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    改進Hummers法化學(xué)合成石墨烯及其表征

    2012-05-07 09:51:42周立群宋荷娟羅辛茹
    化學(xué)與生物工程 2012年5期
    關(guān)鍵詞:石墨分析

    洪 菲,周立群,黃 瑩,宋荷娟,王 婷,羅辛茹,伍 珍

    (湖北大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院,湖北 武漢 430062)

    石墨烯(Graphene,又稱單層石墨或二維石墨) 是由碳原子按正六邊形緊密排列成蜂窩狀晶格的單層二維平面結(jié)構(gòu),被認(rèn)為是富勒烯、碳納米管和石墨的基本結(jié)構(gòu)單元[1],所以被稱為碳材料之母。人們進行石墨烯的理論研究已有60 多年,然而,直到2004年,英國Manchester大學(xué)的Geim小組首次用機械剝離高定向熱解石墨(HOPG)才獲得了獨立存在的高質(zhì)量石墨烯[2]。石墨烯的發(fā)現(xiàn),充實了碳材料家族,形成了從零維的富勒烯、一維的碳納米管、二維的石墨烯到三維的金剛石和石墨的完整體系。石墨烯的理論厚度僅為0.35 nm,是目前所發(fā)現(xiàn)的最薄的二維材料[2],其理論比表面積高達(dá)2600 m2·g-1,具有優(yōu)異的導(dǎo)電性能(3000 W·m-1·K-1)、力學(xué)性能(1060 GPa)[3]以及室溫下高速的電子遷移率(15 000 cm2·V-1·s-1)[4]。此外,石墨烯還具有優(yōu)異的光學(xué)、熱學(xué)等特性,因此在場效應(yīng)晶體管、單分子探測器、功能復(fù)合材料、儲能材料等方面有著廣闊的應(yīng)用前景。近年來,隨著石墨烯制備技術(shù)和應(yīng)用的不斷發(fā)展,石墨烯的研究越來越受到科學(xué)家的廣泛關(guān)注。

    目前石墨烯的制備方法主要有機械剝離法[3]、外延晶體生長法[5]、化學(xué)氣相沉積法[6]、氧化石墨(GO)的熱膨脹法[7]和還原法[8]。而將石墨氧化成氧化石墨,在超聲條件下得到單層的氧化石墨溶液,再通過化學(xué)還原,已成為制備石墨烯的有效途徑。石墨的氧化方法主要有Brodie法、Staudemaier法、Hummers法[9],均是用無機強質(zhì)子酸(濃硫酸和發(fā)煙HNO3或它們的混合物)處理原始石墨,將強酸小分子插入石墨層間,再用強氧化劑(KMnO4、KClO4等)對其進行氧化。其中Brodie法反應(yīng)時間過長,Staudemaier 法使用濃硫酸和發(fā)煙硝酸的混合酸處理石墨,對石墨層結(jié)構(gòu)的破壞較為嚴(yán)重,而Hummers法因為方法簡單、耗時短、安全性高、對環(huán)境的污染較小,已成為制備氧化石墨的主要方法。

    作者以天然鱗片石墨為原料,采用改進的Hummers法制得氧化石墨,再經(jīng)硼氫化鈉還原制得石墨烯,并對氧化石墨、石墨烯進行了表征。

    1 實驗

    1.1 材料、試劑與儀器

    天然鱗片石墨(約150 μm)。

    所用試劑均為分析純。

    Nicolet 380型傅立葉變換紅外光譜儀(KBr 壓片),美國熱電集團;D/max-cⅢ型X-射線粉末衍射分析儀[Cu靶κα輻射(λ=0.15406 nm),石墨彎晶單色器,工作電壓40 kV,電流20 mA,掃描速度2°·min-1],日本理學(xué)公司;Tecnai G20(200 kV)型透射電子顯微鏡,美國FEI公司;JSM-6510LV(20 kV)型掃描電子顯微鏡,日本電子株式會社。

    1.2 氧化石墨、石墨烯的制備

    1.2.1 氧化石墨的制備

    1.2.2 石墨烯的制備

    稱取100 mg氧化石墨粉末溶于100 mL蒸餾水中,在超聲振蕩器中超聲振蕩約1 h使其完全分散,得到均勻分散的棕黃色氧化石墨膠體溶液。然后將其轉(zhuǎn)入圓底燒瓶中,再加入1 g NaBH4,在100 ℃下加熱回流10 h,得到黑色絮狀沉淀。靜置過濾,室溫下干燥,即得黑色石墨烯粉末。

    2 結(jié)果與討論

    2.1 Hummers法的改進

    由于氧化劑的濃度和氧化時間對石墨烯片的大小及厚度有較大影響[10],因此對Hummers法加以改進,通過延長低溫(10~15 ℃)反應(yīng)時間以及在高溫階段連續(xù)加水將反應(yīng)液溫度控制在100 ℃以內(nèi),以利于深度氧化的石墨層間化合物發(fā)生水解,生成氧化程度較高的氧化石墨,提高反應(yīng)效率,便于下一步采用硼氫化鈉還原氧化石墨合成石墨烯。改進的Hummers法能夠有效地獲得氧化石墨,制得較高質(zhì)量的納米石墨烯片。

