化合物半導(dǎo)體體材料和特性

Osamu Oda Aichi Science and Technology

Foundation, Japan

Compound Semiconductor

Bulk Materials and

Characterizations

2007, 538pp.

Hardcover

ISBN 978-981-02-1728-0

Osamu Oda著

化合物半導(dǎo)體體材料是除元素半導(dǎo)體材料Si、Ge外的另一類重要的半導(dǎo)體材料。它作為基礎(chǔ)材料, 在電子學(xué)和光學(xué)方面的應(yīng)用變得日益重要。在對III-V、II-VI、 IV-VI族、 GaN和SiC等半導(dǎo)體材料所進行的大量研究和應(yīng)用中, 高質(zhì)量的GaP、GaAs 、S-I、Ga As和InP等化合物單晶體材料都是必不可少的。

此書第一部分介紹了化合物半導(dǎo)體體材料的物理性質(zhì)、晶體生長技術(shù)和原理、 晶體中的各種缺陷、表征技術(shù)和應(yīng)用。第二部分和第三部分論述了多種化合物半導(dǎo)體體材料的生產(chǎn)和近來的研究結(jié)果。

此書系統(tǒng)地介紹了化合物半導(dǎo)體體材料的基礎(chǔ), 具有一定深度, 是進入此領(lǐng)域工作和學(xué)習(xí)需要熟悉的知識。

此書適于從事半導(dǎo)體材料科學(xué)和器件制造的學(xué)生、研究和工程技術(shù)人員閱讀和參考。

孔梅影，研究員

(中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所)

Kong Meiying, Professor

(Institute of Semiconductor,the Chinese Academy of Sciences)