蘇凱 雷杰 張偉 張志培 李小飛 周勇安 張平 王小平
細(xì)胞與基質(zhì)之間的相互作用對于細(xì)胞的某些表型具有重要意義,如果失去基質(zhì)的支持,如某些不具備轉(zhuǎn)移特性的實(shí)體瘤細(xì)胞和正常上皮細(xì)胞從原位脫落進(jìn)入血流,或在體外培養(yǎng)的情況下人為阻斷細(xì)胞的粘附,細(xì)胞將發(fā)生程序性死亡,這種現(xiàn)象被稱為“anoikis”[1],即脫落凋亡或失巢凋亡。腫瘤細(xì)胞一旦開始發(fā)生轉(zhuǎn)移,即獲得了抗脫落凋亡的能力。這種存在于某些腫瘤細(xì)胞的抗脫落凋亡,是轉(zhuǎn)移瘤發(fā)生的重要原因之一[2]。目前,關(guān)于脫落凋亡/抗脫落凋亡的研究仍局限在個(gè)別基因、個(gè)別通路、抗脫落凋亡機(jī)理的認(rèn)識(shí)仍不系統(tǒng),細(xì)胞的多樣性以及腫瘤細(xì)胞的易突變也賦予不同的腫瘤細(xì)胞不同的抗脫落凋亡機(jī)制。我們應(yīng)用高侵襲性肺腺癌A549細(xì)胞系,分別在貼壁與懸浮兩種狀態(tài)下培養(yǎng),檢測兩種不同生長狀態(tài)肺癌A549細(xì)胞系基因表達(dá)上的差異,旨在高通量地篩選肺癌抗脫落凋亡相關(guān)基因,并從中篩選與肺癌轉(zhuǎn)移密切相關(guān)的基因,為進(jìn)一步研究肺癌轉(zhuǎn)移侵襲性提供數(shù)據(jù)。
1.1 實(shí)驗(yàn)材料 RPMI-1640培養(yǎng)基購自Gibco公司。胎牛血清(FBS)購自杭州四季青生物制品公司。多聚羥乙基甲基丙烯酸樹脂(Poly-HEMA)購自Sigma公司。DNA提取試劑盒為TIANamp血液/細(xì)胞/組織基因組DNA提取試劑盒。細(xì)胞系:高侵襲性肺腺癌A549細(xì)胞系由第四軍醫(yī)大學(xué)基礎(chǔ)部生化教研室王江博士惠贈(zèng)。細(xì)胞培養(yǎng)于含有10%FBS的RPMI-1640培養(yǎng)液中,置37oC、5%CO2孵箱中培養(yǎng)。
1.2 實(shí)驗(yàn)方法
1.2.1 細(xì)胞懸浮培養(yǎng)皿的準(zhǔn)備及細(xì)胞懸浮培養(yǎng)[3,5]Poly-HEMA溶于無水乙醇(10 g/L)。每個(gè)55 mm直徑的petri培養(yǎng)皿加2 mL Poly-HEMA溶液,室溫下待乙醇完全揮發(fā)后,再加1遍Poly-HEMA溶液。臨用前,petri培養(yǎng)皿以PBS洗4遍,置于超凈臺(tái)中紫外線照射消毒待用。以胰酶消化貼壁的肺癌細(xì)胞,收集細(xì)胞,計(jì)數(shù)并接種于poly-HEMA處理過的petri培養(yǎng)皿中。每個(gè)培養(yǎng)皿加入1×106個(gè)細(xì)胞,置37oC、5%CO2孵箱中培養(yǎng)72 h,每天觀察細(xì)胞狀態(tài)并計(jì)數(shù)。由于Poly-HEMA不帶電荷,細(xì)胞無法貼壁,只能在培養(yǎng)皿中脫落生長,借此來模擬細(xì)胞的脫落培養(yǎng)狀態(tài),對照組細(xì)胞為貼壁培養(yǎng)的細(xì)胞。
1.2.2 細(xì)胞質(zhì)梯度DNA測定 收集懸浮及貼壁細(xì)胞,各取1×106個(gè)。紫外燈下觀察DNA ladder[3,4]。
1.2.3 流式細(xì)胞術(shù)檢測 收集懸浮及貼壁細(xì)胞,各取1×106個(gè)細(xì)胞轉(zhuǎn)移至離心管,然后用50 μL結(jié)合緩沖液重懸細(xì)胞,每組分別加入PI及AnnexinV2FITC,室溫避光30 min上樣。立即用流式細(xì)胞儀分析凋亡率。
