常依斌
(上海藍(lán)寶光電材料有限公司,上海201616)
MOCVD(金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積)是20世紀(jì)60年代末期發(fā)展起來(lái)的利用金屬有機(jī)化合物進(jìn)行金屬輸運(yùn)的一種化合物半導(dǎo)體氣相外延技術(shù)。它的技術(shù)優(yōu)點(diǎn)在于:可以制成多種類型的薄膜材料;可精確控制膜的厚度、組成及摻雜濃度;可制成大面積、高均勻性的外延膜等。因此,成為當(dāng)前世界各國(guó)都在大力發(fā)展的一種高新材料制備技術(shù)。目前,MOCVD技術(shù)不僅成為制備化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)、超晶結(jié)、量子阱等低維結(jié)構(gòu)的主要手段,而且還是生產(chǎn)化合物半導(dǎo)體光電子、微電子器件的重要方法。用MOCVD生產(chǎn)半導(dǎo)體激光器、發(fā)光管、太陽(yáng)能電池盒高頻、高速電子器件等都已經(jīng)形成產(chǎn)業(yè),并且仍在繼續(xù)發(fā)展之中。還需指出的是,今天它不僅應(yīng)用于半導(dǎo)體領(lǐng)域,還擴(kuò)展到金屬、絕緣介質(zhì)等多種材料體系,成為現(xiàn)代外延技術(shù)的重要組成部分。
在MOCVD技術(shù)生長(zhǎng)過(guò)程中,反應(yīng)腔壓力是重要參數(shù)之一,它的壓力高低直接影響生長(zhǎng)質(zhì)量。壓力不同會(huì)影響氣體粒子的遷移距離,在其它條件相同的前提下,壓力增減會(huì)使停滯層厚度發(fā)生變化,影響生長(zhǎng)速率以及外延層的平整性;而壓力的變化有可能會(huì)使湍流的產(chǎn)生加劇,破壞生長(zhǎng)所需的層流狀態(tài)。
圖1所示為典型的GaN生長(zhǎng)過(guò)程壓力變化過(guò)程。從圖中可以看出生長(zhǎng)過(guò)程中,對(duì)壓力控制的要求非常高,主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:一是控制過(guò)程復(fù)雜,壓力變化較多,壓力變化范圍為1×104~5×104Pa;二是壓力變化形式多樣,控制的種類有立即響應(yīng)和固定斜率兩種形式;三是精度和穩(wěn)定性要求較高,這兩個(gè)指標(biāo)會(huì)直接影響GaN的均勻性和生長(zhǎng)速率,另外壓力的波動(dòng)還會(huì)對(duì)反應(yīng)氣體的層流帶來(lái)影響。
圖1 常規(guī)GaN生長(zhǎng)過(guò)程的壓力過(guò)程
常見(jiàn)的MOCVD反應(yīng)腔壓力控制系統(tǒng)包括反應(yīng)腔本身、壓力傳感器、蝶閥和真空泵,見(jiàn)圖2。將來(lái)自壓力傳感器的信號(hào)送入控制電路以調(diào)整下游蝶閥的張開(kāi)角度來(lái)控制泵的抽氣速率,達(dá)到恒定壓力的目的。真空泵的抽氣速率要與反應(yīng)腔的最大流量相匹配。圖中所示的過(guò)濾器和工廠尾氣處理用來(lái)對(duì)反應(yīng)后的尾氣進(jìn)行一次和二次處理,保證不對(duì)環(huán)境產(chǎn)生污染。
圖2 壓力控制系統(tǒng)組成圖
圖3為實(shí)際應(yīng)用的組成框圖,操控PC、溫度控制系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)、水路控制系統(tǒng)和交換機(jī)組成MOCVD的上層管理系統(tǒng),所有子系統(tǒng)的連接是通過(guò)工業(yè)以太網(wǎng)ProfiNet實(shí)現(xiàn)的。Profinet是一個(gè)整體的解決方案,它使用TCP/IP和IT標(biāo)準(zhǔn),符合基于工業(yè)以太網(wǎng)的實(shí)時(shí)自動(dòng)化體系。它是Profibus國(guó)際組織創(chuàng)新的自動(dòng)化標(biāo)準(zhǔn),用于實(shí)現(xiàn)基于工業(yè)以太網(wǎng)的集成、一致的自動(dòng)化解決方案,它的一個(gè)關(guān)鍵特點(diǎn)是從現(xiàn)有的現(xiàn)場(chǎng)總線解決方案 (例如:Profibus-DP)到基于以太網(wǎng)的ProfiNet的無(wú)縫轉(zhuǎn)換。
ProfiNet滿足所有自動(dòng)化的需求,它吸納了多年積累的Profibus和工業(yè)以太網(wǎng)的技術(shù)精髓,現(xiàn)在ProfiNet已成為IEC 61158的組成部分 (IEC 61158第l0部分)。
圖3 工業(yè)以太網(wǎng)壓力控制系統(tǒng)組成
