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      瞬變電磁(TEM)中心回線裝置發(fā)射框邊長(zhǎng)與最佳探測(cè)深度關(guān)系的探討

      2012-01-11 08:14:44王善勛
      物探化探計(jì)算技術(shù) 2012年5期
      關(guān)鍵詞:回線線框磁場(chǎng)強(qiáng)度

      王善勛,劉 軍,雷 振

      (1.陜西省地質(zhì)調(diào)查院,西安 710065;

      2.西北有色地質(zhì)勘查局 物化探總隊(duì),西安 710068)

      瞬變電磁(TEM)中心回線裝置發(fā)射框邊長(zhǎng)與最佳探測(cè)深度關(guān)系的探討

      王善勛1,劉 軍2,雷 振2

      (1.陜西省地質(zhì)調(diào)查院,西安 710065;

      2.西北有色地質(zhì)勘查局 物化探總隊(duì),西安 710068)

      利用電磁學(xué)原理,推導(dǎo)出了載流正方形回路地下均勻半空間介質(zhì)中心軸線上感應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度B的理論表達(dá)式。通過(guò)系列的理論計(jì)算、對(duì)比和討論,提出了瞬變電磁法中心回線裝置探測(cè)深度主要受發(fā)射線框邊長(zhǎng)制約,其最佳探測(cè)深度與發(fā)射框邊長(zhǎng)二分之一相當(dāng)?shù)挠^點(diǎn)。這里引用了一些生產(chǎn)、試驗(yàn)事例,從實(shí)踐上對(duì)這一觀點(diǎn)加以佐證。旨在引起同行們的注意,以便在實(shí)際生產(chǎn)中更好地利用瞬變電磁法。

      瞬變電磁;中心回線裝置;最佳探測(cè)深度;發(fā)射框邊長(zhǎng)

      0 前言

      在瞬變電磁法的實(shí)際應(yīng)用中,我們經(jīng)常采用到中心小回線或大定源中心回線裝置。中心小回線一般采用邊長(zhǎng)為幾米或數(shù)十米的正方形發(fā)射框,把接收天線置于發(fā)射框中心來(lái)觀測(cè),每布置一次發(fā)射框只能觀測(cè)一個(gè)點(diǎn)。大定源中心回線裝置則是在地面鋪設(shè)邊長(zhǎng)為幾百甚至上千米的正方形(或矩形)發(fā)射框,在中心約1/3地區(qū)認(rèn)為,TEM的一次激勵(lì)場(chǎng)呈均勻分布的垂直磁場(chǎng),因此每布置一次發(fā)射框可實(shí)現(xiàn)對(duì)中心地區(qū)多測(cè)點(diǎn)的觀測(cè),工作效率也就得到了大大地提高。

      在中心回線裝置的野外施工中,我們一般是根據(jù)地質(zhì)要求的探測(cè)深度來(lái)設(shè)計(jì)發(fā)射框邊長(zhǎng),在文獻(xiàn)[1~3]中給出了該裝置的極限探測(cè)深度公式:

      式中 L為發(fā)射框邊長(zhǎng);ρ為地電阻率;η為干擾電平;I為發(fā)送電流,如果采用的是多匝的發(fā)射線框,則還需在括號(hào)內(nèi)分子部份再乘以匝數(shù)N。可見(jiàn)探測(cè)深度是受多種因素的影響,尤其是發(fā)射框的邊長(zhǎng)L。該公式可以作為瞬變電磁法發(fā)射框邊長(zhǎng)設(shè)計(jì)的參考依據(jù)。

      但對(duì)于一個(gè)特定的探測(cè)目標(biāo)來(lái)講,為使觀測(cè)異常清晰,并使異常幅度最大化,就存在著最佳裝置選擇問(wèn)題,這涉及到野外觀測(cè)成果的好壞,進(jìn)而影響到物探工作的效果。因此,研究瞬變電磁中心回線裝置發(fā)射框邊長(zhǎng)與最佳探測(cè)深度關(guān)系,對(duì)于更合理地選擇發(fā)射框邊長(zhǎng)很有意義。

      1 正方形載流回路地下均勻半空間中心軸線上感應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度分布規(guī)律

