運行狀態(tài)記錄、診斷等的裝置。嵌入式存儲器要求有較高的可靠性和掉電數(shù)據(jù)不易丟失等特點，高速、高精度測量系統(tǒng)中往往要求較高的采樣速度、較多的采樣位數(shù)以滿足高保真數(shù)據(jù)還原的需要。作為一種安全、快速的存儲體，NAND FLASH存儲器具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失、可在線重復(fù)編程和擦除、抗震動和沖擊、溫度適應(yīng)范圍寬等特點，得到了非常廣泛的應(yīng)用［1］。本文以NAND FLASH為存儲介質(zhì)，設(shè)計了基于大容量NAND FLASH的嵌入式固態(tài)存儲器，該系統(tǒng)具有速度快、抗震和抗干擾能力強、使用溫度范圍寬等特點，同時考慮了數(shù)據(jù)安全等因素，可方便地用于模擬訓練、雷達、電子對抗、通信對抗等方面的數(shù)據(jù)記錄，具有廣闊的應(yīng)用前景。

1 NAND FLASH存儲器的選擇

NAND FLASH是一種掉電非易失性存儲器，它的記憶載體是半導體材料，比傳統(tǒng)的存儲設(shè)備更能承受較大的溫度變化、較強的機械振動和沖擊，是實現(xiàn)高可靠性、高速度、低功耗和小型化存儲設(shè)備的最佳選擇。并且，隨著半導體技術(shù)的發(fā)展，其讀寫速度和容量仍在不斷提高。NAND FLASH的主要特點如下［2］：

（1）以頁為單位進行讀和寫操作，以塊為單位進行擦除操作，每個塊由多個頁組成，整個NAND FLASH芯片由多個塊組成；

（2）寫操作只能使數(shù)據(jù)位為“0”，擦除操作只能使數(shù)據(jù)位為“1”；

（3）采用1組總線完成數(shù)據(jù)、命令和地址等操作，按字節(jié)串行訪問數(shù)據(jù)；

（4）芯片體積小，重量輕，存儲密度高；

（5）芯片中存在無效塊，并且使用中也會產(chǎn)生無效塊，但不影響功能。

在嵌入式設(shè)備中選取NAND FLASH存儲器作為存儲介質(zhì)已是流行趨勢。目前NAND FLASH存儲器按其技術(shù)工藝可分為單級單元技術(shù)（SLC）和多級單元技術(shù)（MLC）；按其數(shù)據(jù)接口介面可分為單數(shù)據(jù)速率（SDR）、NV－雙數(shù)據(jù)速率（DDR）和 NVDDR2。對比特性見表1、表2［3］。

表1 技術(shù)工藝一覽表

表2 數(shù)據(jù)接口介面一覽表

為了保證高速的存儲，這里選取NV－DDR2＋SLC結(jié)構(gòu)較為合理。NV－DDR2與常規(guī)的SDR接口有所不同，其數(shù)據(jù)接口定義如下：

DQ［7：0］引腳是數(shù)據(jù)輸入輸出總線，可以作為數(shù)據(jù)端口、地址端口和命令端口?？梢酝ㄟ^控制信號ALE和CLE的狀態(tài)來確定DQ［7：0］的功能。

DQS（DQS＿t）（數(shù)據(jù)閘門）：指示數(shù)據(jù)有效窗口。

DQS＿c（數(shù)據(jù)閘門補充信號），與DQS＿t構(gòu)成差分信號。

CLE（命令鎖存使能）：命令通道使能信號，高電平有效，指明當前總線周期是命令周期、地址周期還是數(shù)據(jù)周期），這時DQ［7：0］口上是命令碼數(shù)據(jù)，如果WE信號有效，就可以將當前的命令碼寫入FLASH。

ALE（地址鎖存使能）：地址通道使能信號，高電平有效，這時DQ［7：0］口上是地址碼數(shù)據(jù)，如果WE信號有效，就可以將當前的地址碼寫入FLASH。

CE＿n（片選）：器件選擇管腳，低電平有效，當要選中器件時，CE＿n為低電平，這時可以對器件進行讀寫操作；CE＿n為高電平時，則不能對器件進行操作。

WE＿n（寫使能）：WE＿n是用來對FLASH 芯片進行寫操作的信號，低電平有效，在 WE＿n信號的上升沿，將當前DQ［7：0］口上的地址、命令或者數(shù)據(jù)寫入到FLASH芯片內(nèi)。

RE＿n（RE＿t）（讀使能）：RE＿n是用來對FLASH芯片進行讀操作的信號，低電平有效，在RE＿n信號的下降沿將FLASH芯片內(nèi)部的地址計數(shù)器加1，經(jīng)時延后，數(shù)據(jù)被送到DQ［7：0］口上。

