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      12MeV無(wú)損檢測(cè)用駐波電子直線加速器總體技術(shù)設(shè)計(jì)

      2011-01-19 10:56:24劉建輝孟祥宇郭彥斌范林霞李學(xué)先賈恩明
      制造業(yè)自動(dòng)化 2011年10期
      關(guān)鍵詞:磁控管燈絲加速器

      劉建輝,孟祥宇,郭彥斌,范林霞,陳 巖,李學(xué)先,王 非,賈恩明

      (北京機(jī)械工業(yè)自動(dòng)化研究所,北京 100120)

      12MeV無(wú)損檢測(cè)用駐波電子直線加速器總體技術(shù)設(shè)計(jì)

      劉建輝,孟祥宇,郭彥斌,范林霞,陳 巖,李學(xué)先,王 非,賈恩明

      (北京機(jī)械工業(yè)自動(dòng)化研究所,北京 100120)

      本文主要討論了12MeV無(wú)損檢測(cè)用駐波電子直線加速器總體技術(shù)設(shè)計(jì),主要部分的設(shè)計(jì)思路、要點(diǎn)及最終設(shè)計(jì)方案。

      磁控管;磁場(chǎng)強(qiáng)度;電子槍注入高壓;AFC;聚焦

      0 引言

      12MeV無(wú)損檢測(cè)用駐波電子直線加速器總體技術(shù)設(shè)計(jì)的主要是根據(jù)要求制定加速器的主要參數(shù)并對(duì)系統(tǒng)各個(gè)主要部分的設(shè)計(jì)思路、要點(diǎn)及最終設(shè)計(jì)方案進(jìn)行說(shuō)明。

      合同規(guī)定的對(duì)加速器的技術(shù)考核指標(biāo),主要包括:

      1)能量:12MeV;

      2)劑量率:≥5500cGy/min.m;

      3)焦點(diǎn):φ2~3mm;

      4)檢測(cè)厚度(等效鋼):76~420mm;

      5)檢測(cè)靈敏度:ASTM E-142 1-2T。

      依據(jù)技術(shù)考核指標(biāo),設(shè)計(jì)說(shuō)明:

      1)考慮一定的設(shè)計(jì)余量,在進(jìn)行加速管設(shè)計(jì)時(shí),取劑量率≥6000cGy/min.m;

      2)加速管設(shè)計(jì)時(shí),焦點(diǎn)按≤φ2mm設(shè)計(jì)。如果超過(guò)該尺寸,可以通過(guò)聚焦線圈進(jìn)行調(diào)節(jié);

      3)由于超過(guò)10MeV電子束打靶時(shí),會(huì)產(chǎn)生中子,會(huì)有一定的感生輻射殘留。因此在設(shè)計(jì)初期,要求加速器出束完畢后,需要等待一段時(shí)間再進(jìn)入曝光室操作。這無(wú)形中增加了每張底片的處理時(shí)間,降低了效率。為此,新增一檔9MeV能量,用于對(duì)較薄工件進(jìn)行無(wú)損檢測(cè),提高效率。而通過(guò)設(shè)備研制完成后對(duì)感生輻射進(jìn)行的實(shí)際測(cè)量來(lái)看,感生輻射在要求范圍內(nèi),不會(huì)影響檢測(cè)效率。

      加速管是加速器設(shè)備的核心部件,加速管的設(shè)計(jì)參數(shù)決定了加速器設(shè)備能夠達(dá)到的技術(shù)指標(biāo)。

      1 加速管技術(shù)設(shè)計(jì)

      加速管的主要設(shè)計(jì)指標(biāo):

      1)電子束能量:12MeV、9MeV可調(diào);

      2)X射線劑量率:12MeV時(shí),6000cGy/min.m;

      3)焦點(diǎn):≤φ2mm。

      加速管技術(shù)設(shè)計(jì)說(shuō)明:

      1)駐波加速管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì);

      2)加速管主要設(shè)計(jì)參數(shù)。

      駐波電子直線加速器的能量增益公式如下:

      其中:

