·專利技術(shù)·

一種碳酰氟的純化方法

申請(專利)號:201310239401.8

公開(公告)日:2013-09-18

申請(專利權(quán))人:中國船舶重工集團(tuán)公司第七一八研究所

本發(fā)明涉及一種碳酰氟的純化方法，屬于氟化工、電子工業(yè)氣體技術(shù)領(lǐng)域。該純化方法:先將COF2粗產(chǎn)品氣體進(jìn)行脫輕和脫重處理:脫輕處理時，純化裝置底部為－112～－48℃，壓力為0.01 ～0.6 MPa，頂部比底部低0.5 ～30 ℃;脫重處理時，純化裝置底部為－81～80℃，壓力為0.01～0.6 MPa，頂部比底部低0.5 ～30 ℃，得初步精餾混合氣體;再進(jìn)行二次精餾純化:純化裝置底部為－123～ －36 ℃，壓力為 0.01 ～1.03 MPa，頂部比底部低0.2～45℃，得純化后氣體。該純化方法尤其適于CO2含量較多的COF2粗產(chǎn)品氣體，純化后氣體中 COF2純度≥99%，CO2含量 ＜1000×10－6。

一種晶體硅太陽能電池的擴散工藝

申請(專利)號:201310338042.1

公開(公告)日:2013-10-23

申請(專利權(quán))人:中利騰暉光伏科技有限公司

摘要:本發(fā)明公開了一種晶體硅太陽能電池的擴散工藝，主要涉及晶體硅太陽能電池生產(chǎn)過程中液態(tài)磷源擴散法P-N結(jié)的制備，其特征在于，進(jìn)舟后首先在擴散工序的升溫的過程中通少量氧氣，形成一層二氧化硅薄層，使得沉積在硅片表面的磷原子必須通過二氧化硅層這層薄膜才能擴散進(jìn)入硅片，從而達(dá)到均勻擴散的效果，然后先高溫通源沉積，可以快速有效的溶解金屬沉淀和金屬復(fù)合體，再進(jìn)行降溫僅通氮氣，再進(jìn)行補源二次低溫通源沉積，極大地增加了吸雜的驅(qū)動力，最后再進(jìn)行推進(jìn)、冷卻，采用本發(fā)明工藝，能夠有效提升太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率，極大縮短生產(chǎn)時間，提升生產(chǎn)產(chǎn)能，節(jié)省磷源使用量，降低生產(chǎn)成本，且工藝簡單可行，不需要增加額外工序步驟和物料。

一種半導(dǎo)體薄膜生長裝置及其生長方法

申請(專利)號:201310315026.0

公開(公告)日:2013-11-13

申請(專利權(quán))人:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

摘要:本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體薄膜生長設(shè)備及其生長方法，該生長設(shè)備適用于化學(xué)氣相沉積工藝進(jìn)行半導(dǎo)體薄膜的生長。所述半導(dǎo)體薄膜生長設(shè)備，其包括:載氣裝置、液態(tài)源裝置、生長室、旁路以及真空系統(tǒng)，這些部件之間通過管道按一定的邏輯關(guān)系連結(jié)成一個整體;且每條管道可獨立地打開或關(guān)閉。所述液態(tài)源裝置包括多個源瓶，安裝在一個惰性氣體控制柜里，其中源瓶安裝在恒溫槽里，通過載氣鼓泡法將液態(tài)源輸送至生長室，并在生長室中進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)合成所需半導(dǎo)體薄膜。所述載氣直接通過主管道進(jìn)入生長室，并通過打開或關(guān)閉旁路控制生長室氣源，以達(dá)到控制薄膜生長以及切換過程中平衡生長室壓力的目的。

一種氧氣瓶用鋼及其制備方法

申請(專利)號:201310283012.5

公開(公告)日:2013-11-06

申請(專利權(quán))人:江蘇久維壓力容器制造有限公司

摘要:本發(fā)明公開了一種氧氣瓶用鋼，所述鋼由以下重量百分比的化學(xué)成分組成:C 0.10% ～0.25%、Si 0.2% ～0.3%、Mn 0.6% ～0.7%、P 0.01% ～ 0.02%、S 0.01% ～0.02%、Mo 0.20% ～0.22%、Cr 1.0%～1.1%、余量為鐵和不可避免的雜質(zhì)。本發(fā)明還公開了上述氧氣瓶用鋼的制備方法。本發(fā)明的氧氣瓶用鋼具有高強度、高抗壓性、高硬度的優(yōu)點，采用本發(fā)明鋼制成的氧氣瓶在盛裝氧氣時，即使瓶內(nèi)的氧氣稍多，瓶體也不會輕易發(fā)生塑性變形，導(dǎo)致爆炸現(xiàn)象的發(fā)生，并且使用本發(fā)明鋼制成的氧氣瓶在儲藏和運輸過程中，本鋼瓶能更好的經(jīng)受住碰撞和瓶內(nèi)氧氣的高壓力，另外，本發(fā)明提供的煉鋼方法生產(chǎn)成本低，生產(chǎn)過程容易控制，生產(chǎn)工藝過程簡單。

III族氮化物外延結(jié)構(gòu)及其生長方法

申請(專利)號:201310339115.9

公開(公告)日:2013-11-13

申請(專利權(quán))人:廈門市三安光電科技有限公司

摘要:本發(fā)明公開了一種III族氮化物外延結(jié)構(gòu)及其生長方法，其III族氮化物的外延結(jié)構(gòu)，至少包括:Si襯底，和位于Si襯底之上的III族氮化物層，其特征在于:在所述Si襯底和III族氮化物的界面處并列存在Al原子和原位生成的SixNy，其中Al原子起到浸潤Si襯底和銜接III族氮化物層的作用，SixNy用于釋放異質(zhì)外延產(chǎn)生的失配應(yīng)力。