文 | 中船重工集團第七二二研究所 史 榮
淺析國外軍用組合機柜環(huán)境設(shè)計
文 | 中船重工集團第七二二研究所 史 榮
本文主要介紹了一款海外軍用組合機柜,它的結(jié)構(gòu)和電氣設(shè)計在可靠性方面具有突出的優(yōu)點,具體在環(huán)境設(shè)計方面采用的技術(shù)值得我們借鑒。
可靠性;環(huán)境;設(shè)計
軍用組合機柜設(shè)計是將分散的設(shè)備按功能特性和使用要求分類組裝,優(yōu)化配置,依據(jù)人機交互的方式進行合理布局,并按照人機工程學的基本原理進行造型設(shè)計和結(jié)構(gòu)設(shè)計,以便于進行系統(tǒng)的操作使用和維修,充分地發(fā)揮其綜合作戰(zhàn)能力。
組合機柜設(shè)計要求具有優(yōu)良觀察、操控性能,能滿足產(chǎn)品嚴酷的物理、機械環(huán)境條件要求。
組合機柜的尺寸選用與該使用環(huán)境的其他設(shè)備尺寸、顏色協(xié)調(diào)一致。機柜并柜后要求各設(shè)備整潔、一致。其典型的款式外觀示意圖見圖1。
軍用組合機柜通常有效使用空間環(huán)境惡劣,這樣就要求組合機柜排列緊湊,環(huán)境的狹窄使得干擾和各方面復雜的因素交織,組合機柜的設(shè)計應從滿足基本功能著手,盡可能充分考慮人機工程學的相關(guān)要求。
抗惡劣環(huán)境設(shè)計涉及的專業(yè)廣泛,包括了:機械學、電子學、材料學、傳熱學、電磁場理論、力學、電化學、人機工程學、聲學、生物學、環(huán)境科學、可靠性、維修性等等眾多的學科技術(shù)范疇,如何將這些學科的理論應用到具體的設(shè)備研制工程中是一個復雜的綜合問題,各種技術(shù)互相滲透,貫通,又互相制約。
抗惡劣環(huán)境設(shè)計是一項巨大的系統(tǒng)工程,從研制到運行的全壽命期,環(huán)境控制技術(shù)貫穿整個的設(shè)計過程,從最基本的材料、結(jié)構(gòu)、工藝等具體的細節(jié)設(shè)計,環(huán)環(huán)相扣,缺一不可。該款在環(huán)境的設(shè)計上主要體現(xiàn)在材料的選取和外部的防護涂層上,結(jié)構(gòu)上也采用了各種的防護措施。
從相關(guān)技術(shù)資料上可看出抗輻射加固技術(shù)始終貫穿在設(shè)計思路上,設(shè)計初期要充分地分析了輻射環(huán)境和輻射效應損傷機理,根據(jù)抗輻射指標和電子系統(tǒng)所要求完成的性能要求制定失效判據(jù),最后,按照合理的安全系數(shù)進行加固設(shè)計。加固不僅是考慮抗震還在兼顧著防輻射功能,設(shè)計時選用的加固材料就可以做到這點,從器件生產(chǎn)、電路設(shè)計到組裝成系統(tǒng),每個環(huán)節(jié)都進行加固,其中元器件加固是整個加固工作的基礎(chǔ),細節(jié)上做好了,整合在一起就順其自然達到效果。
現(xiàn)代技術(shù)中計算機的使用普及,為了在惡劣的氣侯環(huán)境下使用計算機,設(shè)計考慮到在較低溫度或較高溫度運行的需要,加固計算機采用寬溫的主板,必要時在主板和每一個附加卡(如網(wǎng)卡、顯卡、視頻采集卡等)上加裝散熱鋁板以便高溫時散熱,加裝加熱膜及溫控開關(guān),在應用環(huán)境低于一定溫度時溫控開關(guān)啟動,通過加熱膜加熱的方式提高加固計算機內(nèi)的溫度至可工作的溫度。
如強磁場、強電磁脈沖、雷電、靜電和火花,主要采用電磁兼容設(shè)計和接地技術(shù)等。
6.1.屏蔽技術(shù):接地質(zhì)量對屏蔽效能影響極大。一般要求屏蔽體與地的接觸電阻小于2mΩ。而在要求更高的設(shè)備中則要求接觸電阻小于0.5 mΩ。當屏蔽體通過導線與地相連時,導線的截面積和截面周界都應適當大些,例如,用扁銅條和編織線,以減小直流和交流電阻。同時要求盡量縮短導線的長度,以減小導線的感抗。導線兩端最好焊接而不是搭接。此外,屏蔽體的接地點要選擇在靠近被屏蔽的低電平元件的入地點。合理地選擇屏蔽體的形狀有利于提高電屏效能。盒形屏蔽體優(yōu)于板形屏蔽體,全密封屏蔽體優(yōu)于帶窗口孔和縫隙的屏蔽體。屏蔽體上要盡量減小開孔,需要時可開小孔或百葉窗式孔洞或用屏蔽用銅帶粘封。電屏蔽體的材料易選用導體,如銀、銅、鋁等。
電屏蔽效能可用屏蔽前后感受器上的感應電壓來計算:即
式中SE為屏蔽效能,UB為屏蔽前感受器上的感應電壓,Us為屏蔽后感受器上的感應電壓。
6.2.屏蔽技術(shù):就是用導磁性能良好的材料做成屏蔽板體,箱體、盒體將這些易受場干擾的和易發(fā)射磁場的元件或單元電路磁屏蔽起來,借以消除或減弱不需要的磁場對通信及電子設(shè)備的干擾。
