飛兆半導(dǎo)體引入碳化硅技術(shù)擴展產(chǎn)品創(chuàng)新

飛兆半導(dǎo)體引入碳化硅技術(shù)擴展產(chǎn)品創(chuàng)新

為了滿足半導(dǎo)體應(yīng)用提高效率和性能的需求，飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor）宣布收購碳化硅 （Silicon Carbide，SiC） 功率晶體管企業(yè)TranSiC公司，擴展其領(lǐng)先的技術(shù)能力。

這項收購為飛兆半導(dǎo)體帶來獲經(jīng)驗證效率的業(yè)界領(lǐng)先雙極SiC晶體管技術(shù)、寬溫度范圍下的出色表現(xiàn)，以及超越MOSFET和JFET技術(shù)的卓越性能。飛兆半導(dǎo)體同時借著這項收購獲取經(jīng)驗豐富的SiC工程師團隊和科學(xué)家團隊，以及多項SiC技術(shù)專利。

飛兆半導(dǎo)體公司主席、總裁兼首席執(zhí)行官Mark Thompson稱：“通過綜合SiC技術(shù)和飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)有的MOSFET、IGBT和多芯片模塊方面的能力，以及位于全球的客戶據(jù)點，我們擁有足夠?qū)嵙?，繼續(xù)擔當創(chuàng)新性、高性能功率晶體管技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商?！?/p>

SiC技術(shù)超越其他技術(shù)的優(yōu)勢包括：（1）在特定的芯片尺寸下具有較低的導(dǎo)通狀態(tài)電壓降；（2）較高的電流密度；（3）較高的工作溫度；（4）極低的熱阻抗；（5）僅有多數(shù)載流子傳導(dǎo)，具有超快的開關(guān)速度；（6）采用電流增益范圍為100的通常關(guān)斷運作（off operation）方式，提供簡便的驅(qū)動解決方案；（7）由于采用正溫度系數(shù)電阻組件，可以方便地并聯(lián)。

另外，這類器件的阻抗非常接近SiC技術(shù)的理論極限，并且成功地在25ns的導(dǎo)通和關(guān)斷時間范圍內(nèi)演示了800V下的50A開關(guān)運作。這些器件在長期的全額定偏流和電流應(yīng)力狀況下具有參數(shù)穩(wěn)定性。這些高增益SiC雙極器件適合向下鉆探、太陽能逆變器、風能逆變器、電氣和混合動力汽車、工業(yè)驅(qū)動、UPS和輕軌牽引應(yīng)用中的大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。市場研究機構(gòu)Yole Development預(yù)計這些市場將于2020年達到接近10億美元的規(guī)模。

這款器件具有業(yè)界領(lǐng)先的效率，可將成熟的硅技術(shù)器件的相關(guān)損耗削減多達50%，或在相同的損耗條件下，將頻率提高多達四倍。SiC器件具有顯著減小的體積、較少的無源元件，能夠降低總體系統(tǒng)成本和提升價值。對于需要最高效率和功率密度的系統(tǒng)，該器件是無可比擬的首選產(chǎn)品。

飛兆半導(dǎo)體正在提供針對目標應(yīng)用的最高50A額定電流的1 200V初始產(chǎn)品，并將于未來開發(fā)具有更寬電壓和電流范圍的產(chǎn)品，繼續(xù)推動節(jié)能工作。

（本刊通訊員）