引入SRAM 的三級緩存技術(shù)在高速通信中的應用

史 赟，鄭永秋，任勇峰

（中北大學電子測試技術(shù)國家重點實驗室，山西太原 030051）

0 引言

在高速通信過程中，發(fā)送方和接收方之間沒有握手信號，發(fā)送方不停地向接收方發(fā)送數(shù)據(jù)，而不管接收方的狀態(tài)。接收方要將收到的數(shù)據(jù)通過USB電纜上傳到終端計算機進行分析，需要數(shù)據(jù)緩存保證數(shù)據(jù)流中的數(shù)據(jù)不丟失，而終端計算機對其內(nèi)部的USB設備是通過輪詢算法檢測的，每次讀完USB設備中的512 Byte數(shù)據(jù)后，向USB設備發(fā)送讀請求，就去檢測其他設備，直到下次檢測到USB設備，才會讀走數(shù)據(jù)?？梢钥闯?，讀數(shù)操作是不連續(xù)的，在終端計算機進程任務繁重時，對USB設備的檢測周期就會延長，滯留在USB設備中的512 Byte數(shù)據(jù)不能被及時讀走，就不會向接收方發(fā)送讀數(shù)請求，接收方的可編程門陣列（field programmable gate array，F(xiàn)PGA）不斷接收數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)在FPGA中存儲，而利用FPGA內(nèi)部的先進先出（first in first out，F(xiàn)IFO）作為緩存，其容量有限，很容易導致緩存溢出，出現(xiàn)丟數(shù)問題。因此，需要較大的存儲介質(zhì)作為數(shù)據(jù)緩存，而靜態(tài)隨機存儲器（static random access memery，SRAM）具備讀寫速度快，控制簡單，已廣泛應用于需要快速存取數(shù)據(jù)的場合［1］。

本文在FPGA外部引入容量為1MByte的SRAM作為外部緩存，設計并實現(xiàn)了三級緩存結(jié)構(gòu)，輸入級和輸出級緩存為FPGA內(nèi)部的FIFO，用于實現(xiàn)與發(fā)送方和終端計算機的通信接口，中間級緩存為SRAM，作為核心存儲，對數(shù)據(jù)進行實時緩存。利用FPGA控制數(shù)據(jù)的傳輸和對SRAM的讀寫操作，簡化了硬件設計和邏輯設計［2］。

1 三級緩存基本原理

圖1為三級緩存結(jié)構(gòu)示意圖。一級緩存為數(shù)據(jù)的輸入緩存，是三級緩存結(jié)構(gòu)與外部的輸入接口，它是利用FPGA內(nèi)部的BLOCK RAM構(gòu)成的，F(xiàn)PGA選用XILINX公司的Spartan3系列的XC3S200芯片，選用其內(nèi)部容量為2 KByte的同步雙口RAM（RAMB16_S9_S9）構(gòu)成一個8位數(shù)據(jù)位寬，容量為2 KByte的內(nèi)部FIFO。與之對稱的是三級緩存，它的構(gòu)造和一級緩存一樣，是數(shù)據(jù)的輸出緩存，作為輸出接口與外部計算機進行通信。為了不使數(shù)據(jù)在輸入緩存丟數(shù)，設定輸入的高速數(shù)據(jù)在輸入緩存中達到10 Byte后，就會存入二級緩存，使容量更大的二級緩存作為主要的存儲緩存;而只有接到讀數(shù)請求后，二級緩存才會將數(shù)據(jù)寫入輸出緩存，輸出緩存中有512 Byte數(shù)據(jù)時，數(shù)據(jù)就會上傳到計算機，所以將輸入和輸出緩存容量設置為2 KByte，緩存容量有較大的冗余量，不會存在溢出問題。

圖1 三級緩存結(jié)構(gòu)Fig.1 Tri-stage buffer structure

二級緩存為FPGA外接的容量為1 MByte的SRAM。為確保不丟數(shù)，應使緩存容量足夠大，本設計選用的SRAM容量為1 MByte，可以確保數(shù)據(jù)傳輸可靠性，保證數(shù)據(jù)不會因為緩存容量不夠而丟失。二級緩存實時地存儲高速數(shù)據(jù)，是高速數(shù)據(jù)存儲的核心部分，數(shù)據(jù)經(jīng)過一級緩存后，主要存儲在二級緩存，當接到三級緩存的讀取數(shù)據(jù)請求時，才把數(shù)據(jù)寫入三級緩存。采用這種三級緩存結(jié)構(gòu)，輸入和輸出緩存為FPGA內(nèi)部的FIFO，便于實現(xiàn)FPGA對數(shù)據(jù)傳輸?shù)目刂?，中間級緩存只需在FPGA外部連接一個SRAM即可，利用FPGA實現(xiàn)對SRAM的讀寫操作，從而簡化了硬件電路。