1.2.4 芯片制備 以貼壁培養(yǎng)A549細(xì)胞為對照組,抗脫落凋亡A549細(xì)胞為實(shí)驗(yàn)組,利用北京博奧生物芯片公司的人類V2.0全基因組寡核苷酸微陣列芯片(35K Human Genome Array),檢測兩種細(xì)胞的基因表達(dá)差異。
1.2.5 數(shù)據(jù)檢索 利用北京博奧生物芯片公司CB-MAS 4.0生物分子功能注釋系統(tǒng)篩選表達(dá)差異基因,利用NCBI Pubmed數(shù)據(jù)庫進(jìn)一步篩選與肺癌侵襲轉(zhuǎn)移密切相關(guān)的基因。
2.1 抗脫落凋亡肺癌A549細(xì)胞培養(yǎng) 在細(xì)胞懸浮培養(yǎng)過程中我們觀察到,A549肺癌細(xì)胞脫落培養(yǎng)12 h后,細(xì)胞開始聚集,24 h后細(xì)胞相互聚集成比較大的細(xì)胞團(tuán)塊,且培養(yǎng)時(shí)間越長,聚集成的細(xì)胞團(tuán)塊越大、越致密。但較貼壁正常生長A549細(xì)胞相比,懸浮培養(yǎng)細(xì)胞生長速度明顯變緩,細(xì)胞形態(tài)差異明顯(圖1)。
2.2 抗脫落凋亡肺癌A549細(xì)胞檢測 收集懸浮及正常貼壁生長72 h細(xì)胞進(jìn)行細(xì)胞質(zhì)梯度DNA分析,結(jié)果顯示兩種狀態(tài)培養(yǎng)的肺腺癌A549細(xì)胞電泳圖像均未出現(xiàn)凋亡特異性梯度條帶(圖2),說明細(xì)胞未發(fā)生凋亡。流式細(xì)胞檢測結(jié)果與細(xì)胞質(zhì)梯度DNA 測定結(jié)果一致(圖3),兩種培養(yǎng)狀態(tài)下肺癌細(xì)胞培養(yǎng)72 h未檢測到細(xì)胞明顯凋亡(細(xì)胞凋亡發(fā)生率均小于5%)。
圖 1 細(xì)胞形態(tài)學(xué)表現(xiàn)(×100)A:懸浮培養(yǎng)細(xì)胞; B:貼壁培養(yǎng)細(xì)胞。Fig 1 Cell morphology (×100)A: suspension cultured cells; B: adherent cultured cells.
圖 2 DNA電泳Fig 2 DNA electrophoresis
圖 3 各組流式細(xì)胞凋亡率Fig 3 The percent of apoptotic cells in different groups by FCM
圖 4 基因芯片散點(diǎn)圖紅色標(biāo)記和綠色標(biāo)記的數(shù)據(jù)點(diǎn)分別表示懸浮培養(yǎng)細(xì)胞組/貼壁培養(yǎng)細(xì)胞組的Ratio值≥2和≤0.5,屬于表達(dá)有差異的基因;黑色標(biāo)記表示懸浮培養(yǎng)細(xì)胞組/貼壁培養(yǎng)細(xì)胞組的Ratio值在0.5和2之間,表達(dá)基本無差異。Fig 4 ScaTTered plot graph of Cy3-labeled and Cy5-labeled probes hybirdizing with microarrayRed and green markers represent data points marked the suspension cultured cells group/adherent cultured cells group of the Ratio value of ≥2 and ≤0.5, are there differences in gene expression; Black marker that the suspension cultured cells group/adherent cultured cells group of the Ratio value of 0.5 and the 2 between the expression of the basic no difference.
