TKScope嵌入式仿真開(kāi)發(fā)平臺(tái)講座（46）TKScope最新組件支持最新Cortex－M0＋內(nèi)核的在線仿真和編程

廣州致遠(yuǎn)電子股份有限公司

近期，TKScope全面支持Freescale公司最新推出的基于Cortex－M0＋內(nèi)核的Kinetis家族（L系列／W系列／M系列）微控制器。Cortex－M0＋是Cortex－M0現(xiàn)有服務(wù)市場(chǎng)的有效補(bǔ)充和延伸，使得傳統(tǒng)8位／16位微控制器系統(tǒng)可以轉(zhuǎn)移到32位系統(tǒng)上來(lái)。其軟件兼容性使其能夠方便地被移植到Cortex－M3或Cortex－M4處理器。

1 Freescale Cortex－M0＋內(nèi)核芯片簡(jiǎn)介

Freescale公司推出基于Cortex－M0＋內(nèi)核的Kinetis家族微處理器主要分為三大系列：

Kinetis L系列：汲取了新型ARM Cortex－M0＋處理器的卓越能效和易用性，體現(xiàn)了Kinetis 32位微控制器產(chǎn)品優(yōu)質(zhì)的性能、多元化的外設(shè)、廣泛的支持和可擴(kuò)展性。

Kinetis W系列：解決低于1GHz（290～1020MHz）的無(wú)線連接應(yīng)用。

Kinetis M系列：在ARM Cortex－M0＋內(nèi)核的基礎(chǔ)上集成了一個(gè)高精度Σ－ΔADC，特別適合在低成本、高集成度的單／雙相電表解決方案中使用。

2 TKScope支持Cortex－M0＋內(nèi)核的仿真

TKScope支持Cortex－M0＋的仿真和編程，具體仿真器型號(hào)有：AK100，AK100Pro，K8、K9以及 DK9、DK10。當(dāng)前，支持Cortex－M0＋編譯仿真的主流IDE環(huán)境包括Keil和IAR。

圖1 主流IDE

TKScope支持Cortex－M0＋內(nèi)核的仿真和編程功能特性如下：USB2.0（High Speed）高速通信接口，下載速度達(dá)到1000KB／s；支持片內(nèi)、片外Flash的在線編程／調(diào)試；支持無(wú)限制的RAM斷點(diǎn)；快速單步程序運(yùn)行，最大150步／秒；JTAG最大時(shí)鐘25MHz，可達(dá)到極限的調(diào)試速度；具備獨(dú)立K－Flash燒寫軟件，支持高速量產(chǎn)在線編程；完美支持芯片F(xiàn)lash配置的在線編程，例如芯片加密、解鎖，以及對(duì)特定的Flash區(qū)域?qū)懕Ｗo(hù)及解除寫保護(hù)。

3 TKScope支持Cortex－M0＋內(nèi)核的量產(chǎn)在線編程

TKScope不僅支持Cortex－M0＋片內(nèi)和片外Flash的在線編程，同時(shí)還支持Flash配置數(shù)據(jù)的在線編程，例如芯片加密、解鎖，以及對(duì)特定的Flash區(qū)域?qū)懕Ｗo(hù)及解除寫保護(hù)。

圖2 K－Flash在線編程軟件

TKScope仿真器為用戶提供了完整的解決方案。默認(rèn)在燒寫Flash時(shí)，TKScope的Flash配置界面中的配置數(shù)據(jù)將覆蓋用戶代碼中的配置數(shù)據(jù)，從而有效避免用戶燒寫錯(cuò)誤的配置信息而導(dǎo)致調(diào)試接口將被禁用。

（1）加 密

點(diǎn)擊[Misc Config]選項(xiàng)卡，配置FSEC.SEC項(xiàng)，選擇[MCU security status is secure]狀態(tài)即可。建議FSEC.MEEN項(xiàng)選擇[Mass erase is enabled]，因?yàn)橐坏┱脸唤共⑶移骷幱诩用軤顟B(tài)，仿真器將無(wú)法再對(duì)器件進(jìn)行解鎖。

（2）解 鎖

在加密器件后，TKScope仿真器將不能再通過(guò)調(diào)試接口進(jìn)行連接和調(diào)試。用戶可在TKScope仿真器配置界面的[特殊操作]中對(duì)該器件進(jìn)行解鎖。點(diǎn)擊[特殊操作]按鈕，進(jìn)入解鎖操作界面，如圖5所示。點(diǎn)擊[Unsecure]按鈕，然后按照TKScope彈出的界面提示操作，即可解鎖。

圖3 Flash配置界面

圖4 加密操作

圖5 解鎖操作

（3）寫保護(hù)

TKScope仿真器除了能夠進(jìn)行加密和解鎖操作外，也允許對(duì)特定Flash區(qū)域配置寫保護(hù)。一旦寫保護(hù)生效，則在這些區(qū)域上進(jìn)行的任何編程、擦除操作均會(huì)失敗。寫保護(hù)操作界面如圖6所示。

圖6 寫保護(hù)操作

（4）解寫保護(hù)

如果在燒寫過(guò)程中發(fā)現(xiàn)某些區(qū)域由于寫保護(hù)而導(dǎo)致失敗，可以根據(jù)實(shí)際情況按以下操作來(lái)解除寫保護(hù)。

情況一：如果Flash除第0扇區(qū)外的其他扇區(qū)寫保護(hù)，可使用K－Flash單獨(dú)擦除第0扇區(qū)來(lái)解鎖寫保護(hù)。

情況二：如果Flash的第0扇區(qū)也寫了保護(hù)，則必須使用前面提到的解鎖操作來(lái)解鎖寫保護(hù)。

當(dāng)然，最簡(jiǎn)單的方法是第二種：直接使用解鎖操作來(lái)擦除整片來(lái)解除器件的所有寫保護(hù)。

4 小 結(jié)

TKScope二十年來(lái)致力于嵌入式仿真和在線編程。TKScope仿真器會(huì)不斷支持新增的內(nèi)核種類和芯片型號(hào)，保持與嵌入式處理器同步發(fā)展和進(jìn)步。