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    Ba(Fe0.5Nb0.5)O3/Ni復合陶瓷材料介電性能的研究

    2013-01-30 04:33:26張亮亮李世鵬
    陜西科技大學學報 2013年6期
    關(guān)鍵詞:陶瓷材料介電常數(shù)滲流

    王 卓, 張亮亮, 李世鵬, 馬 妍, 呂 欣

    (1.陜西科技大學 材料科學與工程學院, 陜西 西安 710021; 2.武漢科技大學 耐火材料與高溫陶瓷國家重點實驗室培育基地, 湖北 武漢 430081; 3.浙江大學 材料科學與工程學系, 浙江 杭州 310027)

    0 引言

    電子技術(shù)的不斷發(fā)展,要求元器件在不斷微型化的同時,還需具備低損耗、高儲能、高可靠性、高精度以及功能集成化等特點.一般而言,單質(zhì)材料很難滿足這些需求.例如多層電容器(MLCC)、電子濾波器、邏輯電路等的原材料,都是通過向基體陶瓷材料中摻雜來完成,以實現(xiàn)材料內(nèi)的電荷平衡、缺陷控制、晶粒尺寸調(diào)整和結(jié)晶性能的改善等.因此,制備具有超高介電常數(shù),甚至具有多種功能的復合材料[1,2],具有極其重要的意義.

    巨介電常數(shù)材料CaCu3Ti4O12[3,4],由于它的無鉛化和具有極其高的介電常數(shù)值(εr≈105),近些年來引起了人們的熱切關(guān)注.與CaCu3Ti4O12陶瓷的介電行為類似,鐵鈮酸鋇(BFN)基陶瓷也同樣擁有高介電常數(shù)值和獨特的介電弛豫行為[5-8],這種材料在較寬的溫度和頻率范圍內(nèi)展現(xiàn)出了較大的巨介電常數(shù)平臺(介電常數(shù)級數(shù)范圍為103~105),也成為了人們研究的一個熱點.但由于BFN基陶瓷材料本身存在的一些缺陷,例如材料內(nèi)部的損耗較大,所以在實際應用中受到了限制.

    目前,很多研究者通過在巨介電常數(shù)陶瓷中添加金屬相來達到改善陶瓷性能的目的,人們已經(jīng)研究了PZT/Ag[9], PZT/Pt[10]和BaTiO3/Ni[11]等復合陶瓷的力學和電性能.研究結(jié)果表明,金屬的引入能夠有效地改善陶瓷的相關(guān)性能.而且一定含量金屬的引入,特別是在滲流閾值附近時能有效地提高這類陶瓷材料的介電常數(shù)[12-15],且滲流理論認為[16-18],在導體/絕緣體復合體系中,隨著導電相含量的增加,材料會經(jīng)歷絕緣相到導體相的轉(zhuǎn)變過程.

    基于在巨介電常數(shù)陶瓷中添加金屬相的諸多研究和相關(guān)理論,通過選取在無鉛高介電常數(shù)BFN中摻入金屬Ni,有望使BFN/Ni復相材料成為超高介電常數(shù)的一種新型材料.

    因此,本實驗在N2氣氛下制備了BFN/Ni復相陶瓷,并利用XRD和電子顯微鏡SEM分別對其晶體結(jié)構(gòu)和顯微組織進行了表征,研究了Ni摻雜量對BFN/Ni復合陶瓷介電常數(shù)和介電損耗的影響,從而確定了該體系的滲流閾值范圍.

    1 實驗部分

    以BaCO3、Fe2O3、Nb2O5、Ni為原料,采用傳統(tǒng)固相法將烘干后的原料按通式(1-x)BFN/xNi (x=0.1, 0.2, 0.3)的不同化學計量比進行配料,將配好的料在行星球磨機球磨4 h后,于1 100 ℃預燒3 h,將預燒后的粉料進行二次球磨,加入5%的聚乙烯醇造粒,在98 MPa的壓力下壓制成厚度均勻的薄圓片.在1 150 ℃~1 250 ℃N2氣氛中燒結(jié)3 h,升溫速率為3 ℃/min,降溫速率為5 ℃/min. 燒結(jié)后的試樣拋光后被銀,于600 ℃下得到銀電極.

    采用日本理學D/MAX-2550/PC自動X射線衍射儀(XRD)對晶體結(jié)構(gòu)及物像組成進行分析;用E1045型掃描電鏡(SEM)觀測樣品自然表面的顯微結(jié)構(gòu);用Agilent-E4980A高精度阻抗分析儀進行介電頻譜、介電溫譜和電阻率的測試.