2 硬件設計

硬件原理框圖如圖2所示。硬件結(jié)構(gòu)主要由FPGA，SRAM芯片、RS485接口芯片、USB2.0芯片等組成。FPGA控制數(shù)據(jù)存入和讀出緩存以及和計算機的USB通信過程，利用其內(nèi)部資源構(gòu)成三級緩存結(jié)構(gòu)的輸入和輸出緩存。SRAM芯片連接在FPGA外部，作為三級緩存結(jié)構(gòu)的中間級緩存。RS485芯片負責將差分形式的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為串行形式的數(shù)據(jù)傳遞給FPGA。USB2.0芯片負責FPGA與計算機USB接口的數(shù)據(jù)通信過程。

圖2 硬件原理框圖Fig.2 Hardware Schematic block diagram

FPGA選用 XILINX公司的 Spartan3系列的XC3S200芯片，它采用多電壓供電，其中內(nèi)核電壓為1.2 V，I/O口驅(qū)動電壓為3.3 V，其他的輔助電壓為2.5 V。該芯片含有4 320個邏輯資源、141個可用的I/O口。外部晶振源頻率為36.864 MHz，利用FPGA內(nèi)部的倍頻模塊對它進行倍頻后作為高速數(shù)據(jù)接收的外部時鐘［3］。

數(shù)據(jù)接收是以RS485標準為物理層基礎(chǔ)，硬件設計選用RS485芯片分別實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)接口和高速時鐘接口。數(shù)據(jù)信號進入FPGA之前，必須經(jīng)過RS485接口芯片進行電壓轉(zhuǎn)換。根據(jù)設計要求，高速接口最高的輸出碼率為7.372 8 Mbit/s，由于本通信系統(tǒng)只是接收數(shù)據(jù)，所以工作在單工模式。因此，RS485接口芯片選用MAX3490，它采用3.3 V單電源供電，波特率最高可達10 Mbit/s，可以支持全雙工工作模式，輸入電壓范圍為－7～+12 V，輸出電壓高電平為最小供電電壓減去0.4 V，低電平最大為0.4 V。

SRAM芯片選用CY7C1059DV33，它的深度為1 M（1M代表106，深度代表SRAM中的位置數(shù)，一個位置8位）。寬度為8 bit，容量為1×8 Mbit，3個控制端控制SRAM的讀寫操作。經(jīng)過RS485芯片轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)首先進入FPGA內(nèi)部FIFO，然后進入與FPGA相連的外部SRAM，計算機下發(fā)讀數(shù)請求后，才將SRAM存儲的數(shù)據(jù)讀出，經(jīng)過FPGA內(nèi)部FIFO送至USB口。

FPGA利用CY7C68013芯片通過USB接口與計算機進行通信。CY7C68013屬于Cypress公司的FX2系列產(chǎn)品，是 Cypress公司生產(chǎn)的第一款USB2.0芯片。CY7C68013是一個帶增強型MCS51內(nèi)核和USB接口的單片機，完全遵從USB2.0協(xié)議，可提供高達480 Mbit/s的傳輸速率;內(nèi)部集成PLL（鎖相環(huán)），最高可使5l內(nèi)核工作在48 MHz;對外提供2個串口，可以方便地與外部通信;片內(nèi)擁有8 KByte的RAM，可完全滿足系統(tǒng)每次傳輸數(shù)據(jù)的需要，無需再外接 RAM［4］。

3 邏輯設計

基于XILINX公司的XILINX7.1開發(fā)環(huán)境利用超高速集成電路硬件描述語言（VHDL）進行邏輯設計。FPGA內(nèi)部模塊主要包括高速寫FIFO模塊、SRAM控制模塊和讀FIFO模塊。圖3為三級緩存的邏輯框圖。

圖3 邏輯框圖Fig.3 Logic block diagram

高速寫FIFO模塊負責將數(shù)據(jù)暫時存入內(nèi)部FIFO中;SRAM控制模塊的功能主要是控制SRAM的讀出、寫入，將一級緩存 FIFO中的數(shù)據(jù)寫入SRAM，將SRAM中的數(shù)據(jù)讀出寫入三級緩存FIFO中。讀FIFO模塊主要是根據(jù)計算機下發(fā)的命令，選擇讀取高速FIFO，并將數(shù)據(jù)送至數(shù)據(jù)總線。

3.1 寫FIFO模塊設計

高速接口包括時鐘和數(shù)據(jù)兩個接口，高速數(shù)據(jù)接收采用同步RS485通信協(xié)議，高速時鐘速率為3.686 4 MHz，與數(shù)據(jù)發(fā)送時鐘同源，可以利用同步時鐘實現(xiàn)數(shù)據(jù)接收同步。高速數(shù)據(jù)具有特定的幀格式，由標志字、ID字和數(shù)據(jù)組成，每幀容量為2 KByte。用特殊的標志字來表示數(shù)據(jù)幀的起始位置，可以識別有效的數(shù)據(jù)信息，從而實現(xiàn)同步［5］。標志字選用16進制數(shù)“FDB18540”，這種標志字經(jīng)過大量測試表明它的獨立性很好，不會和數(shù)據(jù)內(nèi)容重復，可以有效避免假同步現(xiàn)象。高速數(shù)據(jù)進入一級緩存時，在同步高速時鐘的下降沿時，檢測高速數(shù)據(jù)的標志字，當檢測到標志字時，就意味著有效數(shù)據(jù)的到來，將數(shù)據(jù)寫入FPGA內(nèi)部FIFO緩存中。寫FIFO模塊流程圖如圖4所示。

