鄧盼盼
(西北工業(yè)大學(xué) 電子信息學(xué)院,陜西 西安 710129)
近年來(lái),電流模式電路在模擬信號(hào)處理中受到了廣泛的關(guān)注[1-3],與傳統(tǒng)的電壓模式電路相比,電流模式電路具有速度高、頻帶寬、電源電壓低和功耗小等特點(diǎn)。第二代電流傳輸器(CCII)就是典型的電流模式電路的代表。第二代電流傳輸器作為最基本、最重要的積木塊被廣泛應(yīng)用在通信系統(tǒng)電子電路、有源濾波器、模擬信號(hào)處理、A/D和D/A轉(zhuǎn)換器等許多方面。
RC積分器在集成電路系統(tǒng)中有重要的作用,經(jīng)常運(yùn)用于濾波器、信號(hào)發(fā)生器和各種控制電路中。模擬積分器的電路結(jié)構(gòu)中多用運(yùn)算放大器,由于級(jí)間電容和分布電容的客觀(guān)存在,此類(lèi)電路的工作速度不可能很高,工作電壓及功耗也不可能很低。
電流傳輸器以電流作為輸入、輸出及信息傳輸?shù)闹饕獏?shù),工作速度很高(SR>2 000 V/μs),而電源電壓很低(可達(dá)到1.5 V),具有動(dòng)態(tài)范圍寬、非線(xiàn)性失真小、溫度穩(wěn)定性好、抗干擾和噪聲能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)[4]。
筆者介紹了一種基于CMOS第二代電流傳輸器(CCII)的電流模式積分器電路,其中的CCII模塊具有自偏置、寬帶、低功耗、電流和電壓的傳輸誤差小等優(yōu)點(diǎn),該電路的有較大的電流輸入范圍。
CCII是一個(gè)三端口的有源器件,拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖1所示,它確保了端口的兩大功能性:
1)Y和X端口間的電壓跟隨;
2)X和Z端口間的電流跟隨。
圖1 CCII電路符號(hào)Fig.1 Block representation of CCII
CCII的輸入輸出特性可用下列矩陣方程描述:
在理想情況下,α=1和β=1分別代表電流傳輸器的電流和電壓傳輸增益。
本文采用的是標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)的低壓、寬帶、軌對(duì)軌、自偏置CCII電路[5],如圖 2所示。
圖2 CMOS CCII電路圖Fig.2 CMOS CCII circuit
由于輸入電壓由MOS管的柵極輸入,所以該電路具有很高的輸入阻抗。該電路主要包括4個(gè)部分:
1)軌到軌輸入級(jí):包含兩個(gè)差分對(duì),其中一個(gè)是以NMOS管(M1和M2)為輸入對(duì)管,其正向共模輸入范圍很大,可以達(dá)到正電源,另一個(gè)是以PMOS管(M3和M4)為輸入對(duì)管,其負(fù)向共模能力很強(qiáng),可以達(dá)到負(fù)電源。
2)緩沖級(jí):是通過(guò)源隨器M13和M14來(lái)實(shí)現(xiàn)的,作用是為了提高X端的電壓跟隨能力同時(shí)保證在X端有低阻抗。
3)電流鏡:基本電流鏡M11和M 12是將 M13的電流復(fù)制到M12流入Z端,M15和M18是將M14的電流復(fù)制到Z端。另外,兩個(gè)電流鏡M5、M6和M7、M 8分別構(gòu)成差分輸入電路的有源負(fù)載。
4)偏置電路:M 17~M 20為MOS分壓電阻,通過(guò)電流鏡M17和M10給NM OS差對(duì)提供尾電流,電流鏡M20和M9給PMOS差分對(duì)提供尾電流,整個(gè)電路從而不需加額外的偏置源。考慮到集成電路的隔離工藝,本電路中所有PMOS的襯底接VDD,所有NMOS的襯底接VSS。
電源電壓為±1.65 V,當(dāng)在Y端輸入為高電平時(shí),n型差分對(duì)M1和M2工作,由于MOS管的柵極不汲取電流,則有iY=0。設(shè)在Y端有小信號(hào)輸入,產(chǎn)生的漏極電流通過(guò)電流鏡M6 和 M5 鏡像到 M2,即有,iD1=iD5,iD5=iD6,可得 iD6=iD2=iD1。 設(shè)圖中M1、M2、M5、M6均工作在飽和狀態(tài),兩個(gè)差分對(duì)的器件參數(shù)完全對(duì)稱(chēng),由晶體管飽和區(qū)的漏極電流
可知,uGS1=uGS2。因?yàn)镸1和M2的源級(jí)相連,所以u(píng)S1=uS2,則可推出
同理,當(dāng)Y端輸入為低電平時(shí),有uX=uY。通過(guò)電流鏡M11、M12 和 M17、M18,可得:
由CCII和RC構(gòu)成的電流積分器[4]如圖3所示。
假設(shè)電容C初始電壓為零,根據(jù)CCII端口特性得到:
圖3 RC積分器電路Fig.3 RC integrator circuit
上式表明,輸出電流I0為輸入電流Ii對(duì)時(shí)間的積分。積分器的電流增益為:
在對(duì)數(shù)坐標(biāo)下,電流增益與輸入信號(hào)頻率成線(xiàn)性關(guān)系。
為了驗(yàn)證電路的性質(zhì),對(duì)上述電路進(jìn)行Hspice模擬仿真。仿真參數(shù)采用0.18 μm CMOS工藝參數(shù)。
圖2中各MOS管的尺寸如表1所示。圖中電源電壓VDD=1.65 V,VSS= -1.65 V。
表1 晶體管寬長(zhǎng)比Tab.1 Transistors aspects ratios
圖4和圖5分別為CCII的電壓跟隨和電流跟隨特性。由圖可見(jiàn),電壓跟隨的線(xiàn)性范圍為-1.04~1.15 V,電流跟隨的線(xiàn)性范圍為-9.02~6.66 mA。
圖4 電壓傳輸特性Fig.4 Voltage transfer characteristics
圖5 電流傳輸特性Fig.5 Current transfer characteristics
在X端加幅值為100 μA的正弦交流信號(hào)時(shí),在曲線(xiàn)較平坦的范圍內(nèi)滿(mǎn)足 ix/iz=1.0022,-3 dB帶寬為 1.6 GHz,Z端輸出電流IZ跟隨IX交流傳輸頻域特性曲線(xiàn)如圖6所示。
圖6 CCII頻率特性Fig.6 CCII frequency characteristics
按圖3連接積分器電路,其中R=10 kΩ,C=10 nF。
當(dāng)Ii輸入頻率為1 kHz、幅度為10 μA的方波電流信號(hào)時(shí),則輸出信號(hào)I0如圖7所示。
當(dāng)Ii輸入頻率為1 kHz、幅度為10 μA的正弦波電流信號(hào)時(shí),則輸出信號(hào)I0如圖8所示。
圖7 方波的積分Fig.7 Integration of square wave
積分器的頻率特性如圖9所示??梢钥闯?,輸出信號(hào)的幅度以20 dB/decade的斜率下降,在低于3 MHz的頻段上保持在 90°。
圖8 正弦波的積分Fig.8 Integration of sine wave
圖9 積分器的頻率特性Fig.9 Integrator of frequency characteristics
文中介紹了一種基于電流傳輸器的電流模式積分器,討論了積分器中電流傳輸器的傳輸特性,應(yīng)用Hspice軟件對(duì)其進(jìn)行了仿真,結(jié)果表明:積分器的電流傳輸器模塊的電壓跟隨的線(xiàn)性范圍為-1.04~1.15 V,電流跟隨的線(xiàn)性范圍為-9.02~6.66 mA;該積分器能夠?qū)Ψ讲ê驼也ㄟM(jìn)行積分,也就驗(yàn)證了電路的正確性;同時(shí)對(duì)積分器的頻率特性進(jìn)行了分析,輸出信號(hào)的幅度以20 dB/decade的斜率下降,而相位在低于3 MHz的頻段上保持在90°。這一積分器能應(yīng)用于濾波器、信號(hào)發(fā)生器等各種電流模式電路中。
[1]Ibrahim M A,Kuntman H,Cicekoglu O.A very highfrequency CMOS self-biasing complementary folded cascode differentialdifferencecurrentconveyorwith application examples[J].Midwest Symposium on Circuits and Systems,2002(1):279-282.
[2]Falconi C,F(xiàn)erri G,Stornelli V.Current-mode high-accuracy high-precision CMOS amplifers[J].IEEE Transactions on Circuits and Systems,2008,5(5):394-398.
[3]Emre Arslan,Avni Morgul.Wideband Self-Biased CMOS CCII[J].IEEE,2008:217-220.
[4]趙玉山,周躍慶,王萍.電流模式電子電路[M].天津:天津大學(xué)出版社,2001.
[5]曾翠平,王衛(wèi)東.一種寬帶自偏置CMOS CCII的設(shè)計(jì)[J].桂林電子科技大學(xué)學(xué)報(bào),2009(10):390-392.ZENG Cui-ping,WANG Wei-dong.Design of a wideband self-biased CMOS CCII[J].Journal of Guilin University of Electronic Technology,2009(10):390-392.
[6]孫肖子,張企民.模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)[M].西安:西安電子科技大學(xué)出版社,2001.