磁屏蔽效能計算公式如下式所示:
式中μλ為相對導磁率μλ=μs /μo,其中μs為屏蔽材料的磁導率,μo為空氣磁導率。
在制造磁屏蔽體時,設(shè)備最好選用導磁率較高的坡膜合金及較高的其它合金,這些類型的導磁材料導磁率一般大于6000。若需更高的效能可采用非晶態(tài)帶材Fjl1、Fjl3l等品種。必要時還可采用雙重磁屏蔽,以進一步提高屏蔽效能。
由于使用場所的特殊性,環(huán)境惡劣性,空間狹窄等因素,對沖擊防護的要求就更要高一籌。沖擊防護主要體現(xiàn)抗變型防護,抗跌落防護,抗諧振防護這三個方面。
振動沖擊隔離技術(shù)是在環(huán)境條件嚴酷等級(激勵值)和設(shè)備允許響應值(即脆值)已知的前提下,通過對設(shè)備附加隔振緩沖器來進行保護的技術(shù)措施,其基本設(shè)計思想是通過隔振器傳遞給設(shè)備的激勵值(即設(shè)備的響應值)始終小于設(shè)備的許用值。用于設(shè)備的振動沖擊隔離系統(tǒng)必須兼有隔振與隔沖功能。振動沖擊隔離系統(tǒng)的期望動態(tài)特性是隔離系統(tǒng)設(shè)計的優(yōu)化目標函數(shù)。其中隔振系統(tǒng)的期望動態(tài)特性應滿足以下四項設(shè)計要求或原則:非耦合或弱耦合原則、低固有頻率原則、線性特性、變阻尼(無共振峰)特性等。而沖擊隔離系統(tǒng)的動態(tài)特性應符合以下五項設(shè)計原則:能量吸收原則、輸出動荷最小原則、變形量最小原則、能量耗散最多原則、復位原則等。
通常采用兩種方法,即包容法和抑源法。包容法是將計算機整體屏蔽起來,并在電源線和信號線上使用濾波器,抑制計算機通過空間和有關(guān)通道向外輻射發(fā)射和傳導發(fā)射信息。抑源法是在設(shè)計電路和印制電路板時,就充分考慮對泄密信息的控制,防止其輻射。兩種方法各有特點,應用于不同情況,有時兩者結(jié)合使用。包容法設(shè)計簡單,造價低,但效果不及后者,特別是屏蔽材料隨時間增長會老化失效,從而降低屏蔽效果。抑源法成本較高,但效果好。
該組合設(shè)備采用了大量的熱設(shè)計技術(shù),其中設(shè)備中散熱條、散熱塊使用廣泛。各設(shè)備之間相互散熱處理了合理的導流通道,整體和局部熱設(shè)計做到了相結(jié)合。
熱設(shè)計是保證組合在一起的各設(shè)備能安全可靠工作的重要條件。電子設(shè)備工作時,其輸出功率只占設(shè)備輸入功率的一部分,其損失的功率都以熱能形式散發(fā)出去,尤其是功耗較大的元器件,如:變壓器、功耗大的電阻等,實際上它們是一個熱源,使設(shè)備的溫度升高。因此,熱設(shè)計是保證電子設(shè)備能安全可靠工作的重要條件之一,制約組合設(shè)備的散熱關(guān)鍵目標是確定發(fā)熱是否在設(shè)計參數(shù)范圍之內(nèi),并找出降低溫度的方法。計算流體動力學(CFD)仿真可用來確定各設(shè)備在機柜上不出現(xiàn)局部高溫問題。因此,需要進行測試,以獲得系統(tǒng)在正?;驖M功率工作時的典型溫度。熱分析之后,通常要進行系統(tǒng)級熱分析。這樣,就可驗證CFD仿真并確保系統(tǒng)將工作在相對較低的溫度。
軍用設(shè)備的可靠性設(shè)計是一個復雜的系統(tǒng)工程,所受的制約因素很多,既有性能、功能上的約束,物理、機械環(huán)境條件的約束,也有布局、設(shè)計尺寸以及操作員的操作習慣等方面的約束。通過對這一款設(shè)備的分析,我們可以學習其設(shè)計優(yōu)點,同時利用國產(chǎn)材料的優(yōu)勢降低成本,取長補短。
[1] 簡召全. 工業(yè)設(shè)計方法學[M]. 北京:北京理工大學出版社.2000
[2] 吳漢森. 電子設(shè)備結(jié)構(gòu)與工藝[M]. 北京:北京理工大學出版社.1995
On the Environmental Design of Foreign Military Combination Cabinet
This paper describes a kind of foreign military combination cabinet, its structure and electrical design has obvious advantages. The environmental design technology is worth our great attention and adoption.
reliability;environmental;design
史榮,中船重工集團第七二二研究所