2.3 人基因表達(dá)譜芯片檢測到的表達(dá)差異基因 基因芯片檢測(圖4)共得到表達(dá)差異的基因745個(gè)(Ratio≥2.0或Ratio≤0.5),其中實(shí)驗(yàn)組相對對照組上調(diào)2倍以上的基因數(shù)目有556個(gè),實(shí)驗(yàn)組相對對照組下調(diào)0.5倍以上的基因數(shù)目有189個(gè)。所獲得的基因通過NCBI Pubmed檢索其功能。這些表達(dá)差異基因涉及原癌基因、抑癌基因、細(xì)胞周期蛋白、凋亡、免疫相關(guān)、信號(hào)轉(zhuǎn)導(dǎo)、蛋白翻譯合成及一些功能未知的基因。進(jìn)一步篩選出63個(gè)與癌癥轉(zhuǎn)移密切相關(guān)的基因,其中上調(diào)基因42個(gè),下調(diào)基因21個(gè),在上調(diào)及下調(diào)基因中,部分基因經(jīng)文獻(xiàn)檢索功能與本實(shí)驗(yàn)上下調(diào)關(guān)系不符,如上調(diào)基因?yàn)橐职┗?,下調(diào)基因?yàn)榘┗虻?,遂予以剔除,最終選定與本實(shí)驗(yàn)?zāi)康南嚓P(guān)的介導(dǎo)肺癌轉(zhuǎn)移的基因38個(gè),其中上調(diào)基因25個(gè),下調(diào)基因13個(gè),列于下表(表1,表2)。
侵襲和轉(zhuǎn)移是造成各種惡性腫瘤患者死亡的主要原因,且是一個(gè)極其復(fù)雜、涉及腫瘤與宿主間相互作用的多因素過程,包括瘤細(xì)胞從原發(fā)腫瘤脫落,進(jìn)入細(xì)胞外基質(zhì)與脈管內(nèi),直至在遠(yuǎn)端適宜組織中克隆生長,期間受到許多相關(guān)基因的調(diào)控。有學(xué)者通過對肺癌、腸癌、卵巢癌、惡性黑色素瘤、口腔鱗狀細(xì)胞癌等惡性腫瘤細(xì)胞株體外懸浮培養(yǎng),并通過DNA ladder和流式細(xì)胞儀進(jìn)行與相應(yīng)正常組織細(xì)胞相比,檢測均發(fā)現(xiàn)惡性腫瘤細(xì)胞的抗失巢凋亡能力明顯增強(qiáng);同時(shí),具有高轉(zhuǎn)移能力的細(xì)胞株的抗脫落凋亡能力明顯強(qiáng)于低轉(zhuǎn)移細(xì)胞株;另外,在裸鼠體內(nèi)進(jìn)行的腫瘤細(xì)胞侵襲實(shí)驗(yàn)也證實(shí),高抗脫落凋亡細(xì)胞株轉(zhuǎn)染的裸鼠全身臟器轉(zhuǎn)移率高于對照組[5-10]。這一系列試驗(yàn)驗(yàn)證了抗脫落凋亡是腫瘤侵襲轉(zhuǎn)移的始動(dòng)環(huán)節(jié),并提示此環(huán)節(jié)是受到相關(guān)基因的嚴(yán)密調(diào)控。但是目前抗脫落凋亡的相關(guān)基因及其對腫瘤細(xì)胞侵襲、轉(zhuǎn)移作用的影響并不十分清楚。因此較全面地探明腫瘤抗脫落凋亡相關(guān)基因及其對細(xì)胞侵襲、轉(zhuǎn)移功能的影響具有重要的科研和臨床價(jià)值。