圖4 寫FIFO模塊流程圖Fig.4 Flow chart ofwriting FIFOmodule

3.2 讀FIFO模塊設計

讀FIFO模塊是通過FPGA內(nèi)部集成FIFO半滿信號觸發(fā)CY7C68013單片機進行讀數(shù)的，單片機通過與FPGA相連的PA2接口利用運行在其內(nèi)的固件程序檢測到FIFO半滿信號后，單片機才開始從FIFO中讀取數(shù)據(jù)，執(zhí)行每次讀操作，連續(xù)從FIFO中讀取512 Byte數(shù)據(jù)，F(xiàn)IFO半滿信號是讀FIFO模塊通過比較FIFO讀寫地址的差值而對其賦值的，當寫地址與讀地址之差大于512時，F(xiàn)IFO半滿信號賦值為0，否則為1，這里設定讀寫地址差值為512，是由于USB設備一次只讀取512 Byte數(shù)據(jù)，F(xiàn)IFO中緩存的數(shù)據(jù)只要大于512 Byte時，就應觸發(fā)USB設備讀取數(shù)據(jù)，這樣可以避免多余數(shù)據(jù)在FIFO中積存引起的丟數(shù)現(xiàn)象。利用FIFO半滿信號控制讀數(shù)過程，可以有效防止空讀和誤讀現(xiàn)象［6］。

3.3 SRAM控制模塊設計

SRAM控制模塊包括寫SRAM和讀SRAM兩部分，寫SRAM是由一級緩存FIFO的半滿信號觸發(fā)的，當半滿信號有效時，開始寫SRAM。讀SRAM是通過讀FIFO模塊傳遞過來的request信號來控制的，當request信號有效時，讀取SRAM中的數(shù)據(jù)，然后將它寫入到三級FIFO。通過SRAM的3個控制端來控制外部的SRAM的讀寫操作，具體的SRAM控制模塊的流程圖如圖5所示。

圖5 SRAM控制模塊的流程圖Fig.5 Flow chart of SRAM controlmodule

SRAM 的訪問控制由wesram，oesram，cesram 3個控制端決定，寫SRAM和讀SRAM時，控制線、地址線和數(shù)據(jù)線要有一定的時序先后，才能保證操作正確。設計中對寫SRAM和讀SRAM進行了時序仿真。圖6和圖7分別示意了SRAM的寫時序和讀時序。外部時鐘速率為36.864 MHZ。

圖6 SRAM寫時序Fig.6 Time sequence of writing SRAM

執(zhí)行寫SRAM操作時，cesram保持低電平，oesram保持高電平，先將地址送到地址線上，同時wesram變?yōu)榈碗娖?，低電平狀態(tài)至少要保持7 ns，才會保證數(shù)據(jù)寫入SRAM，本設計中，wesram低電平保持時間約為80 ns。地址保持一個時鐘周期后，將數(shù)據(jù)送到數(shù)據(jù)線上，數(shù)據(jù)寫入SRAM，完成一次寫SRAM過程。而后，寫地址遞增，以后的寫SRAM操作重復此過程。

圖7 SRAM讀時序Fig.7 Time sequence of reading SRAM

讀SRAM時，cesram保持低電平，wesram保持高電平，請求信號request為低電平。先將讀地址送到地址線上，同時oesram變?yōu)榈碗娖剑跀?shù)據(jù)到來之前，oesram的低電平狀態(tài)至少要保持5 ns，本設計低電平保持時間約為160 ns。地址保持兩個時鐘周期后，數(shù)據(jù)被讀出送到數(shù)據(jù)線上，完成一次讀SRAM過程。而后，讀地址遞增，重復此過程。

4 測試與結(jié)論

為驗證三級緩存設計在高速通信應用過程中的可靠性和穩(wěn)定性，進行了多次讀數(shù)測試，并將接收到的結(jié)果進行分析，結(jié)果表明，運用此技術(shù)后，高速數(shù)據(jù)通信過程中沒有出現(xiàn)丟數(shù)現(xiàn)象，而沒有應用此技術(shù)的情形，丟數(shù)現(xiàn)象在測試中會隨機出現(xiàn)。引入

SRAM作為外部緩存，結(jié)合FPGA內(nèi)部FIFO設計的三級緩存結(jié)構(gòu)，可以可靠地緩存高速數(shù)據(jù)，目前在高速通信中已得到了很好的應用。

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