      βc:最佳耦合度

      P0:加速管輸入脈沖微波功率(MW)

      ZT2:分流阻抗(M Ω/m)

      L:加速管諧振腔列長(zhǎng)度(m)

      I:脈沖加速束流(A)

      由此可見(jiàn),加速管設(shè)計(jì)需要對(duì)βc、P0、ZT2、L、I等進(jìn)行選擇,以確定輸出能量為12MeV。

      (1)P0的選取

      (2)I的選取

      (3)分流阻抗ZT2

      (4)加速管長(zhǎng)度L

      3)加速管涉及的其他問(wèn)題

      (1)水冷設(shè)計(jì)

      (2)饋入口

      (3)聚焦導(dǎo)向線圈

      2 微波源技術(shù)設(shè)計(jì)

      1)微波功率源采用E2V公司的MG6090磁控管,主要性能參數(shù)如下(參考datasheet):

      頻率范圍:2993~3002MHz

      峰值輸出功率:3.1MW

      磁場(chǎng):1600Gauss(使用MG6053電磁鐵)

      燈絲電壓:14V

      燈絲電流:8.0A

      燈絲啟動(dòng)電流:不大于20A

      陰極預(yù)熱時(shí)間:最小10min

      陽(yáng)極電流:115A

      陰極高壓:-50kV

      輸出駐波比:1.1∶1

      電壓上升率:小于120kV/μS

      冷卻方式:水冷

      最大占空比:1.35‰

      2)磁控管選定的工作參數(shù)

      參照上述性能參數(shù)及典型應(yīng)用,我們選定磁控管工作參數(shù)如下:

      磁場(chǎng):1600±25Gauss

      陽(yáng)極電流:110A

      燈絲電流:8A

      脈沖寬度(半高):4.5 μ S

      重復(fù)頻率:50~290pps

      3)磁控管注意事項(xiàng)說(shuō)明

      (1)MG6090磁控管與常用的MG5193、MG5125磁控管在外形結(jié)構(gòu)上有很大不同,磁控管的陰極垂直磁極面,從磁極中心伸出,因此傳統(tǒng)的C型磁鐵無(wú)法使用,必須使用E2V公司配套的MG6053電磁鐵。

      (2)由于MG6090磁控管在高功率下的回轟現(xiàn)象更為嚴(yán)重,因此,除了燈絲切換之外,還需要對(duì)陰極進(jìn)行強(qiáng)迫風(fēng)冷,以保證良好的散熱。

      3 能量調(diào)變?cè)O(shè)計(jì)

      如上所述,考慮到照相工作效率及薄工件的透照靈敏度,除了12MeV以外,增設(shè)9MeV能量檔。根據(jù)前述公式:

      可知,在加速管的特性參數(shù)βc、ZT2、L已經(jīng)確定的時(shí)候,要想降低能量,唯有降低P0并增大I。能量調(diào)變涉及的參數(shù)變化很多,主要有:

      1)降低磁控管陽(yáng)極電流,以降低進(jìn)入到加速管的微波功率;

      2)減低電磁鐵磁場(chǎng),保證磁控管最佳狀態(tài)工作;

      3)提高電子槍注入高壓增加發(fā)射電流;

      根據(jù)加速管的設(shè)計(jì)說(shuō)明,加速管注入微波功率從2.6MW降低至2.0MW,槍高壓從10kV增至15kV,電磁鐵磁場(chǎng)從1600Gauss降至1420Gauss。

      4 調(diào)制器技術(shù)設(shè)計(jì)

      調(diào)制器的主要作用是給磁控管和電子槍提供一定寬度的高壓脈沖,它的性能參數(shù)主要取決于磁控管的工作狀態(tài)。調(diào)制器的設(shè)計(jì)主要依據(jù)MG6090磁控管工作參數(shù)而定,同時(shí)考慮12/9MeV能量切換要求。采用線型調(diào)制器技術(shù)方案。

