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      界面上的特異離子效應(yīng)*

      2013-02-13 09:25:46袁汝明傅鋼韓國彬
      大學(xué)化學(xué) 2013年2期
      關(guān)鍵詞:表面層電層物理化學(xué)

      袁汝明 傅鋼 韓國彬

      (廈門大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院 福建廈門361005)

      現(xiàn)代物理化學(xué)的發(fā)展強(qiáng)調(diào)從宏觀到微觀,從體相到界面,從靜態(tài)到動態(tài)。那么,什么是界面呢?根據(jù)定義,界面指的是相與相之間的交界面。在物質(zhì)世界中,界面無處不在,在界面上發(fā)生的物理和化學(xué)過程也是不勝枚舉(如吸附、催化、潤濕、乳化等)。從微觀角度看,界面不是指一個幾何分界面,而是指一個薄層,它具有和兩邊基體不同的特殊性質(zhì),即界面效應(yīng)。近年來,隨著現(xiàn)代譜學(xué)方法的發(fā)展和理論模擬的廣泛應(yīng)用,人們對界面行為的認(rèn)識也不斷深入。

      應(yīng)該指出的是,目前國內(nèi)大多數(shù)高校采用的物理化學(xué)教科書中,對于界面問題的介紹基本上是沿用傳統(tǒng)的觀點(diǎn)。在實(shí)際的教學(xué)過程中,我們嘗試將相關(guān)領(lǐng)域的最新信息帶進(jìn)來,以滿足學(xué)生對前沿知識的渴求,激發(fā)學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣,拓寬學(xué)生的知識視野。

      1 液固界面(電極界面)的離子效應(yīng)

      電化學(xué)是物理化學(xué)的一個重要分支,而電極界面的研究又是電化學(xué)中的一個焦點(diǎn)問題。所謂電極界面,通常指用作電極的電子導(dǎo)體(如金屬、某些金屬氧化物、金屬碳化物等)與離子導(dǎo)體(如電解質(zhì)溶液、熔融電解質(zhì)以及固體電解質(zhì))之間的界面。但在不少物理化學(xué)教科書中,對于電極-溶液界面的雙電層結(jié)構(gòu)的介紹相對較為簡略。如天津大學(xué)物理化學(xué)教研室編寫的《物理化學(xué)》[1]、南京大學(xué)物理化學(xué)教研室編寫的《物理化學(xué)》(第4版)[2]以及北京大學(xué)編寫的《物理化學(xué)》[3]都是只提到了固-液界面的雙電層結(jié)構(gòu),而沒有考慮雙電層結(jié)構(gòu)中離子溶劑化作用的影響。事實(shí)上,目前的雙電層結(jié)構(gòu)模型已從Helmholtz緊密層模型、Gouy-Chapman分散層模型以及Gouy-Chapman-Stern(GCS)雙電層模型發(fā)展到對Stern層有更為詳細(xì)描述的BDM雙電層模型(圖1)[4]。由圖1可見,與電極表面相接觸的溶劑化離子層的結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜:具有較強(qiáng)溶劑化的離子,即大部分的溶劑化陽離子以及強(qiáng)溶劑化的陰離子形成外層的Helmholtz面(OHP);部分陰離子由于其溶劑化較弱(至少是與固體表面接觸的一側(cè)無溶劑分子),會遠(yuǎn)離溶劑化層而進(jìn)入電極表面(表面的特性吸附),構(gòu)成內(nèi)部的Helmholtz面(IHP)。與前者相比,后者與電極表面的相互作用會導(dǎo)致更多的電荷聚集到表面,同時陽離子由于電荷補(bǔ)償作用也會進(jìn)入雙電層。這種微觀的雙電層結(jié)構(gòu)圖像可以較好地解釋一些GCS理論都無法說明的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象。在我校編的物理化學(xué)教科書[5]以及南京大學(xué)物理化學(xué)教研室編寫的《物理化學(xué)》(第5版)[6]中已包含上述內(nèi)容。

      圖1 電極-溶液界面的BDM雙電層模型[4]

      分子動力學(xué)方法模擬可以更為清晰地展示不同離子在電極界面上的分布情況。圖2示意了2.2mol·L-1NaCl溶液中Na+和Cl-在電極表面的密度分布[7]。研究表明,當(dāng)電極表面帶正電荷時,Cl-在離電極表面很短的距離內(nèi)即會出現(xiàn)最大值,而Na+由于電荷之間的相互排斥作用而遠(yuǎn)離電極表面。值得一提的是,與水分子中O原子相比,Cl-在電極表面密度分布的峰值出現(xiàn)得更早,說明Cl-的溶劑化程度相對較弱,可與電極表面直接作用而發(fā)生特性吸附。而當(dāng)電極表面帶負(fù)電荷時,Na+比O原子的密度峰值要靠后,這意味著Na+的溶劑化作用強(qiáng),處于外層的Helmholtz面上。由此可見,理論模擬很好地支持了BDM雙電層模型。當(dāng)然,這并不是說電極-溶液界面理論可以蓋棺定論了。隨著更深入的實(shí)驗(yàn)和理論研究,雙電層理論也將不斷地發(fā)展完善。