    2 結(jié)果與討論

    2.1 復相陶瓷樣品晶體結(jié)構(gòu)分析

    圖1為N2氣氛下燒結(jié)3 h的(1-x)BFN/xNi復相陶瓷的XRD圖譜.從圖1中可以看出,當x=0.1和0.2時,BFN與Ni發(fā)生了部分反應,生成了NiFe2O4.隨著摻入量增加到x=0.3時,Ni摻入量在一定程度上抑制了NiFe2O4第二相的出現(xiàn),復相陶瓷中只含有BFN和Ni兩相.還可以看出51.7 °和76.2 °的衍射峰強度會隨其含量的增加而增強,而這兩個角度的峰值正是金屬Ni的特征衍射峰.BFN的峰位沒有發(fā)生偏移,這說明采用傳統(tǒng)固相法在氮氣氣氛中成功地制備出了BFN/Ni復相陶瓷材料.

    圖1 (1-x)BFN/xNi(x=0.1, 0.2, 0.3)復相陶瓷的XRD圖譜

    2.2 復相陶瓷樣品顯微組織分析

    圖2給出了不同Ni摻雜量時BFN/Ni復相陶瓷樣品的SEM圖片.從圖2中可以看出,所有組分復相陶瓷的燒結(jié)體都較為致密,晶粒發(fā)育良好、尺寸較大,分布比較均勻,晶粒尺寸隨著Ni含量的增加有長大的趨勢.圖2(d)是Ni含量為30 wt%時BFN晶粒的EDS圖譜,從圖中可以看到,陶瓷晶粒中只含有BFN的相關(guān)元素,沒有Ni元素存在(詳見表1).這說明Ni沒有固溶到BFN晶格中形成固溶體,這與圖1中x=0.3的結(jié)論一致.

    圖2 (1-x)BFN/xNi復相陶瓷的SEM圖

    表1 復相陶瓷EDS圖譜的分析結(jié)果(x=0.3)

    2.3 復相陶瓷樣品電性能分析

    圖3是BFN/Ni復相陶瓷的電阻率在室溫下隨Ni含量的變化曲線.從圖3中可以看出,當Ni含量在10~30 wt%范圍內(nèi)變化,BFN/Ni復相陶瓷的電阻率發(fā)生了非線性變化,電阻率隨Ni含量的增加呈現(xiàn)出急劇下降,復合陶瓷從絕緣體變?yōu)閷w.當Ni含量為10 wt%時,該復相陶瓷樣品的電阻率約為1.2×103;當Ni含量達到20 wt%時,樣品的電阻率急劇下降;當Ni的含量增加到30 wt%時,電阻率的下降趨勢變得緩和.電阻率的這種變化是因為復合相中鎳粉顆粒相接觸形成了導電網(wǎng)絡,從而使整個混合物導電性發(fā)生了巨大的改變.

    根據(jù)滲流理論可知[19],當金屬含量低于滲流閾值時(ffc),導電顆粒慢慢形成較大的團簇,團簇之間互相交聯(lián)形成了無限連續(xù)結(jié)構(gòu),這時基體中形成導電的通路,復合陶瓷的電導率快速增加,發(fā)生了非線性的突變;隨著導電相的進一步增加,復合體的電導率快速接近導電相的電導率.由此可以確定滲流閾值(fc)在15 wt%左右的范圍內(nèi).

    圖3 室溫條件下(1-x)BFN/xNi (x=0.1, 0.2, 0.3)復相陶瓷的電阻率隨鎳含量的變化曲線

    圖4(a)為BFN/Ni復相陶瓷的介電常數(shù)隨頻率的關(guān)系曲線.從圖中可以看出,在不同的頻率下BFN/Ni復相陶瓷的介電常數(shù)會隨著Ni含量的增加而增大.眾所周知,電介質(zhì)的極化主要來自于材料中的電子位移極化、離子位移極化、偶極子轉(zhuǎn)向極化、熱離子松弛極化、空間電荷極化.在低頻范圍內(nèi),該復相陶瓷的極化機制主要是偶極子轉(zhuǎn)向極化和空間電荷極化,因此電介質(zhì)低頻時具有較高的介電常數(shù),隨著頻率的升高,空間電荷極化跟不上頻率的變化,這種極化機制減弱,導致介電常數(shù)急劇減少.在BFN和Ni的相接觸面處,由于電導率的不同將會集聚大量的移動電荷,并且電荷的數(shù)量會隨著金屬相Ni含量的增大而增加.復相陶瓷試樣的介電常數(shù)在40 kHz時陡然降低,是由于空間電荷的極化跟不上頻率的變化,這種極化機制對材料總極化的貢獻減少.純BFN在1 kHz時,介電常數(shù)約為31 600[5].從圖4(a)可以看出,當Ni的摻入量分別為10 wt%,20 wt%,30 wt%時,復相陶瓷材料的介電常數(shù)依次約為109 000,1 080 000,1 670 000.與純BFN相比較,在BFN基體中摻入金屬Ni后,介電常數(shù)出現(xiàn)了幾個數(shù)量級的急劇增加.

