北京市大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽題目

編者按：北京市大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽于2004年10月16日在北京舉行。參加本次競(jìng)賽有的39所高校的514個(gè)代表隊(duì)，其中獲得一等獎(jiǎng)的有51個(gè)隊(duì)。本刊從今年第一期開始，陸續(xù)刊登本次競(jìng)賽的試題、獲獎(jiǎng)?wù)撐募拜o導(dǎo)，希望對(duì)高校師生有所幫助。

第一題

圖1所示為一由CMOS器件構(gòu)成的雙端輸入、單端輸出運(yùn)算放大器電路。其中，M1、M2、M5和M7為N溝道增強(qiáng)型MOSFET，M3、M4和M6為P溝道增強(qiáng)型MOSFET。元件值和各MOSFET的寬長(zhǎng)比注于圖中（例如，M1的溝道寬度為W=100μm，溝道長(zhǎng)度為L(zhǎng)=1μm，其寬長(zhǎng)比記為W/L=100/1）。

一．請(qǐng)說明電路中各元器件的作用。

二．按圖1將電路和元器件參數(shù)輸入到MULTISIM程序中，進(jìn)行下列分析，說明進(jìn)行該項(xiàng)分析時(shí)放大器輸入端In1和In2處電路的連接狀態(tài)，將所得數(shù)據(jù)填入表格中并回答所提問題。