      1.1 理論公式

      要研究瞬變電磁法的激勵(lì)效應(yīng),首先需要研究和了解一次能量場(chǎng),即發(fā)射裝置產(chǎn)生的感應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度B的地下分布。而中心回線裝置是在線框中心地區(qū)觀測(cè),因此我們重點(diǎn)研究中心軸線上的磁場(chǎng)空間分布規(guī)律。

      根據(jù)電磁學(xué)[4]理論,載流導(dǎo)線產(chǎn)生磁場(chǎng)的基本規(guī)律是畢奧~薩伐爾定律,其微分形式公式是:

      式中 I為供電電流;μ0=4π×10-7為真空中的磁導(dǎo)率;r為電流元dl到場(chǎng)點(diǎn)dB的距離。整個(gè)閉合回路產(chǎn)生的磁場(chǎng)則是電流元所產(chǎn)生的元磁場(chǎng)dB沿整個(gè)回路的矢量迭加,式中的矢徑^r(nóng)從源點(diǎn)(即電流元所在位置)指向場(chǎng)點(diǎn)。即

      設(shè)地面載流正方形邊長(zhǎng)L=2a,供電電流為I,地下介質(zhì)磁導(dǎo)率為μ,O為地面正方形中心,P為對(duì)稱中心軸線上地下深度H 處的一點(diǎn) (見(jiàn)圖1)。由于軸對(duì)稱性,線框上通過(guò)任意A點(diǎn)處的電流元dl在P點(diǎn)產(chǎn)生的元磁場(chǎng)dB,總是與它的對(duì)稱點(diǎn)A′處的電流元dl′在P點(diǎn)產(chǎn)生的元磁場(chǎng)dB′對(duì)稱,矢量合成后垂直于軸線方向的分量總是相互抵消。因此總磁場(chǎng)感應(yīng)強(qiáng)度B將沿軸線方向垂直向下,它的大小等于各元磁場(chǎng)沿軸線分量的代數(shù)和。

      圖1 求正方形載流回路中心軸線上的磁場(chǎng)Fig.1 Deduced magnetic field Bequation at a square loop circuit central axes

      通過(guò)積分可以得到以下結(jié)果

      式(3)考慮了兩個(gè)特殊情況:

      (2)當(dāng) H>>a 時(shí):

      根據(jù)式(3),感應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度B隨介質(zhì)磁導(dǎo)率、供電電流、線框邊長(zhǎng)的增大而增強(qiáng),隨計(jì)算深度的增加而減小。在地面情況時(shí)根據(jù)式(4),框的中心位置磁場(chǎng)強(qiáng)度與框邊長(zhǎng)成反比關(guān)系。當(dāng)H>>a時(shí),磁場(chǎng)強(qiáng)度按H的三次方迅速衰減式(5)。

      1.2 理論計(jì)算

      對(duì)L=2a的正方形載流回路,利用式(3)分別

      (1)在地面中心O點(diǎn)處,H=0時(shí):

      從表1、圖2可以看出,正方形發(fā)射裝置中心軸線上的磁場(chǎng)強(qiáng)度衰減變化與線框邊長(zhǎng)直接有關(guān),邊長(zhǎng)越小衰減越迅猛,邊長(zhǎng)逐漸增大磁場(chǎng)強(qiáng)度的衰減也趨平緩。但無(wú)論邊長(zhǎng)怎樣改變,當(dāng)H=(1/2)L=a時(shí)磁場(chǎng)強(qiáng)度總是衰減到了地面強(qiáng)度的41%;當(dāng)H=L=2a時(shí),磁場(chǎng)強(qiáng)度已僅有地面強(qiáng)度的12%。磁場(chǎng)強(qiáng)度的這種衰減變化特征,完全是由發(fā)射框的邊長(zhǎng)L所決定的,不受供電電流I、線框的匝數(shù)N的影響,也和地下介質(zhì)的電阻率ρ無(wú)關(guān)。