      高壓主回路由高壓變壓器、三相整流濾波電路、充電電感、脈沖形成網(wǎng)絡(luò)(PFN)、閘流管、脈沖變壓器等組成,用于對(duì)PFN的充電,以及PFN對(duì)脈沖變壓器放電。除此之外,還有觸發(fā)電路、反峰電路、De-Q電路、波頭匹配、高壓過(guò)流電路、燈絲供電等輔助電路。

      調(diào)制器高壓主回路設(shè)計(jì)說(shuō)明:

      1)脈沖形成網(wǎng)絡(luò)(PFN)特性阻抗的選擇

      脈沖形成網(wǎng)絡(luò)(PFN)的特性阻抗 ,通常取r=25 Ω或r=50 Ω,以便使PFN的特性阻抗與PFN到脈沖變壓器之間的高頻電纜的特性阻抗相匹配。市售高頻電纜的特性阻抗一般為50 Ω,如果PFN的特性阻抗也取50 Ω,則通過(guò)計(jì)算可知,PFN的充電電壓較高,約33kV,不利于絕緣及安全,因此選用PFN特性阻抗r=25 Ω,這樣計(jì)算出來(lái)的充電高壓約為23kV,較50 Ω時(shí)大為降低,只是這種情況需要兩根高頻電纜并聯(lián),這也是通常的做法。

      2)脈沖波形的要求

      (1)脈沖寬度

      上面提到磁控管陽(yáng)極電流的脈沖寬度設(shè)計(jì)為4.5 μ S,而事實(shí)上,當(dāng)磁控管陰極高壓降到一定程度時(shí),磁控管即停振,陽(yáng)極電流降為0,因此陰極高壓要比陽(yáng)極電流的寬度略寬,通常寬大約0.3 μ S。因此,調(diào)制器設(shè)計(jì)時(shí),PFN脈寬取4.8 μ S。

      (2)脈沖幅值

      磁控管額定脈沖電壓在49kV,陽(yáng)極電流110A,考慮一定余量,按50kV,110A設(shè)計(jì),以便調(diào)試時(shí)如果能量或劑量率不滿足要求,可適當(dāng)提高陽(yáng)極電流至112A~115A。

      (3)上升前沿

      考慮到磁控管規(guī)定陰極電壓上升率必須小于120kV/μ S,而磁控管高壓約50kV,因此上升前沿選擇在0.5~1.0 μ S較為合適。

      3)阻抗匹配問(wèn)題

      PFN的特性阻抗r與磁控管反映在脈沖變壓器原邊的阻抗RH之間存在三種匹配關(guān)系,即匹配、正失配和負(fù)失配。一般采用負(fù)失配方案,以加快閘流管的消電離。由于磁控管的磁場(chǎng)由電磁鐵產(chǎn)生,因此基本可以忽略磁場(chǎng)隨時(shí)間的衰退產(chǎn)生的磁控管阻抗變小,引起負(fù)失配加重的發(fā)生。磁控管打火等嚴(yán)重的負(fù)失配可通過(guò)反峰電路來(lái)消除。

      4)波頭匹配問(wèn)題

      磁控管未起振前,其阻抗無(wú)窮大,在脈沖變壓器的初級(jí)電壓波形的上升前沿上將會(huì)產(chǎn)生非常大的過(guò)沖,會(huì)導(dǎo)致脈沖變壓器或高頻電纜損壞。因此需要在脈沖變壓器初級(jí)并聯(lián)一個(gè)RC串接電路,使之在脈沖上升期間與脈沖變壓器初級(jí)阻抗相同,呈現(xiàn)匹配狀態(tài)。

      5)De-Q電路要求

      除了溫度影響外,磁控管陽(yáng)極電流幅度的快變化也會(huì)影響輸出微波的頻率,進(jìn)而影響加速器輸出劑量的穩(wěn)定。這種快變化AFC無(wú)法自動(dòng)調(diào)整,只能通過(guò)穩(wěn)定陽(yáng)極電流的方法解決。一般要求陽(yáng)極電流穩(wěn)定度在0.1%以上,一般采用De-Q電路實(shí)現(xiàn)。

      另外,由于De-Q負(fù)載承受的功率有限,而當(dāng)能量檔切換至9MeV時(shí),將有更大的功率加在De-Q負(fù)載上。因此必須采取措施,降低高壓變壓器的輸出,以減小De-Q負(fù)載負(fù)荷。

