Vishay發(fā)布新款具有“R”失效率的QPL鉭氮化物薄膜片式電阻

Vishay Intertechnology，Inc.宣布，推出通過MIL-PRF-55342認(rèn)證的新系列QPL表面貼裝片式電阻——E/H（Ta2N），該電阻具有公認(rèn)的高可靠性，失效率達(dá)到每1 000 h0.01%的“R”級。新款E/H(Ta2N)電阻采用耐潮的鉭氮化物電阻膜技術(shù)制造，為軍工和航天應(yīng)用提供了更好的規(guī)格指標(biāo)，包括0.1%的公差和25 ppm/℃的TCR。

E/H（Ta2N）薄膜電阻具有小于25 dB的超低噪聲，以及低至0.5 ppm/V的電壓系數(shù)。電阻的卷繞端接采用牢固的粘附層，覆蓋一層電鍍鎳柵層，使器件可在+150℃溫度下工作，而粘附層產(chǎn)生的電阻還不到0.010 Ω。

器件有 M55342/01～M55342/12共12種外形尺寸，功率等級為50～1 000 mW，工作電壓為 30～200 V，根據(jù)公差，阻值范圍49.9 Ω～3.3 MΩ。E/H(Ta2N)薄膜電阻現(xiàn)已量產(chǎn)，供貨周期為八周到十周。