      作者以大、小分別為200m×200m和2m×2m兩個(gè)邊長(zhǎng)的發(fā)射框?yàn)槔M(jìn)一步說(shuō)明,大框邊長(zhǎng)是小框邊長(zhǎng)的一百倍。如果供電電流相同,那么在地面中心,小框所產(chǎn)生的一次場(chǎng)強(qiáng)度是大框的一百倍,但在地下100m深度,小框所產(chǎn)生的一次場(chǎng)強(qiáng)度反而迅速衰減為大框的3.46×10-4。如果我們把小框供電電流加大到是大框的十倍,匝數(shù)也增加到10圈,那么在地面中心,小框所產(chǎn)生的一次場(chǎng)強(qiáng)度可增加到是大框的一萬(wàn)倍。但在地下100m深度,小框所產(chǎn)生的一次場(chǎng)強(qiáng)度也依然只有大框的3.46×10-2。

      以上討論說(shuō)明,對(duì)于大深度探測(cè),小線框具有先天不足,靠增大電流和增加發(fā)射框匝數(shù)的確能增強(qiáng)一次場(chǎng)強(qiáng)度,從而對(duì)提高探測(cè)深度有利。但通過(guò)這種途徑提高探測(cè)深度的能力十分有限,不能克服其本質(zhì)弊端,增大發(fā)射框邊長(zhǎng)才是提高探測(cè)深度的最根本途徑。

      受儀器分辨率和觀測(cè)精度的制約,任何物探方法都要求所能觀測(cè)到的有用信號(hào)具有足夠的強(qiáng)度,因此也根據(jù)各自的激發(fā)能量場(chǎng)變化對(duì)探測(cè)深度作了相應(yīng)規(guī)定。如在對(duì)稱四極直流電測(cè)深中,當(dāng)用供電極AB來(lái)向地下均勻半空間供電時(shí),電流密度總是集中在地表AB連線附近,向下衰減很快。在其中垂線上在二分之一AB處,電流密度已降低到只有地面中心位置的35%,理論上也就把二分之一AB位置定義為對(duì)稱四極測(cè)深的最大探測(cè)深度,要取a =1m、10m、40m、100m、400m、800m 六種情況,對(duì)軸線上不同深度的磁場(chǎng)強(qiáng)度B進(jìn)行計(jì)算,結(jié)果見(jiàn)下頁(yè)表1。增大探測(cè)深度就需要加大AB。頻率域電磁測(cè)深運(yùn)用的是電磁波的趨膚深度理論,為表征電磁波透入介質(zhì)中的深度,把電磁波在介質(zhì)中傳播其振幅衰減到37%時(shí)的傳播距離定義為趨膚深度,更是把振幅衰減到50%時(shí)的深度定義為頻率域電磁測(cè)深的有效勘探深度。參照直流電測(cè)深法、頻率域電磁測(cè)深法對(duì)探測(cè)深度的規(guī)定,作者認(rèn)為,對(duì)于瞬變電磁法中心回線裝置,把理論上一次場(chǎng)強(qiáng)度已衰減到只有地面41%的深度定義為其最佳探測(cè)深度較為客觀合理。因此,也就可以得出中心回線裝置最佳探測(cè)深度與其發(fā)射框邊長(zhǎng)的二分之一相當(dāng)?shù)挠^點(diǎn)。

      2 應(yīng)用事例

      下面選用文獻(xiàn)[5]中的一個(gè)實(shí)際生產(chǎn)、試驗(yàn)事例,對(duì)本文作者所提的觀點(diǎn)加以證明。該事例是美國(guó)Zonge公司在阿拉斯加州一個(gè)淡水湖面探測(cè)湖底六十年代早期遺棄的軍用器械碎片的成果。

      工作是在2000年5月開(kāi)展,由于北極寒冷氣候,湖面冰厚達(dá)1.5m,而探測(cè)區(qū)中心湖底深度一般在2m~3m。觀測(cè)采用In-Loop,即中心回線裝置,在冰面部署觀測(cè)。

      表1 正方形載流回路中心軸線上磁場(chǎng)計(jì)算結(jié)果Tab.1 The results of theoretical calculation of magnetic field Bat square loop circuit central axes

      圖2 不同邊長(zhǎng)正方形載流回路在地下均勻半空間中心軸線上的磁場(chǎng)強(qiáng)度隨深度衰減對(duì)比曲線Fig.2 The central axes magnetic field intensity decay versus depth with different square loop circuit size