RE＿c（讀允許補充）：是 RE＿x＿t的輔助信號，可與RE＿t構(gòu)成差分信號。

WP＿n（寫保護）：該信號低電平有效，當芯片處于寫保護狀態(tài)時，對芯片的寫操作和擦除操作均無效。

R／B＿n（準備好／忙）：指示FLASH 芯片的工作狀態(tài)，為低電平時，表示FLASH正處于忙狀態(tài)，芯片不接受外部的操作；當R／B＿n引腳為高電平時，才可以對芯片進行操作。

2 嵌入式固態(tài)存儲器的硬件設(shè)計

2.1 硬件組成

嵌入式固態(tài)存儲器有一定的速度和容量要求，但由于單片NAND FLASH的容量和訪問速度有限，所以要構(gòu)建FLASH存儲器陣列，既可以提高存儲速度，增加存儲容量，又沒有增加太多的硬件電路復(fù)雜程度。本文采用現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）為主控制器，進行片上系統(tǒng)（SoC）設(shè)計來進行高速數(shù)據(jù)傳輸以及對FLASH存儲陣列的數(shù)據(jù)存儲。

硬件組成框圖如圖1所示。

8片由NAND FLASH器件進行位擴展，組成64位DDR接口界面，組成1組FLASH塊接入FPGA；64片NAND FLASH器件分為8組，分別接入FPGA中，F(xiàn)PGA同時接DDR用于高速數(shù)據(jù)緩沖、對外提供4種接口形式；高速數(shù)據(jù)口，根據(jù)需要可重配，用于高速數(shù)據(jù)接口；串行高級技術(shù)附件（SATA）及USB用于計算機訪問接口；網(wǎng)絡(luò)接口用于管理。

2.2 FPGA設(shè)計

由于系統(tǒng)要求進行高速數(shù)據(jù)率的連續(xù)訪問，但對文件管理和整片存儲器的擦除速度要求不高，所以系統(tǒng)中可以進行低速的文件管理和擦除，連續(xù)的訪問速度是最主要考慮的指標。具體體現(xiàn)在對FLASH的操作是：數(shù)據(jù)訪問即對FLASH的頁面的讀和寫通過硬件電路實現(xiàn)，而文件管理、塊擦除、格式化以及無效塊管理等是使用片上處理器通過軟件程序?qū)崿F(xiàn)的。

圖1 硬件組成框圖

圖2 FPGA功能組成框圖

3 性能分析

本文以MT29F256G08AUAAA器件為例進行速度及容量分析，每頁數(shù)據(jù)的讀取時間為35μs，每頁的編程時間為350μs，接口速度為400 MT／s，由于是DDR操作，折合選取時間為5 ns，每頁為8 640 Byte，含連續(xù)區(qū)8 192Byte和離散區(qū)448 Byte。

3.1 速度分析

對NAND FLASH操作一般分為兩部分，片內(nèi)緩沖區(qū)數(shù)據(jù)訪問部分和頁編程部分。

緩沖區(qū)數(shù)據(jù)訪問時間為：8 640 Byte／400 MT／s＝21.6μs。

讀操作時，以讀時間35μs為大，采用乒乓切換方式外部緩沖，故當讀操作時，最大處理時間為35μs，8 640 Byte／35μs＝246 MByte，64片的讀速度為246 MByte×64＝15 GByte。

寫操作時，以讀時間350μs為大，采用乒乓切換方式外部緩沖，故當讀操作時，最大處理時間為350μs，8 640 Byte／350μs＝24.6 MByte，64片的讀速度為246 MByte×64＝1.5 GByte。

3.2 容量分析

單片容量為256 Gbit×64／8＝2 048 GByte，平均最大壞塊數(shù)為640塊，每塊容量為1 024 k Byte，故，總無效容量為：640×1 024 k Byte×64＝42 GByte；該系統(tǒng)設(shè)計容量大約為2 000 GByte；如以1.5 GByte速度進行操作時，該系統(tǒng)可存儲2 000 GByte／1.5 GByte＝22 min。

4 結(jié)束語

本文系統(tǒng)地設(shè)計了基于NAND型FLASH的高速、大容量嵌入式存儲器。從器件選型、硬件設(shè)計、性能分析到最終實現(xiàn)，完整地走過了設(shè)計流程。隨著半導體技術(shù)的飛速發(fā)展，存儲技術(shù)也日新月異，更高性能的存儲器件也將不斷涌現(xiàn)。本文驗證了許多工程原理，可以為今后設(shè)計更高性能的存儲系統(tǒng)提供有益的參考。

［1］吳黎慧，蒲南江，張娟娟.基于閃存陣列的高速存儲方法［J］.電子測試，2011（7）：89－92.

［2］吳昊.高速大容量固態(tài)存儲系統(tǒng)設(shè)計［D］.西安：西安電子科技大學，2010.

［3］Open NAND Flash Interface Specification［EB／OL］.http：／／www.onfi.org，2011－03－09.