    2.2 氧化石墨的表征

    2.2.1 FTIR分析

    對氧化石墨進行FTIR分析,結(jié)果如圖1所示。

    圖1 氧化石墨的紅外光譜

    石墨經(jīng)氧化生成氧化石墨后,層間出現(xiàn)了大量的極性基團,在紅外光譜圖中表現(xiàn)出相應(yīng)的特征吸收峰。從圖1可以看出,在3100~3700 cm-1范圍內(nèi)有一個較寬、較強的吸收帶,歸屬于-OH的伸縮振動峰,其殘存的水分子對該吸收峰也有影響;在1717.8 cm-1、1222.8 cm-1、1044.8 cm-1處的吸收峰分別歸屬于C=O、C-O-C及C-OH的振動峰;而1614.8 cm-1處的吸收峰歸屬于水分子-OH的彎曲振動吸收峰,說明氧化石墨中仍然有水分子存在,這與氧化石墨不可能完全干燥[11]相吻合。分析結(jié)果表明:氧化石墨片層中有大量含氧官能團,如羥基、羧基、醚基等[12],這些極性基團的存在,使氧化石墨具有良好的親水性,在一定條件下可以在水溶液或堿性水溶液中發(fā)生層離,從而應(yīng)用于插層復(fù)合材料的合成。

    2.2.2 XRD分析

    對氧化石墨進行XRD分析,結(jié)果如圖2所示。

    圖2 氧化石墨的XRD圖譜

    從圖2可以看出,天然鱗片石墨被氧化后,2θ在10°附近出現(xiàn)很強的衍射峰,屬于氧化石墨(001)面的衍射峰,是氧化石墨的特征峰,與文獻[13]表述一致。氧化石墨峰越明顯表明氧化效果越好,說明改進的Hummers法制得的氧化石墨的氧化程度較高。

    2.3 石墨烯的表征

    2.3.1 TEM分析

    對產(chǎn)物石墨烯進行TEM分析,結(jié)果如圖3所示。

    圖3 石墨烯的TEM照片

    從圖3可以看出,產(chǎn)物石墨烯形貌為薄層片狀結(jié)構(gòu),且薄層為納米級,并有少量卷曲,邊緣出現(xiàn)褶皺起伏,這樣能降低體系的自由能。

    2.3.2 SEM分析

    對產(chǎn)物石墨烯進行SEM分析,結(jié)果如圖4所示。

    圖4 石墨烯的SEM照片

    從圖4a可以看出,石墨烯形貌整體上為卷曲片狀結(jié)構(gòu),且片的長厚比很大,邊緣有皺褶。從圖4b可以看出,采用改進Hummers法并沒有破壞石墨的層面,整個平面清晰可見,邊緣呈卷曲狀,薄層為納米級,與TEM分析結(jié)果相吻合,且與文獻[14]結(jié)果一致。

    3 結(jié)論

    以天然鱗片石墨為原料,首先采用改進的Hummers法合成氧化石墨前驅(qū)物,再將其用硼氫化鈉還原制備得到石墨烯,采用FTIR、XRD、TEM、SEM對氧化石墨和石墨烯進行了結(jié)構(gòu)與形貌分析。結(jié)果發(fā)現(xiàn),獲得的氧化石墨氧化程度較高,氧化石墨片層中有大量的含氧極性基團存在,如羥基、羧基、醚基等;石墨烯為二維納米薄層片狀結(jié)構(gòu),且邊緣有皺褶起伏。

    參考文獻:

    [1]Geim A K,Novoselov K S.The rise of graphene[J].Nature Materials,2007,6(3):183-191.

    [2]Novoselov K S,Geim A K,Morozov S V,et al.Electric field effect in atomically thin carbon films[J].Science,2004,306(5696):666-669.

    [3]Chae H K,Siberio-Perez D Y,Kim J,et al.A route to high surface area,porosity and inclusion of large molecules in crystals[J].Nature,2004,427(6974):523-527.

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    [5]張輝,傅強,崔義,等.Ru(0001)表面石墨烯的外延生長及其擔(dān)載納米金屬催化劑的研究[J].科學(xué)通報,2009,54(13):1860-1865.

    [6]Cai W W,Piner R D,Stadermann F J.Synthesis and solid-state NMR structural characterization of 13C-labeled graphite oxide[J].Science,2008,321(5897):1815-1817.

    [7]Mcallister M J,Lio J L,Adamsond H,et al.Single sheet functionalized graphene by oxidation and thermal expansion of graphite[J].Chemistry of Materials,2007,19(18):4396-4404.

    [8]李旭,趙衛(wèi)峰,陳國華.石墨烯的制備與表征研究[J].材料導(dǎo)報,2008,22(8):48-52.

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    [14]向康,劉春華,王平華,等.石墨烯納米復(fù)合材料的制備與結(jié)構(gòu)表征[J].高分子材料科學(xué)與工程,2011,27(10):42-45.

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