      5 AFC設(shè)計(jì)

      駐波加速器的工作頻帶很窄,幾十千赫茲的頻率變化就會(huì)導(dǎo)致磁控管微波功率嚴(yán)重反射,從而使加速器輸出劑量率急劇下降。為此,需要保證磁控管輸出微波頻率與加速管諧振頻率一致。另外,由于能量調(diào)變時(shí),磁控管輸出微波頻率隨之發(fā)生較大變化,因此,需要對(duì)12MeV、9MeV能量分別設(shè)置預(yù)置位置,確保加速器良好的劑量率上升率。為了補(bǔ)償這種頻率的變化對(duì)加速器正常工作的影響,需要實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)磁控管的頻率,使之與加速管的諧振頻率保持一致。這就是自動(dòng)頻率控制(AFC)系統(tǒng)要實(shí)現(xiàn)的目的。自動(dòng)頻率控制系統(tǒng)采用常見(jiàn)的鎖相調(diào)頻技術(shù)方案。

      6 控制系統(tǒng)技術(shù)設(shè)計(jì)

      6.1 控制系統(tǒng)

      12MeV直線加速器,主要由加速器機(jī)頭、調(diào)制器、控制臺(tái)、水冷系統(tǒng)、安全聯(lián)鎖系統(tǒng)等組成,如圖1所示。為了能夠使設(shè)備安全有效的工作,12MeV直線加速器要求有更加穩(wěn)定、可靠、安全的控制系統(tǒng)。控制系統(tǒng)能夠使得加速器的機(jī)頭、調(diào)制器、控制臺(tái)、水冷系統(tǒng)等有機(jī)的聯(lián)系起來(lái),達(dá)到最佳的工作狀態(tài)。

      控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)采用集中控制方式。

      為了保證加速器控制系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性,不在機(jī)頭內(nèi)放置CPU控制器和存儲(chǔ)芯片。因此控制系統(tǒng)采用集中控制的方式,把控制器放置到操作臺(tái),與位于檢測(cè)大廳的機(jī)頭線纜連接。

      圖1 加速器系統(tǒng)框圖

      操作控制有兩種方式,控制臺(tái)按鈕式操作和計(jì)算機(jī)操作。按鈕設(shè)置在控臺(tái)上,操作人員可以方便的進(jìn)行開(kāi)機(jī)、待機(jī)、出束、停束、設(shè)置劑量等操作。計(jì)算機(jī)操作是通過(guò)在計(jì)算機(jī)顯示器上進(jìn)行開(kāi)機(jī)、待機(jī)、設(shè)置劑量的操作。兩種控制方式可以互相切換。方便用戶操作。

      6.2 控制電路

      控制電路系統(tǒng)采用西門子PLC可編程序控制器S200系列的CPU226。CPU226模塊集成了24I/16O共40個(gè)數(shù)字量I/O 點(diǎn)。它可連接7個(gè)擴(kuò)展模塊,最大可擴(kuò)展至248路數(shù)字量I/O 點(diǎn)或35路模擬量I/O點(diǎn)。有13k字節(jié)程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間,6個(gè)獨(dú)立的30kHz高速計(jì)數(shù)器,2路獨(dú)立的20kHz高速脈沖輸出,2個(gè)RS485通訊/編程口,具有PPI通訊協(xié)議、MPI通訊協(xié)議和自由方式通訊能力。系統(tǒng)中CPU226又?jǐn)U展了兩塊本地16I/16O 模塊EM223如圖2所示。

      6.3 保護(hù)電路設(shè)計(jì)