      圖2 NaCl溶液中各原子或離子在電極表面的密度分布

      2 離子在氣液界面的分布

      溶液的表面吸附同樣也是界面現(xiàn)象中的一個非常重要的概念,它指的是溶質(zhì)在溶液表面層中與在本體溶液中濃度不同的現(xiàn)象。在目前所采用的教科書中,幾乎一致認(rèn)為無機(jī)鹽類在溶液表面表現(xiàn)為負(fù)吸附。例如,南京大學(xué)的《物理化學(xué)》[2,6]認(rèn)為:“無機(jī)強(qiáng)電解質(zhì)和高度水化的有機(jī)物(如蔗糖等)都有負(fù)吸附的行為,其原因在于離子極易水化,將這些高度水化的物質(zhì)從本體移到表面層需要相當(dāng)大的能量才能脫去一部分水。”而在天津大學(xué)的《物理化學(xué)》[1]中指出“無機(jī)酸、堿、鹽類,在水中可解離為正、負(fù)離子,使溶液中分子之間的相互作用增強(qiáng),使溶液的表面張力升高,進(jìn)而使表面吉布斯函數(shù)增高。為了降低這類物質(zhì)的影響,使溶液的表面張力升高得少一些,這類物質(zhì)會自動減小在表面的濃度,使得它在表面層的濃度低于本體濃度,這種現(xiàn)象稱為負(fù)吸附?!?/p>

      最近的分子動力學(xué)模擬研究對教科書上的“傳統(tǒng)”觀點(diǎn)提出了挑戰(zhàn)。Jungwirth等[8]模擬了1.2mol·L-1鹵化鈉(NaF、NaCl、NaBr和NaI)水溶液的氣液界面中陰陽離子的分布情況,發(fā)現(xiàn)對于NaF溶液,不管是Na+還是F-都與氣液界面相排斥,形成一個幾乎是無離子的表面層,表明NaF在表面層的濃度要與比本體溶液中的濃度低,表現(xiàn)為負(fù)吸附,這與“經(jīng)典”的圖像相符。令人驚奇的是,其他3種重鹵素離子(Cl-,Br-和I-),則在接近溶液表面層出現(xiàn)一個濃度峰,甚至比水分子中氧原子峰更前(對于Br-和I-)。也就是說,重鹵素離子在表面層中并不完全水化,僅僅保持一個基本的溶劑化外殼,這與電極界面中離子的特性吸附非常類似。同時為了滿足溶液電中性的條件,陰離子會將配位的陽離子Na+拉至溶液的表面,使得NaCl、NaBr和NaI在表面的濃度高于本體溶液的濃度,這種情況在NaBr和NaI溶液中表現(xiàn)得更為明顯。Ghosal等[9]將分子動力學(xué)模擬和高壓X射線光電子譜(HPPES)實(shí)驗(yàn)相結(jié)合,研究了溴化鉀和碘化鉀溶液的表面吸附,亦得出了一致的結(jié)論。但也應(yīng)該指出的是,模擬僅僅反映了最外層吸附特性,而界面層實(shí)際上有一定的厚度,其整體離子濃度的分布還需要更深入的研究。

      由此可見,不管是在固液電極界面還是氣液界面,離子溶劑化程度是影響界面中濃度分布的重要因素。根據(jù)最新的理論模擬研究,離子的溶劑化程度小(如Cl-、Br-和I-),則比較傾向富集于最外層的界面上;而溶劑化程度大的離子(如Na+和F-),則傾向存在于溶液的內(nèi)部。值得一提是,現(xiàn)有的理論圖像仍有一定的不確定性,新的界面理論的確立還需要更多確鑿的實(shí)驗(yàn)和理論證據(jù)。

      通過上述兩個例子可以看出,在實(shí)際教學(xué)過程中,教師不能只限于講授經(jīng)典的觀點(diǎn),還應(yīng)該結(jié)合目前科研的最新成果,引入質(zhì)疑,拓寬學(xué)生的視野,為他們今后的工作和科研打下扎實(shí)的基礎(chǔ)。

      [1]天津大學(xué)物理化學(xué)教研室.物理化學(xué).第5版.北京:高等教育出版社,2009

      [2]傅獻(xiàn)彩,沈文霞,姚天揚(yáng),等.物理化學(xué).第4版.北京:高等教育出版社,1990

      [3]韓德剛,高執(zhí)棣,高盤良.物理化學(xué).北京:高等教育出版社,2001

      [4]Spohr E.J Electroanal Chem,1998,450:327

      [5]孫世剛,王野,陳良坦,等.物理化學(xué).廈門:廈門大學(xué)出版社,2008

      [6]傅獻(xiàn)彩,沈文霞,姚天揚(yáng),等.物理化學(xué).第5版.北京:高等教育出版社,2009

      [7]Kolb D M.Angew ChemⅠnt Ed,2001,40:1162

      [8]Jungwirth P,Tobias D J.Chem Rev,2006,106:1259

      [9]Ghosal S,Hemminger J C,Bluhm H,et al.Science,2005,307:563

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