      圖3 為埋深在0.5m、2m的兩個(gè)目標(biāo)體上分別布置不同邊長(zhǎng)的正方形發(fā)射框進(jìn)行觀測(cè)所取得的系列試驗(yàn)結(jié)果,橫坐標(biāo)為發(fā)射框邊長(zhǎng),縱坐標(biāo)為異常幅值(用電流歸一)??梢钥闯觯瑑蓚€(gè)深度的目標(biāo)體觀測(cè)曲線都是在當(dāng)邊長(zhǎng)增大到接近2倍的目標(biāo)體埋深時(shí)取得較大幅值的異常,并在當(dāng)邊長(zhǎng)等于2.5倍埋深時(shí)取得最大幅值異常;向左隨著邊長(zhǎng)越來(lái)越小異常幅度劇烈衰減,并在當(dāng)邊長(zhǎng)小于目標(biāo)體埋深時(shí)異常幅值已很小;向右隨著線框邊長(zhǎng)增大異常幅值又緩慢衰減,目標(biāo)體埋深越大異常幅值衰減也越趨平緩。

      圖3 TEM觀測(cè)異常幅值隨線框邊長(zhǎng)變化曲線Fig.3 Anomaly amplitude versus TEM loop size

      由此可見(jiàn),對(duì)于一定埋深的目標(biāo)體,當(dāng)所采用的發(fā)射框邊長(zhǎng)的二分之一與探測(cè)目標(biāo)體埋深相當(dāng)時(shí),才會(huì)取得較好的異常。邊長(zhǎng)太大或太小,異常都會(huì)減弱,尤其在當(dāng)邊長(zhǎng)小于埋深時(shí)異常幅值已很微弱,對(duì)探測(cè)目標(biāo)體很不利。

      3 結(jié)論

      作者從電磁學(xué)原理出發(fā),經(jīng)過(guò)理論推導(dǎo)、數(shù)學(xué)計(jì)算,并引證生產(chǎn)、試驗(yàn)實(shí)例,得出以下主要結(jié)論:

      (1)正方形中心回線裝置中心軸線上的磁場(chǎng)強(qiáng)度隨地下深度的增大而衰減,衰減率變化特征是受線框的邊長(zhǎng)制約,邊長(zhǎng)越小衰減越迅猛。

      (2)對(duì)小線框來(lái)講,通過(guò)增大電流、增加發(fā)射線框匝數(shù)的確能提高發(fā)射磁矩,但對(duì)提高探測(cè)深度的作用十分有限,增大發(fā)射框邊長(zhǎng)才是提高探測(cè)深度的根本途徑。

      (3)正方形中心回線裝置的最佳探測(cè)深度約為其邊長(zhǎng)的二分之一,實(shí)際生產(chǎn)中應(yīng)根據(jù)探測(cè)深度要求和施工條件盡可能選擇較理想的線框邊長(zhǎng)。

      [1] 趙凱華,陳熙謀.電磁學(xué)[M].北京:高等教育出版社,1984.

      [2] 李貅.瞬變電磁測(cè)深的原理與應(yīng)用[M].西安:陜西科技出版社,2002.

      [3] 牛之璉.時(shí)間域電磁法原理[M].長(zhǎng)沙:中南工業(yè)大學(xué)出版社,1992.

      [4] 中華人民共和國(guó)地質(zhì)礦產(chǎn)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn).地面瞬變電磁法技術(shù)規(guī)程[S].DZ/T0187-1997,中華人民共和國(guó)地質(zhì)礦產(chǎn)部,1997.

      [5] 何繼善,溫佩琳,鮑光淑,等.金屬礦電法勘探[M].北京:冶金工業(yè)出版社,1980.

      [6] 呂國(guó)印.瞬變電磁法的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)[J].物探化探計(jì)算技術(shù),2007,29(1):108.

      P 631.3+25

      A

      10.3969/j.issn.1001-1749.2012.05.08

      1001—1749(2012)05—0548—04

      2012-02-09 改回日期:2012-06-17

      王善勛(1965-),男,物探高級(jí)工程師,長(zhǎng)期從事物探生產(chǎn)工作。

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