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      具有三階諧振腔的S波段LTCC帶通濾波器設(shè)計(jì)

      2012-09-18 02:19:48楊海峰邢孟江
      關(guān)鍵詞:插入損耗原型電感

      楊海峰,邢孟江

      (1.寶雞文理學(xué)院物理與信息技術(shù)系,陜西寶雞 721016;2.西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院,西安 710071)

      隨著無線通信的快速發(fā)展,移動終端向小型化、輕便型方向發(fā)展。濾波器作為射頻組件的重要組成部分,在無線通信領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用[1]。高性能的濾波器對無線通信的品質(zhì)往往有很大的提升。

      濾波器的性能主要取決于通帶中的衰減程度以及帶外的衰減速度。在采用插入損耗法設(shè)計(jì)濾波器過程中用巴特沃茲多項(xiàng)式或切比雪夫多項(xiàng)式逼近插入損耗函數(shù)時(shí),帶外衰減速度隨多項(xiàng)式階數(shù)的增加而增加,但是濾波器的階數(shù)越多插入損耗會增加,同時(shí)器件的體積和制作的難度也會增加,所以在設(shè)計(jì)濾波器時(shí)要考慮系統(tǒng)指標(biāo)要求及封裝要求。

      應(yīng)用低溫共燒陶瓷技術(shù)(LTCC)制作濾波器等無源器件有無可比擬的優(yōu)勢:①采用疊層工藝,有效地減小器件體積;②可以使用導(dǎo)電系數(shù)高的金屬,使得材料傳輸損耗小,頻率特性好;③ 可以混合集成模擬、數(shù)字、射頻等器件及電阻、電容、電感等元件組成多功能組件;④成本相對較少,產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期短等。所以應(yīng)用低溫共燒陶瓷技術(shù)在射頻組件的設(shè)計(jì)方面已有廣泛的應(yīng)用[2]。

      本文采用低溫共燒陶瓷技術(shù),設(shè)計(jì)出了一個(gè)中心頻率為2.4 GHz,相對帶寬為10.4%的三階帶通濾波器,體積僅為3 mm×2 mm×1 mm,在無線局域網(wǎng)和藍(lán)牙等無線通信中有廣泛的用途。

      1 濾波器設(shè)計(jì)

      首先根據(jù)對濾波器指標(biāo)的要求設(shè)計(jì)出了具有切比雪夫特性的三階帶通濾波器。此種濾波器為電容性耦合,由3個(gè)并聯(lián)諧振腔組成。電路原型的求解過程:首先求出低通濾波器的原型,再由導(dǎo)納變換器和并聯(lián)諧振器把低通原型轉(zhuǎn)化為電容耦合的并聯(lián)諧振器。需要注意的是在這種變換中采用的導(dǎo)納變換器如圖1所示,即實(shí)現(xiàn)了用電容耦合[3]。

      也可用ADS等射頻電路設(shè)計(jì)軟件進(jìn)行綜合,快速得到電路原型,如圖2所示。其中的元件值C1=C3=2.58 pF,C2=2.81 pF,C4=C7=0.95 pF,C5=C6=0.40 pF,L1、L2及 L3的值均為1.23 nH。

      得到電路原型之后,完成了設(shè)計(jì)的第1步。下面必須考慮如何利用低溫共燒陶瓷技術(shù)來實(shí)現(xiàn)上述電路的模型結(jié)構(gòu),這時(shí)必須考慮到此器件的工作頻段、各個(gè)元件值的大小和制作電路工藝線的條件等因素??紤]到此次設(shè)計(jì)的濾波器工作在S波段,而且各個(gè)元件值不是很大,所以考慮使用集總參數(shù)的元件來完成設(shè)計(jì)。

      應(yīng)用集中元件來實(shí)現(xiàn)射頻段的電感和電容,可以采用很多方法[4-6],結(jié)合本次設(shè)計(jì)的濾波器電路的具體參數(shù),對于電容值較小的C4和C7采用較簡單的平板電容,如圖3(a)所示,而對于電容值較大的C1、C2和C3采用垂直指插電容,如圖3(b)所示。

      圖3 電容示結(jié)構(gòu)