      圖2 PLC控制電路圖

      為使加速器系統(tǒng)正常運(yùn)行,控制系統(tǒng)中設(shè)有許多保護(hù)電路。每個(gè)保護(hù)電路的信號(hào)都輸入到PLC控制器,通過(guò)與上位機(jī)連接,在上位機(jī)顯示出相關(guān)保護(hù)信息,方便操作人員處理。當(dāng)部件的工作條件不能滿足工作要求時(shí),保護(hù)電路動(dòng)作,提示操作人員注意。根據(jù)保護(hù)電路的等級(jí),這些信號(hào)又分為狀態(tài)提示信號(hào)和故障報(bào)警信號(hào)。當(dāng)故障報(bào)警信號(hào)發(fā)生在出束過(guò)程時(shí),將會(huì)立刻切斷高壓,使系統(tǒng)退出出束狀態(tài)。以下是部分保護(hù)電路的設(shè)計(jì)介紹。

      1)真空保護(hù)

      加速器中的加速管是電真空器件,由鈦泵來(lái)維持加速管真空。當(dāng)加速管真空度變差偏離要求時(shí),保護(hù)電路動(dòng)作報(bào)警。真空保護(hù)電路通過(guò)檢測(cè)鈦泵工作時(shí)的微小電流實(shí)現(xiàn)對(duì)加速管真空度監(jiān)測(cè)。鈦泵電流正常時(shí)很小,一旦變大,說(shuō)明真空度變差。 超過(guò)設(shè)定值時(shí),保護(hù)電路動(dòng)作,提示不能加高壓出束。待加速管正常后,再重新進(jìn)入工作狀態(tài)。設(shè)計(jì)專門的真空保護(hù)板,對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大濾波提取,輸入到PLC。

      2)水流保護(hù)

      在加速器系統(tǒng)中,水冷卻系統(tǒng)是一個(gè)重要的系統(tǒng)。機(jī)頭內(nèi)部幾個(gè)重要的部件如加速管、磁控管、環(huán)流器、脈沖變壓器等都需要水冷卻,水冷系統(tǒng)能夠自動(dòng)加熱和制冷以保持機(jī)頭內(nèi)在工作過(guò)程中保持恒溫。而水流檢測(cè)就是保證有足夠流量的水流過(guò)部件以達(dá)到冷卻效果。一旦水流不正常,機(jī)頭內(nèi)的水流量檢測(cè)開(kāi)關(guān)會(huì)發(fā)出報(bào)警信號(hào)。只有水流量正常后,才能工作。

      3)氣壓保護(hù)

      為了提高波導(dǎo)內(nèi)微波傳輸絕緣效果,在波導(dǎo)內(nèi)充入絕緣氣體SF6氣體。按照磁控管及波導(dǎo)的要求,氣體壓力設(shè)定有上限和下限保護(hù),當(dāng)充氣壓力過(guò)大可能導(dǎo)致波導(dǎo)承受壓力大,過(guò)小起不到絕緣的良好效果。因此當(dāng)氣壓不正常時(shí),會(huì)發(fā)出報(bào)警信號(hào)。

      4)燈絲保護(hù)

      12MeV加速器中磁控管、加速管在進(jìn)入高壓工作狀態(tài)前,要對(duì)其燈絲進(jìn)行預(yù)熱,并分為3分鐘低預(yù)熱和7分鐘高預(yù)熱狀態(tài)。在預(yù)熱過(guò)程中,按照對(duì)燈絲的供電電壓和電流的要求,使磁控管和加速管的處于最佳工作狀態(tài)。當(dāng)燈絲電壓和電流不正常時(shí),會(huì)發(fā)出報(bào)警信號(hào)。

      5)-400V保護(hù)

      電離室是X射線檢測(cè)的裝置。電離室要求-400V的電源供電。對(duì)其保護(hù)主要是對(duì)其供電電源進(jìn)行保護(hù),當(dāng)-400V電壓不正常時(shí)對(duì)損壞電離室,因此保護(hù)系統(tǒng)實(shí)時(shí)檢測(cè)-400V,出現(xiàn)異常會(huì)報(bào)警,對(duì)電離室做保護(hù)。

      6) 高壓保護(hù)

      高壓保護(hù)主要是實(shí)時(shí)檢測(cè)出束狀態(tài)時(shí)高壓電流, 當(dāng)電流過(guò)流情況發(fā)生時(shí),馬上切斷高壓。

      7) 反峰保護(hù)

