范景林,蔡芃芃
(洛陽電光設(shè)備研究所 河南 洛陽 471000)
近年來,提高開關(guān)電源的功率因數(shù),減輕其對電網(wǎng)的污染成為電源發(fā)展的必然趨勢。為了使輸入電流諧波滿足要求,需要加入功率因數(shù)校正(PFC)電路[1]。目前小功率場合應(yīng)用得最廣泛的是PFC級和PWM級共用一套控制電路,在獲得穩(wěn)定輸出的同時實現(xiàn)功率因數(shù)校正。這種方案具有電路簡單、成本低等優(yōu)點。
文中介紹了一種基于ICE1CS02的PFC+PWM電路的基本原理及其設(shè)計過程,并設(shè)計出500 W實際電路。
英飛凌的ICE1CS02芯片是由功率因數(shù)校正(PFC)和脈寬調(diào)控(PWM)兩種電流模式控制器組成,其中PFC級采用非線性增益電路取代乘法器技術(shù),可以獲得較高的功率因數(shù);而PWM采用電流模式控制,可以提高響應(yīng)速度和輕載時的系統(tǒng)效率。
電路的PFC級采用非隔離式Boost電路,具有效率高、易于實現(xiàn)等特點;而PWM級采用雙管正激電路結(jié)構(gòu),無需復(fù)位繞組,有利于減小變壓器的體積,提高開關(guān)電源功率密度和工作效率[2]。
PFC+雙管正激變換器主電路原理圖如圖1所示。
電路的工作原理簡述如下:當(dāng)電路接通電源時,輸入交流電壓整流后的直流電壓給輔助源提供信號,從而給主控芯片提供啟動電壓。PFC級的電壓、電流反饋信號率先使前級進(jìn)入正常工作,即PFC級輸出電壓400 VDC;后級DC/DC變換電路由TL431獲得偏差信號,經(jīng)光耦隔離后反饋到主控芯片,控制開關(guān)管的導(dǎo)通與截止,實現(xiàn)最終穩(wěn)壓輸出的目的。
在一個開關(guān)周期Ts內(nèi),PFC級MOS管M1開關(guān)一次,后級MOS管M2和M3同步開關(guān)2次,頻率交錯易于消除相互之間的干擾。一個主控芯片提供兩種MOS管的控制信號,簡化了控制電路設(shè)計。
電路中,變壓器起隔離變壓作用,不再需要復(fù)位繞組。二極管D6和D7導(dǎo)通把激磁能量回饋給輸入源,并起去磁作用使變壓器維持磁平衡[3]。
圖1 PFC+雙管正激變換器主電路簡圖Fig.1 Structure diagram of the PFC+PWM Schematic
Saber仿真軟件是美國Synopsys公司開發(fā)的一款功能強(qiáng)大的系統(tǒng)仿真軟件。采用Saber仿真軟件對電路進(jìn)行仿真分析可以驗證電路的工作原理和可行性。
仿真設(shè)計參數(shù):輸入220 VAC;輸出24 V/21 A;后級MOS管工作頻率130 kHz;占空比0.4。
圖2為通過仿真得出的PWM級MOS管的DS電壓和主變壓器T1初級電壓、電流波形。
圖2 后級MOS管的DS電壓波形Fig.2 Simulation of MOSFETS of PWM state
PFC級輸出穩(wěn)定的直流電壓,PWM級MOS管導(dǎo)通時,兩管DS電壓均為零,變壓器輸入電流由于次級儲能電感的作用線性增加,如圖3中電流波形所示。
圖3 主變壓器T1初級電壓、電流波形Fig.3 Simulation of transformer of PWM state
關(guān)斷時,主變壓器初級電勢反向,通過二極管D6、D7把能量返回給輸入端,并完成磁復(fù)位,如圖3中電壓波形所示。
由仿真實驗驗證了電路的基本工作原理。
變壓器設(shè)計是整個電路設(shè)計的重點?,F(xiàn)就500 W電路討論P(yáng)WM級正激式變壓器的設(shè)計(設(shè)計要求以仿真參數(shù)為例):
根據(jù)輸出功率與磁芯尺寸的關(guān)系,粗略估算磁芯有效面積值,選擇磁芯型號的有效面積應(yīng)大于理論計算值[4]。選用了EE42磁芯,其有效面積Ae為2.33 cm2。