      設(shè)計(jì)的重點(diǎn)是如何實(shí)現(xiàn)C5和C6電容,當(dāng)然也可以采用平板電容這種最簡單的結(jié)構(gòu),但是也可根據(jù) K.Rambabu 和 Jens Bornemann[7]提出的耦合方法實(shí)現(xiàn)小電容。本文正是采用這種方法,利用了C1、C2和C3這3個(gè)大電容之間耦合效應(yīng),產(chǎn)生2個(gè)小的電容值即C5和C6。采用這樣的方法可以有效地減小器件的尺寸,提高元件的集成度,但是提高了器件的設(shè)計(jì)難度。

      對于電感L1、L2和L3,由于它們的電感值不大,所以很容易用一段傳輸線來等效[8]。最后,根據(jù)工藝條件要求,采用Ferro A6M作為低溫共燒陶瓷的介質(zhì)材料。此種介質(zhì)的相對介電常數(shù)為5.9,每一層的介質(zhì)厚度為84.5 μm,采用金屬銀作為共燒金屬材料,金屬厚度為12 μm。在HFSS中建立的器件模型如圖4所示,共包含10層介質(zhì)和11層金屬。

      圖4 濾波器三維模型

      2 仿真分析

      分別利用Agilent ADS和HFSS對電路原型(圖2)和三維立體模型(圖4)進(jìn)行仿真,對仿真結(jié)果進(jìn)行對比,如圖5所示??梢园l(fā)現(xiàn)建立起的三維立體器件模型在預(yù)設(shè)的通帶中較好地實(shí)現(xiàn)了濾波器的功能,通帶中 S11大于20 dB,S21小于1.5 dB,較好地實(shí)現(xiàn)了帶通濾波器的功能。

      但是在高頻阻帶,三維立體模型和電路模型仿真顯著不同,HFSS仿真結(jié)果在高頻阻帶產(chǎn)生了一個(gè)傳輸零點(diǎn),這是電路原型所沒有的。在帶外產(chǎn)生傳輸零點(diǎn)是由于集總參數(shù)元件的寄生效應(yīng)。

      圖5 濾波器電路和三維電磁仿真對比

      通過分析,寄生效應(yīng)來源于垂直指插大電容C1、C2和C3,這是由于多層金屬結(jié)構(gòu)和共地面產(chǎn)生了寄生電感。正是由于寄生電感的存在,產(chǎn)生了帶外零點(diǎn)??紤]寄生效應(yīng)后的電路如圖6所示。

      圖6 增加寄生電感的電路

      此電路的阻抗矩陣是由圖2所示電路的阻抗矩陣和電感L的阻抗矩陣之和,即

      當(dāng)Z21=0時(shí),表明信號不會由端口1傳輸?shù)蕉丝?。根據(jù)Z矩陣和S矩陣的關(guān)系,此時(shí)S21也為零,即表明產(chǎn)生了傳輸零點(diǎn)。所以可以由傳輸零點(diǎn)的位置反推出電感L4的大小,通過計(jì)算為0.21 nH。

      最后,對比增加寄生電感的電路和三維立體器件模型。如圖7所示,在通帶中和帶外仿真結(jié)果都比較吻合,從而驗(yàn)證了此款帶通濾波器的三維立體模型和電路模型功能一致。

      圖7 考慮寄生電感的電路和三維電磁的仿真結(jié)果

      3 結(jié)束語

      本文提出的具有切比雪夫特性的三階帶通濾波器,在用低溫共燒陶瓷實(shí)現(xiàn)時(shí)有效地利用了耦合電容,使器件結(jié)構(gòu)比較緊湊,體積僅為3 mm×2 mm×1 mm,中心頻率 2.4 GHz插入損耗為1.1 dB,回波損耗為23 dB,相對帶寬為10.4%,帶外2.0 GHz和 2.8 GHz處插入損耗分別達(dá)到35 dB和40 dB。以上數(shù)據(jù)表明,該濾波器比同類型的濾波器有較優(yōu)越的性能。

      [1]Ian C H,Laurent B,Bernard J,et al.Microwave Filters—Applications and Technology[J].Microwave Theory and Techniques,IEEE Transactions on,2002,50(3):794-805.

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      [3]David M P.微波工程[M].3版.北京:電子工業(yè)出版社,2006:355.

      [4]Kwang Lim Choi,Nanju Na,Swaminathan.Characterization of embedded passives using macromodels in LTCC technology[J].Components,Packaging,and Manufacturing Technology,Part B:Advanced Packaging,1998,21(3):258-268.

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      [11]王飛,馬勝前.短截線級聯(lián)發(fā)夾線的帶通濾波器設(shè)計(jì)[J].壓電與聲光,2010(6):1066 -1068.

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