      反峰保護(hù)主要是對(duì)磁控管進(jìn)行保護(hù)的,一旦系統(tǒng)內(nèi)部負(fù)載不匹配,發(fā)生打火現(xiàn)象,反峰保護(hù)系統(tǒng)起作用,切斷高壓,發(fā)出反峰報(bào)警信號(hào)。

      8)電磁鐵保護(hù)

      12MeV直線加速器磁鐵采用電磁鐵,電磁鐵電源若工作不正常,回饋信號(hào)發(fā)生變化,會(huì)啟動(dòng)保護(hù)系統(tǒng)。

      9)風(fēng)冷保護(hù)

      對(duì)于12MeV直線加速器,磁控管除了用水冷卻外,還需要風(fēng)冷系統(tǒng),對(duì)磁控管進(jìn)行冷卻。因此風(fēng)冷的保護(hù)系統(tǒng)也是對(duì)磁控管的保護(hù)。一旦風(fēng)冷不正常或者停止工作。保護(hù)系統(tǒng)會(huì)馬上啟動(dòng)。

      6.4 安全聯(lián)鎖系統(tǒng)設(shè)計(jì)

      對(duì)加速器來(lái)講,輻射安全是極為重要的,因?yàn)榧铀倨髂芰扛?、劑量高,出束過(guò)程中不許有人誤入檢測(cè)室。加速器設(shè)計(jì)有安全聯(lián)鎖系統(tǒng),加速器調(diào)制器外圍設(shè)置屏蔽網(wǎng),以防止有人誤把手探入,并設(shè)有屏蔽網(wǎng)開(kāi)關(guān),如果屏蔽網(wǎng)被拆,則控制系統(tǒng)無(wú)法開(kāi)啟進(jìn)入高預(yù)熱狀態(tài)。

      在機(jī)頭、調(diào)制器、控制臺(tái)及檢測(cè)室四周,分別設(shè)置急停開(kāi)關(guān),當(dāng)發(fā)生緊急情況時(shí),可以按下急停開(kāi)關(guān)。加速器會(huì)馬上斷電,以保護(hù)人員及設(shè)備的安全。

      加速器與檢測(cè)室大門、小門等所有門進(jìn)行聯(lián)鎖,當(dāng)有任一個(gè)門打開(kāi)或者沒(méi)有關(guān)好時(shí),加速器用戶指示燈會(huì)報(bào)亮,無(wú)法加高壓出束。加速器安全聯(lián)鎖箱,配有鑰匙聯(lián)鎖,當(dāng)操作人員進(jìn)入檢測(cè)室時(shí),拔下任意一把鑰匙,此時(shí)加速器無(wú)法出射線。

      加速器在加高壓出束前,會(huì)發(fā)出10秒的預(yù)警信息,此時(shí)檢測(cè)室內(nèi)會(huì)有刺耳的聲音,以警告誤留檢測(cè)室內(nèi)人員迅速離開(kāi)。

      6.5 能量切換系統(tǒng)設(shè)計(jì)

      為了滿足現(xiàn)場(chǎng)的實(shí)際需求,實(shí)現(xiàn)9MeV和12MeV的切換。能夠在9MeV狀態(tài)下運(yùn)行又能夠在12MeV狀態(tài)運(yùn)行。以滿足不同厚度的產(chǎn)品的檢測(cè)要求。為此系統(tǒng)設(shè)計(jì)了切換控制系統(tǒng)。

      The technical design of 12MeV standing wave electron linear accelerator for non-destructive testing

      LIU Jian-hui, MENG Xiang-yu, GUO Yan-bin, FAN Lin-xia, CHEN Yan, LI Xue-xian, WANG Fei, JIA En-ming

      TN784

      B

      1009-0134(2011)5(下)-0081-05

      10.3969/j.issn.1009-0134.2011.5(下).24

      2010-12-15

      國(guó)家數(shù)控機(jī)床重大專項(xiàng)資助(2009ZX04014-091)

      劉建輝 (1979-),男,河北石家莊人,工程師,主要從事電子直線加速器技術(shù)研究。

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