電路工作頻率恒定,考慮高溫時飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度Bs會下降,同時為降低高頻工作時磁芯損耗,工作最大磁感應(yīng)在一般選擇為 2 000~2 500 Gs。
Up為變壓器初級繞組電壓幅值;UD是PFC級輸出直流電壓;ΔU1是初級繞組和MOS管的導(dǎo)通壓降之和,在計算中可忽略不記。同理,變壓器次級繞組電壓幅值Us為:
D為占空比,由于雙管正激電路中變壓器需要磁復(fù)位,且根據(jù)伏秒時間相等原則,最大D不可能大于0.5,此處取0.35~0.4。
主變壓器原邊匝數(shù):
EON是功率管導(dǎo)通時變壓器的伏秒量;ΔB磁通增量,此處取0.15~0.2 T。TON為導(dǎo)通時間。
主變壓器副邊匝數(shù):
根據(jù)電流有效值和導(dǎo)線選擇經(jīng)驗,同時考慮高頻工作時導(dǎo)線的集膚效應(yīng),當(dāng)電流較大時,采用多股并繞,每股線徑不得大于2倍穿透深度,漆包線的線徑和股數(shù)可適當(dāng)調(diào)整,使線包每一層能正好繞滿,若計算出的原、副邊匝數(shù)非整數(shù),可選擇匝數(shù)較小的一方取整,再根據(jù)匝比推算其他繞組匝數(shù)[5]。選取初級匝數(shù)為33匝,次級匝數(shù)為5匝。
根據(jù)公式 Ku=Ae/Q校核窗口,窗口系數(shù)Ku約為0.3~0.35。
在計算副邊取整過程中調(diào)整了匝數(shù),應(yīng)由公式Np=(Vin×Ton)/(ΔB×Ae)校核最大磁感應(yīng),最大磁感應(yīng)在 3 000 Gs以內(nèi)。
以下波形無特殊說明即為輸入電壓220 VAC;輸出功率500 W條件測試所得。
PFC電路的主要作用是通過取樣輸入電壓波形,調(diào)整輸入電流波形使之正弦化且相位與電壓波形同步。
圖4 PFC級輸入電壓、電流波形Fig.4 Waveforms of input voltage and current of PFC state
由圖4可以看出,經(jīng)過功率因數(shù)校正電路,輸入電流正弦化,且相位和電壓波形一致。經(jīng)測試,功率因數(shù)達(dá)到了0.99。
對于PWM級雙管正激電路而言,其輸入電壓即為PFC級輸出電壓,基本穩(wěn)定的400 VDC。 由于存在變壓器漏感和一些寄生參數(shù),實際測試波形與仿真得到的波形有一些細(xì)微差別[6]。實驗波形如圖5和圖6所示。
圖5 后級MOS管M1&M2的電壓、電流波形Fig.5 Waveforms of MOSFETS of PWM state
圖6 主變壓器T1初級DS電壓波形Fig.6 Waveforms of transformer of PWM state
磁復(fù)位過程中,上、下兩功率管承受最大電壓不超過直流側(cè)輸入電壓與二極管D6、D7正向壓降之和。磁復(fù)位完成后,高頻變壓器初級電壓被鉗位在零點。此時,M2、M3兩管電壓均被鉗位在輸入電壓的一半位置。此階段一直保持到MOS管的下一次導(dǎo)通。圖5中DS電壓下降至一平臺處即為輸入電壓的一半,也標(biāo)志著磁復(fù)位的完成。
分析了PFC+PWM電路的工作原理,通過500 W原理樣機(jī)測試結(jié)果可以看出,樣機(jī)滿載時效率可達(dá)88%;功率因數(shù)不小于0.99;負(fù)載調(diào)整率不大于0.5%;輸出24 V直流電壓精度較高。驗證了該電路具有驅(qū)動電路簡單、可靠性高、體積小、效率高等優(yōu)點,達(dá)到了在提高功率因數(shù)的前提下進(jìn)行DCDC變換的目的。
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