耿 莉,楊洪星
(中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所,天津 300220)
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,硅拋光片清洗設(shè)備由原來的手動設(shè)備、半自動設(shè)備逐步發(fā)展到全自動清洗設(shè)備階段,國際上,全自動清洗設(shè)備已經(jīng)成熟,通常帶有一套較為成熟的工藝,這樣可縮短設(shè)備調(diào)試時間,盡快將設(shè)備投入到生產(chǎn)當(dāng)中,但價格昂貴。近年來,國內(nèi)設(shè)備生產(chǎn)廠家加大了全自動清洗設(shè)備的研發(fā)投入,并取得了較大的進(jìn)步,相比于進(jìn)口設(shè)備,國產(chǎn)設(shè)備價格便宜,但無成熟的工藝與設(shè)備相匹配,需要采購廠家進(jìn)行工藝探索,在工藝調(diào)試時間上相應(yīng)要增長,部分設(shè)備被國內(nèi)硅片生產(chǎn)廠成功運用于硅片生產(chǎn)當(dāng)中。本單位采購了一臺國產(chǎn)硅片全自動清洗機,用于50~150 mm(2~6 英寸)硅單晶拋光片的預(yù)清洗。
在設(shè)備調(diào)試過程中,125 mm 硅拋光片清洗過程中出現(xiàn)邊緣“色斑”現(xiàn)象。本文對“色斑”現(xiàn)象進(jìn)行了分析,通過對清洗液配比、清洗溫度以及快排沖洗等進(jìn)行研究,解決了125 mm 硅拋光片表面的“色斑”現(xiàn)象。
(1)樣品參數(shù)
直徑:125 mm;
電阻率:0.001~0.005 Ω·cm;
晶向:<111>偏<110>4°±1°;
晶片表面經(jīng)正常拋光工藝進(jìn)行拋光。
(2)清洗設(shè)備
HL-WA08型硅片全自動清洗機。
(3)工藝流程
上料位→氫氟酸浸泡清洗→溢流清洗→RCA1# 超聲清洗→快排清洗→RCA2# 浸泡清洗→快排清洗→下料位→甩干→檢驗
快排清洗槽的原理圖見圖1,各裝置的開啟時間、關(guān)閉時間均可獨立控制,并且各裝置開啟、關(guān)閉的順序也可獨立控制。
圖1 快排清洗槽原理圖
(4)試驗方案
針對拋光片表面存在“色斑”現(xiàn)象的問題,對RCA1# 超聲清洗、快排清洗兩個過程進(jìn)行了正交分析,設(shè)計了表1所示的工藝方案。
表1 試驗方案
表2 列出了4個方案的試驗結(jié)果。
表2 試驗結(jié)果
在試驗過程中,發(fā)現(xiàn)“色斑”出現(xiàn)的位置具有一定的規(guī)律性,基本集中于如圖2所示中拋光片被花藍(lán)遮蓋的區(qū)域。
圖2 花藍(lán)與硅片的相對位置
采用表面分析儀對出現(xiàn)“色斑”的區(qū)域進(jìn)行微區(qū)分析發(fā)現(xiàn),“色斑”區(qū)域的霧均值顯著高于正常區(qū)域。這種現(xiàn)象的成因是:1)拋光過程中,拋光片表面不均勻;2)清洗過程中,該區(qū)域沖洗效果不理想,表面殘留的化學(xué)試劑對拋光片表面繼續(xù)腐蝕。從“色斑”位置的規(guī)律性可以判定“色斑”的成因為沖洗效果不理想。經(jīng)采用其他設(shè)備進(jìn)行對比試驗發(fā)現(xiàn),“色斑”是清洗過程造成的。
在文獻(xiàn)[1-3]中介紹了在含有表面活性劑的溶液中顆粒去除機理,使襯底表面與顆粒表面具有相同的電勢,減少顆粒的吸附,防止顆粒的二次吸附等。在清洗液中加入表面活性劑可減少拋光片表面顆粒的吸附。
另一方面,加入表面活性劑后,降低了溶液以及硅片的表面張力,有利于拋光片表面顆粒及殘留化學(xué)品的去除,降低拋光片表面“色斑”現(xiàn)象的比例。
從方案一、方案四之間的對比以及方案二、方案三之間的對比可以看出,在清洗液中加入表面活性劑可降低“色斑”的比例,但僅采用加入表面活性劑的措施,不能徹底解決“色斑”現(xiàn)象。
從方案二、方案三與方案一的對比可以看出,快排沖洗方式對“色斑”現(xiàn)象影響較大,第一步?jīng)_洗是影響整個清洗效果的關(guān)鍵因素。采用下淋方式能夠以溢流方式將拋光片表面的化學(xué)品沖洗下來,減少化學(xué)品對拋光片表面繼續(xù)腐蝕,從而減少“色斑”現(xiàn)象的產(chǎn)生。
綜合上述四個試驗方案,在清洗液中加入表面活性劑、采用“下淋——快排+上噴+下淋——下淋+上噴”清洗方式可有效解決拋光片表面“色斑”問題。
通過工藝試驗,我們得出了以下結(jié)論:
(1)拋光片表面的“色斑”缺陷是拋光片表面清洗效果不理想造成的,尤其在晶片邊緣與花籃接觸位置有化學(xué)試劑殘留,經(jīng)后續(xù)的干燥工藝處理后殘留于表面,從而形成“色斑”。
(2)清洗液中加入表面活性劑,可以在拋光片表面形成一層保護(hù)膜,在后續(xù)的快排沖洗過程中更容易沖洗,而不產(chǎn)生化學(xué)試劑殘留。
(3)快排沖洗過程對沖洗效果影響較大,采用“下淋——快排+上噴+下淋——下淋+上噴”的工藝過程可獲得理想的沖洗效果。
[1]劉玉嶺,檀柏梅,趙之雯,等.表面活性劑在半導(dǎo)體硅材料加工技術(shù)中的應(yīng)用[J].河北工業(yè)大學(xué)學(xué)報,2004,33(2):72-76.
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