鑒于腫瘤細(xì)胞的多樣性及易突變性,不同的腫瘤細(xì)胞可能存在著不同的抗失巢凋亡機(jī)制,我們選擇高侵襲性肺腺癌A549細(xì)胞系作為研究對象,首先嘗試構(gòu)建抗脫落凋亡的A549細(xì)胞系。本實(shí)驗(yàn)證明,肺癌A549細(xì)胞可以懸浮生長不發(fā)生凋亡,但出現(xiàn)成團(tuán)塊樣生長。懸浮培養(yǎng)的A549細(xì)胞成團(tuán)塊樣生長,我們猜測可能部分代替了細(xì)胞與基質(zhì)間互相作用,使腫瘤細(xì)胞可在非生理環(huán)境下存活。然而,細(xì)胞懸浮狀態(tài)下生長緩慢,說明團(tuán)塊樣生長并不能完全代替細(xì)胞與基質(zhì)間全部生理功能,僅能維持腫瘤細(xì)胞在不利的環(huán)境下生存的最低需要。A549細(xì)胞的成功懸浮培養(yǎng),在體外模擬了高侵襲性腫瘤細(xì)胞自原發(fā)部位侵入循環(huán)系統(tǒng)遠(yuǎn)處轉(zhuǎn)移過程中的生存狀態(tài),為體外實(shí)驗(yàn)研究惡性腫瘤轉(zhuǎn)移機(jī)制提供了很好的模型。
表 1 上調(diào)基因及其功能簡述Tab 1 The up-regulated genes and brief introdutions of their functions
腫瘤的發(fā)生發(fā)展是一個(gè)涉及細(xì)胞多基因的作用過程,目前的研究大都僅僅涉及個(gè)別基因,無法從全局的角度宏觀地認(rèn)識(shí)肺癌的進(jìn)展?;蛐酒瑒t具有高效、靈敏、高通量地分析細(xì)胞內(nèi)基因表達(dá)譜的優(yōu)勢。我們的研究篩選了745個(gè)表達(dá)差異基因,并將基因芯片檢查篩選出的表達(dá)差異的基因通過NCBI Pubmed進(jìn)行功能比對。結(jié)果顯示:這些表達(dá)差異基因涉及原癌基因、抑癌基因、細(xì)胞周期蛋白、凋亡、免疫相關(guān)、信號(hào)轉(zhuǎn)導(dǎo)、蛋白翻譯合成及一些功能未知的基因,表明腫瘤侵襲轉(zhuǎn)移是一個(gè)涉及多種基因、多類信號(hào)轉(zhuǎn)導(dǎo)通路通路并涉及多個(gè)細(xì)胞事件的復(fù)雜過程[11,12]。我們從中篩選肺癌侵襲轉(zhuǎn)移始動(dòng)環(huán)節(jié)密切相關(guān)的63個(gè)基因,但某些篩選出的基因已知功能與上調(diào)、下調(diào)比例不符,如部分抑癌基因等預(yù)期應(yīng)表達(dá)下調(diào)的基因在試驗(yàn)中表達(dá)為上調(diào),而部分癌基因表達(dá)則為下調(diào),雖然有某些侵襲性腫瘤確實(shí)存在某些基因會(huì)因腫瘤類型不同而部分上調(diào),部分下調(diào)的情況,但我們目前的實(shí)驗(yàn)仍不能排除假陽性,這一部分?jǐn)?shù)據(jù)我們正在進(jìn)一步研究。而最終篩選出的38個(gè)與肺癌轉(zhuǎn)移密切相關(guān)的基因,為今后系統(tǒng)的研究肺癌轉(zhuǎn)移的相關(guān)機(jī)制打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。