通過(guò)ProfiNet發(fā)送目標(biāo)壓力信息到壓力控制PLC,由PLC根據(jù)壓力控制信息統(tǒng)一轉(zhuǎn)化為目標(biāo)壓力值,發(fā)送給T3BI。T3BI內(nèi)部集成的壓力控制器通過(guò)比較目標(biāo)壓力和壓力傳感器測(cè)量的實(shí)際壓力,將壓力差值轉(zhuǎn)換為蝶閥的開(kāi)度,從而實(shí)現(xiàn)反應(yīng)腔內(nèi)壓力調(diào)整,最終使實(shí)際壓力和目標(biāo)壓力相等。
MKS公司的蝶閥T3BI有以下特點(diǎn):
(1)緊湊的壓力控制系統(tǒng)閥,集成板載控制器;
(2)快速響應(yīng):全開(kāi)到全關(guān)時(shí)間小于200ms;
(3)大力矩輸出;
(4)雙通道自動(dòng)量程切換壓力計(jì)輸入。
MKS公司的壓力傳感器626B主要技術(shù)指標(biāo)為:
(1)滿量程壓力/真空范圍低到13.33 Pa,真空的精度測(cè)量為0.133 pa;
(2)腔體壓力直接測(cè)量,不受氣體種類、混合等查表和轉(zhuǎn)換的因素;
(3)長(zhǎng)期輸出穩(wěn)定性保證了反應(yīng)過(guò)程的可重復(fù)性;
(4)高過(guò)壓限制保證了偶然發(fā)生系統(tǒng)錯(cuò)誤的可靠性。
在調(diào)試或?qū)嵱眠^(guò)程中將T3BI通過(guò)RS232接口接入PC,用其自帶軟件獲得響應(yīng)曲線,如圖4所示。
圖4 壓力控制曲線圖
從圖中可以看出,壓力控制具有極快的響應(yīng)速度,一次超調(diào)后即進(jìn)入穩(wěn)定范圍,完全能夠滿足MOCVD反應(yīng)腔壓力控制的要求。
MOCVD設(shè)備集成了化學(xué)、物理、電氣、機(jī)械等多學(xué)科,監(jiān)控參數(shù)很多包括流量、壓力、差壓、溫度、轉(zhuǎn)速、濕度等等,通常采用“上位機(jī)+PLC”的方式,將現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)采集與I/O控制的任務(wù)交給PLC完成,上位機(jī)負(fù)責(zé)工藝配方編輯、實(shí)時(shí)和歷史數(shù)據(jù)處理等功能。采用工業(yè)以太網(wǎng)ProfiNet將溫度、壓力、水路、操控PC組成網(wǎng)絡(luò),可以減少硬件連接的復(fù)雜程度,保證數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃浴?/p>
隨著未來(lái)MOCVD工廠的集中化程度提高,甚至可以通過(guò)交換機(jī)將多臺(tái)MOCVD設(shè)備組成工業(yè)以太網(wǎng)絡(luò),從而實(shí)現(xiàn)集中操控。
[1]陸大成,段樹(shù)坤.金屬有機(jī)化合物氣相外延基礎(chǔ)及應(yīng)用[M].北京:科學(xué)出版社,2009.5.
[2]胡曉宇,王建成,鄒春艷.基于串行通訊協(xié)議宏的MOCVD反應(yīng)室壓力控制[J].電子工業(yè)專用設(shè)備,2008,156(1):38
[3]楊宏偉,章麒麟,閆發(fā)旺.GaN的低壓MOCVD生長(zhǎng)模型[J].半導(dǎo)體情報(bào),2001,38(6):52-54.
[4]趙恒,杜凱.GaN系半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)的MOCVD控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[J].陜西理工學(xué)院學(xué)報(bào),2005,21(3):28-32.
[5](德)Raimond Pigan,Mark Metter著,湯亞鋒 譯.西門(mén)子PROFINET工業(yè)通信指南[M].北京:人民郵電出版社出版,2007.11
[6]胡昊.Profibus和Profinet在聚酯薄膜生產(chǎn)線控制系統(tǒng)中的應(yīng)用[J].系統(tǒng)集成與工程應(yīng)用,2008,89(8):61~63.
[7]陳俊,張書(shū)明,張寶順,等.緩沖層生長(zhǎng)壓力對(duì)MOCVDGaN性能的影響[J].中國(guó)科學(xué)E輯,2004,34(1):58~63.[8]陳新亮,薛俊明,張德坤等.反應(yīng)壓力對(duì)MOCVD法沉積ZnO薄膜性質(zhì)的影響[J].光電子激光,2007,18(7):763~766.
[9]Types 622B,623B,&626B absolute baratrons ambient temperature capacitancemanometers instruction manual,MKSInstruments,Inc.[Z].
[10]MKS Type T3BI Intelligent Exhaust Throttle Valve in structionmanual,MKS Instruments,Inc.[Z].
[11]Multi-stage dry vacuum pump ESA25-D instruction manual,EBARA Cooperation[Z].