    圖4(b)為BFN/Ni復相陶瓷的介電損耗隨頻率的變化曲線.在不同頻率下隨Ni含量的增加,介電損耗也依次增大,這是由于復相陶瓷中電導的增加.特別是在低頻下,電導損耗占主導地位,所以介電損耗值在低頻下較大.通常,巨介電常數(shù)材料的介電行為可以借助Maxwell-Wagner極化模型來給予解釋.由于在導體和絕緣體的相界面處積累了大量的空間電荷,由此產(chǎn)生界面極化,從而導致介電常數(shù)顯著增大,且隨著導體含量的增加,這種界面效應更加明顯.其次,BFN/Ni復相陶瓷在低頻下大的介電損耗行為也符合Maxwell-Wagner損耗極化模型.

    (a) 介電常數(shù)隨頻率的變化曲線 (b)介電損耗隨頻率的變化曲線圖4 (1-x)BFN/xNi(x=0.1, 0.2, 0.3)復相陶瓷的介電性能隨頻率的變化曲線

    圖5為BFN/Ni復相陶瓷在1 kHz時介電常數(shù)隨溫度的變化曲線.從圖5中可以看出,在給定的頻率下當溫度低于30 ℃時,復相陶瓷樣品的介電常數(shù)隨溫度的升高而增大;在30 ℃~60 ℃時,其介電常數(shù)隨溫度的升高而又急劇下降;之后介電常數(shù)又隨溫度的增加逐漸呈增大的趨勢.與純BFN介溫曲線的變化趨勢相一致[5].在所測試的溫度范圍內(nèi),純BFN的介溫曲線低于x=0.1復相陶瓷.

    由于Fe2+對溫度比較敏感,隨著溫度的升高,陶瓷內(nèi)部Fe2+的濃度增加,在BFN/Ni復相陶瓷兩相的界面處會富集大量的自由電荷,空間電荷極化會使介電常數(shù)進一步增加.因此,復相陶瓷的介電常數(shù)會隨著溫度的增加而逐漸增大.BFN/Ni復相陶瓷的介電常數(shù)會隨著Ni含量的增加而增大,并且當Ni摻雜量為20 wt%和30 wt%時,介電常數(shù)急劇增加.從圖3可知,復相陶瓷樣品的滲流閾值(fc)在15 wt%左右的范圍內(nèi),也就是說當Ni含量達到這一特定值時(f=fc),在復合材料基體中就會形成導電的通路,導體粒子簇與絕緣體之間的界面極化導致了介電常數(shù)在達到滲流閾值點后的顯著增加.

    圖5 (1-x)BFN/xNi(x=0.1, 0.2, 0.3)復相陶瓷在1 kHz時介電常數(shù)隨溫度的變化曲線

    圖6是室溫1 kHz條件下,BFN/Ni復相陶瓷的介電性能隨x的變化曲線.可以看出,復相陶瓷的介電常數(shù)會隨著Ni含量的增加而急劇增大.同樣,介電損耗也隨Ni含量的增加而增大.介電常數(shù)從10 wt%到20 wt%的增長趨勢要明顯大于從20 wt%到30 wt%,并且相應的介電損耗變化也較小,介電常數(shù)的這種變化程度可通過圖3的滲流理論加以解釋,并與圖4及圖5規(guī)律相一致.BFN/Ni復合陶瓷材料在滲流閾值附近獲得了超高介電常數(shù)值.

    圖6 室溫1 kHz條件下(1-x)BFN/xNi(x=0.1, 0.2, 0.3)復相陶瓷的介電常數(shù)和介電損耗隨x的變化曲線

    3 結(jié)論

    本文采用傳統(tǒng)固相法在氮氣氣氛1 150 ℃~1 250 ℃保溫3 小時,成功地制備了(1-x)BFN/xNi(x=0.1, 0.2, 0.3)復相陶瓷. 研究了Ni含量對復相陶瓷樣品晶體結(jié)構(gòu)、顯微組織、滲流閾值及介電性能的影響.

    研究結(jié)果表明:在高溫燒結(jié)過程中,當Ni含量為30 wt%時,BFN和Ni沒有發(fā)生化學反應.BFN/Ni復合陶瓷的電阻率隨著Ni含量的增加而下降,且在滲流閾值附近,復合材料從絕緣體逐漸變?yōu)閷w.BFN/Ni復合陶瓷的介電常數(shù)會隨著Ni含量的增加而急劇增大,當Ni含量為30 wt%時,復相陶瓷材料的介電常數(shù)可達1 670 000,這可以借助Maxwell-Wagner極化模型來給予解釋.這些結(jié)論表明,在基體材料中摻入金屬元素是獲得超高介電常數(shù)的一種有效途徑.

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