節(jié)能減排

馬宇川

眾所周知，根據(jù)JEDEC電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)規(guī)定，DDR2內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作電壓為1.8V。不過近日我們微型計(jì)算機(jī)評(píng)測(cè)室獲得了一款默認(rèn)，工作電壓僅1.6V的DDR2 800 2GB內(nèi)存：金邦綠色節(jié)能內(nèi)存，從產(chǎn)品名稱可以看出，該內(nèi)存的主要特點(diǎn)就是節(jié)能，那么相對(duì)于普通內(nèi)存，它能節(jié)約多少能源?它能夠在1.6VT穩(wěn)定工作嗎?它是如何做到的?它還能像普通內(nèi)存那樣進(jìn)行超頻嗎?

從包裝上看，金邦綠色節(jié)能內(nèi)存上就具備環(huán)保，綠色的特性，它采用了白色環(huán)保再生材料包裝，并配合綠色標(biāo)簽，使得綠色節(jié)能內(nèi)存的環(huán)保特性得到體現(xiàn)。打開包裝，可以發(fā)現(xiàn)，這款綠色節(jié)能內(nèi)存在外觀上與普通內(nèi)存并沒有明顯不同。它采用FBGA封裝的DDR2內(nèi)存顆粒，雙面16穎設(shè)計(jì)，最大的區(qū)別在于其內(nèi)存規(guī)格上有1.6V的默認(rèn)工作電壓提示，并貼有DBT動(dòng)態(tài)高溫老化技術(shù)的LOGO，表明該內(nèi)存在出廠前也進(jìn)行了動(dòng)態(tài)高溫老化測(cè)試。動(dòng)態(tài)高溫老化測(cè)試可以迫使故障在更短的時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)，保證用戶在實(shí)際使用過程中故障率更低。該測(cè)試在DBT老化爐中進(jìn)行，測(cè)試溫度達(dá)50℃－60℃，測(cè)試時(shí)間達(dá)3-4小時(shí)，如產(chǎn)品品質(zhì)不佳是很難過關(guān)的。(詳細(xì)過程可參看本刊2009年4月上與4月下中的技術(shù)廣角欄目)

接下來，在對(duì)內(nèi)存的實(shí)際測(cè)試中，我們發(fā)現(xiàn)了一個(gè)很大的問題，目前的DDR2主板均不支持1.6V的內(nèi)存電壓，最低只能設(shè)定為1.8V，因此我們專門采用了一塊改造過的主板進(jìn)行測(cè)試。該主板原型為華碩的P5QDELUXE，工程師將主板原配的1.8K歐姆電阻，更換為10K的可變電阻，從而通過增大阻值來降低內(nèi)存電壓，不過這也使得主板BfOs里設(shè)定的內(nèi)存電壓與實(shí)際電壓不符，如果要讓內(nèi)存工作在1.6V，那么我們應(yīng)在BIOS里將內(nèi)存電壓設(shè)定為1.9v。

同時(shí)，為了方便測(cè)試人員了解實(shí)時(shí)內(nèi)存電壓，我們還準(zhǔn)備了一套內(nèi)存電壓測(cè)試設(shè)備。該設(shè)備由一個(gè)電壓顯示器，一個(gè)外形與普通DDR2內(nèi)存相同，被稱為Dummy Module的電壓測(cè)量器以及連接電線構(gòu)成。這套設(shè)備的使用十分簡(jiǎn)單，將Dummy Module插入內(nèi)存插槽后，就可以從內(nèi)存插槽的電壓端取電，從而測(cè)量出內(nèi)存的實(shí)時(shí)工作電壓，并在電壓顯示器上進(jìn)行顯示。

下面，我們?cè)诖钆銲ntel Core 2 Duo E7200處理器，AMD Radeon HD 4850顯卡后對(duì)該內(nèi)存進(jìn)行了測(cè)試。從測(cè)試中可以看到，盡管僅工作在1.6V。但與普通1.8V的DDR2內(nèi)存相比，綠色節(jié)能內(nèi)存在性能上并不遜色，其內(nèi)存性能，PCMark Vantage系統(tǒng)性能甚至還略有勝出。在功耗上，由于內(nèi)存本身耗電量不大，再加上二者只有0.2V的電壓差距，因此系統(tǒng)滿載功耗之間只有最高1W的差距。最后我們還在1.6v下對(duì)綠色節(jié)能內(nèi)存進(jìn)行了超頻測(cè)試，測(cè)試結(jié)果令人吃驚，盡管工作電壓很低，但該內(nèi)存仍可以將工作頻率穩(wěn)定在DDR2 900下，其內(nèi)存帶寬，內(nèi)存延遲性能分別提升至5.5GB／s與96ns。

為什么低壓下。該內(nèi)存能有如此好的表現(xiàn)呢?原來金邦在為節(jié)能內(nèi)存挑選顆粒時(shí)，主要借助于其獨(dú)有的EVO Ⅲ全自動(dòng)IC測(cè)試機(jī)，該機(jī)器可以對(duì)內(nèi)存顆粒的電壓與電流特性進(jìn)行測(cè)試，并從中挑選出在低壓下能穩(wěn)定工作的內(nèi)存顆粒，同時(shí)配合金邦特有的動(dòng)態(tài)高溫老化技術(shù)進(jìn)一步檢測(cè)這些內(nèi)存顆粒在低壓下工作是否能夠持久。

我們認(rèn)為，盡管低電壓內(nèi)存不能帶來明顯的功耗下降，但是并不能用節(jié)約的能耗不明顯去否定節(jié)能內(nèi)存，只要具備節(jié)能的特性。我們就應(yīng)積極地推廣使用，畢竟積少成多。同時(shí)芯片低電壓化已成趨勢(shì)，處理器，顯卡、DDR3內(nèi)存都早已推出低電壓產(chǎn)品，這一切都是為了節(jié)能減排，降低CO：的排放，減少溫室效應(yīng)，那么為什么要將目前廣泛使用的DDR2內(nèi)存排除在外呢?因此，我們認(rèn)為這款由金邦首次推出低壓版的DDR2內(nèi)存產(chǎn)品十分符合目前的環(huán)保發(fā)展趨勢(shì)。雖然目前暫無主板支持1.6V電壓，但在價(jià)格差不多的情況下，大家可以優(yōu)先考慮節(jié)能內(nèi)存，為以后可能出現(xiàn)的低電壓主板做準(zhǔn)備，同時(shí)該內(nèi)存低壓下可超頻的特性也十分適合那些只準(zhǔn)備在1.8V電壓下進(jìn)行超頻的普通玩家選用。